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Synthesis and applications of graphene electrodes
Dolly Shin, Sukang Bae, Chao Yan, Junmo Kang, Jaechul Ryu, Jong-Hyun Ahn and Byung Hee Hong 한국탄소학회 Carbon Letters 16 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2012, Vol.13 No.1 1 1-16 (16 pages)
as source/drain electrodes and carbon nanotubes as semiconducting channel, as shown in Fig. 16a [73]. Such devices present high optical transmittance and mechanical bendability. The low contact resistance between graphene and organic materials makes graphene an ideal electrode material, especially in fexible organic feld-effect transistors [74-78]. Another kind of graphene-based fexible... -
그래핀 기반 3단자 NEMS 스위칭 소자 설계 및 동작 시뮬레이션 연구
권오근, 강정원, 이규영 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 8 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2018, 제 8권 제 6호 88 939-946 (8 pages)
수직 기둥 모양의 핀(Pin) 전극은 소스(Source) 전극으로 고려될 수 있으며, 상판에 펼쳐있는 그래핀은 드레인(Drain) 전극으로 고려될 수 있다. 그림 1(b)에서 보이는 것과 같이 상판 의 그래핀에는 양 전압(Positive voltage)이 인가되어 있는 상태에서, 그림1(c)와 같이 소자 하단의 게이트 전극에 음 전압(Negative voltage)이 인가되게 된다. 이때 상판의 그래핀과 기판의 게이트 전극 사이에 정전기력이 증가하게 되고,... 본 논문에서는 그래핀의 우수한 전기적 기계적 특성을 이용하여 정전기 인력에 의하여 휘어지는 그래핀이 수직 팁 게이트에 접촉 여부에 따라서 스위칭이 이루어지도록 조절할 수 있는 3단자 그래핀 NEMS 스위칭 소자에 대하여 연구하였다. 전형적인 MEMS 제작 공정을 이용하여 3단가 그래핀 NEMS 스위칭 소자 제작을 위한 공정을 설계하였고, 그 동작의 핵심 역학은 그래핀에 작용하는 정전 기력과 그래핀 자체의 탄성력에 의하여 스우칭의 기계적인 동작이 설명될 수 있었다. 전기적인 동작에서는 그래핀과 핀 전극 사이의 접촉에 의한... -
리버스옵셋 프린팅을 이용한 디지털 사이니지 디스플레이용 TFT 전극 형성 공정 연구
윤선홍, 이준상, 이승현, 이범주, 신진국, Yoon. Sun Hong, Lee. Junsang, Lee. Seung Hyun, Lee. Bum-Joo, Shin. Jin-Koog 한국정밀공학회 한국정밀공학회지 8 Pages
한국정밀공학회 한국정밀공학회지 2014, Vol.31 No.6 497-504 (8 pages)
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Thermoelectric Seebeck and Peltier effects of single walled carbon nanotube quantum dot nanodevice
H. A. El-Demsisy, M. D. Asham, D. S. Louis, A. H. Phillips 한국탄소학회 Carbon Letters 8 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2017, Vol.21 2 8-15 (8 pages)
tensile strain and induced ac-feld with frequency in the terahertz (THz) range. This device is modeled as a SWCNT quantum dot connected to metallic leads. These two metallic leads operate as a source and a drain. In this three-terminal device, the conducting substance is the gate electrode. Another metallic gate is used to govern the electrostatics and the switch- ing of the carbon nanotube... a source and a drain. In this three-terminal device, the conducting substance is the gate electrode. Another metallic gate is used to govern the electrostatics and the switching of the carbon nanotube channel. The substances at the carbon nanotube quantum dot/ metal contact are controlled by the back gate. Results show that both the Seebeck and Peltier coefficients have random oscillation as a function of gate voltage in the Coulomb blockade regime for all types of SWCNT quantum dots. Also, the... -
Dielectrophoretic Alignment and Pearl Chain Formation of Single-Walled Carbon Nanotubes in Deuterium Oxide Solution
Dong Su Lee, Yung Woo Park 한국탄소학회 Carbon Letters 6 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2012, Vol.13 No.4 9 248-253 (6 pages)
A high on/off ratio of the source-drain current through the feld effect transistor devices using semiconducting SWCNT channels (more than 10 6) has been achieved [5,7,12,13]. Also, SWCNT crossed junction transistors with a very short channel length close to tube diameter have shown fast switching frequency of around 200 GHz [14,15]. Despite the excellent properties of SWCNTs as feld effect...