주제분류
자료유형
등재정보
발행기관
- 대한전자공학회(20)
- 한국전기전자재료학회(10)
- 대한전기학회(5)
- 한국결정성장학회(4)
- 한국재료학회(4)
- 한국전기전자학회(4)
- 한국진공학회(4)
- 한국전자통신연구원(2)
- 한국전자파학회(2)
- 한국센서학회(1)
- 한국정보통신학회(1)
- 한국화학공학회(1)
간행물
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(10)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(7)
- 전기전자재료학회논문지(5)
- 전기전자학회논문지(4)
- 한국결정성장학회지(4)
- 한국재료학회지(4)
- TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS(3)
- 한국진공학회지(3)
- ETRI JOURNAL(2)
- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. C/ C, 전기물성-응용부문(2)
- 전기학회논문지= THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS(2)
- 한국전자파학회논문지(2)
- JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING & TECHNOLOGY(1)
- JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS AND INFORMATION ENGINEERS(1)
- JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA(1)
- KOREAN CHEMICAL ENGINEERING RESEARCH(1)
- THE JOURNAL OF KOREAN VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY(1)
- 센서학회지(1)
- 전기전자재료(1)
- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(1)
- 전자공학회지(1)
- 한국정보통신학회논문지(1)
전체 선택해제
총 58건 검색
본문검색 결과만 보기
-
Strain-free AlGaN/GaN 자외선 센서용 나노선 소자 연구
안재희, 김지현, Ahn. Jaehui, Kim. Jihyun 한국화학공학회 Korean chemical engineering research 4 Pages
한국화학공학회 Korean chemical engineering research 2012, Vol.50 No.1 72-75 (4 pages)
Strain-free AlGaN/GaN 나노선을 기판에 분산시킨 후 E-beam lithography(EBL)를 이용해 단일 나노선 자외선 센서를 제작하였다. 나노선의 구조적, 광학적 특성을 분석하기 위해 focused ion beam(FIB), photoluminescence, micro-Raman spectroscopy를 이용하여 나노선의 strain 및 형태를 조사하였다. 자외선 센서로서의 특성 여부를 확인하기 위하여 빛을 차단 한 조건과 자외선을 조사하는 조건하에서 current-voltage(I-V) 특성을 측정하였으며 각각 9.0 ${mu}S$과 9.5 ${mu}S$의 전기전도도(conductance)를 얻었다. 자외선 조사... -
사파이어 기판 위에 성장된 AlGaN 에피층의 광 흡수 특성
김제원, 박영균, 김용태, 최인훈 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1999, Vol.8 No.2 153-157 (5 pages)
-
Composition and interface quality control of AlGaN/GaN heterostructure and their 2DEG transport properties
Kee. Bong, Kim. H.J., Na. H.S., Kwon. S.Y., Lim. S.K., Yoon. Eui-Joon 한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 5 Pages
한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 2000, Vol.4 No.3 81-85 (5 pages)
-
AlGaN/InGaN HEMTs의 고성능 초고주파 전류 특성
이종욱 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2004, Vol.15 No.8 752-758 (7 pages)
특성을 분석하였다. 게이트 전극 길이가 0.5 $mu$m로 제작된 소자는 비교적 평탄한 전류 전달 특성을 나타내었으며 최대 전류 880 mA/mm, 최대 전달정수 156 mS/mm, 그리고 $f_{r}$와 $f_{MAX}$는 각각 17.3 GHz와 28.7 GHz가 측정되었다. 또한 표면 처리되지 않은 AlGaN/InGaN/HEMT의 경우 기존의 AlGaN/GaN HEMT와는 달리 펄스 전류 동작 상태에서 전류 와해 현상(current collapse)이 발생하지 않음이 확인되었다. 이 연구 결과는 InGaN를 채널층으로 사용할 경우 표면에 존재하는 트랩에 의한 전류 와해 현상이 발생하지 않는... -
AlGaN/GaN HEMT의 채널폭 스케일링에 따른 협폭효과
임진홍, 김정진, 심규환, 양전욱, Lim. Jin Hong, Kim. Jeong Jin, Shim. Kyu Hwan, Yang. Jeon Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2013, Vol.17 No.1 71-76 (6 pages)
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 채널폭의 감소에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. AlGaN/GaN 이종접합구조 기반의 기판 위에 채널의 길이는 $1{mu}m$, 채널 폭은 각각 $0.5{sim}9{mu}m$가 되도록 전자선 리소그라피 방법으로 트랜지스터를 제작하였다. 게이트를 형성하지 않은 상태에서 채널의 면저항을 측정한 결과 sub-${mu}m$ 크기로 채널폭이 작아짐에 따라 채널의 면저항이 급격히 증가하였으며, 트랜지스터의 문턱전압은 $1.6{mu}m$와 $9{mu}m$의 채널폭에서 -2.85 V 이었으며... -
Sapphire SiC, Si 기판에 따른 AlGaN/GaN HEMT의 DC 전기적 특성의 시뮬레이션과 분석
김수진, 김동호, 김재무, 최홍구, 한철구, 김태근, Kim. Su-Jin, Kim. Dong-Ho, Kim. Jae-Moo, Choi. Hong-Goo, Hahn. Cheol-Koo, Kim. Tae-Geun 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 7 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2007, Vol.11 No.4 272-278 (7 pages)
및 고온 분야의 반도체 분야에 널리 이용되고 있는 AlGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistor, HEMT) 에 대해 DC (direct current) 특성과 열 특성을 기판을 달리하며 시뮬레이션을 수행하였다. 일반적으로 HEMT 소자의 전자 이동도 및 열전도 특성은 기판의 영향이 그 특성을 크게 좌우한다. 이러한 문제점으로 인해 GaN 기반의 HEMT 소자의 기판에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 따라서, 일반적인 Drift-Diffusion 모델과 열 모델을 이용하여 Si, sapphire, SiC (silicon carbide)으로 각각 기판을... -
${N_2}O$ 플라즈마에 의한 AlGaN/GaN HEMT의 누설전류 감소
양전욱, Yang. Jeon-Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2007, Vol.11 No.4 152-157 (6 pages)
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 20 mTorr의 챔버 압력과 15 sccm의 ${N_2}O$ 유량, 40 W의 RF 전력의 조건으로 원거리에서 형성된 플라즈마로 소스와 드레인 영역을 10초${sim}$120초 동안 처리하여 HEMT의 전기적 특성을 관찰하였다. 상온에서 ${N_2}O$ 플라즈마에 처리한 경우 HEMT의 특성이 변화하지 않았으나 $200^{circ}C$의 온도에서 10초 동안 처리한 경우 게이트 길이가 1um, 소스와 드레인 사이의 거리가 4um인 HEMT의 게이트 누설전류가 246 nA로부터 1.2 pA로 크게 감소하였다.... -
Al의 열산화 방법을 이용한 AlGaN/GaN 구조의 표면 Al2O3 패시베이션 효과
김정진, 안호균, 배성범, 박영락, 임종원, 문재경, 고상춘, 심규환, 양전욱, Kim. Jeong-Jin, Ahn. Ho-Kyun, Bae. Seong-Bum, Pak. Young-Rak, Lim. Jong-Won, Moon. Jae-Kyung, Ko. 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2012, Vol.25 No.11 862-866 (5 pages)
-
누설전류를 줄이기 위한 원형 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
김민기, 임지용, 최영환, 김영실, 석오균, 한민구, Kim. Min-Ki, Lim. Ji-Yong, Choi. Young-Hwan, Kim. Young-Shil, Seok. O-Gyun, Han. Min-Koo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2009, Vol.22 No.9 751-755 (5 pages)
-
AlGaN/GaN 이종접합구조의 표면누설전류에 관한 연구
석오균, 최영환, 임지용, 김영실, 김민기, 한민구, Seok. O-Gyun, Choi. Young-Hwan, Lim. Ji-Yong, Kim. Young-Shil, Kim. Min-Ki, Han. Min-Koo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2009, Vol.22 No.8 654-658 (5 pages)
-
트렌치 구조의 소스와 드레인 구조를 갖는 AlGaN/GaN HEMT의 DC 출력특성 전산모사
정강민, 이영수, 김수진, 김동호, 김재무, 최홍구, 한철구, 김태근, Jung. Kang-Min, Lee. Young-Soo, Kim. Su-Jin, Kim. Dong-Ho, Kim. Jae-Moo, Choi. Hong-Goo, Hahn. Cheol-K 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.10 885-888 (4 pages)
-
AlGaN/GaN HFETs의 기술개발 동향과 응용
김종욱, 이재승, 신진호 한국전기전자재료학회 전기전자재료 8 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2001, Vol.14 No.11 3-10 (8 pages)
-
Optimization of Ohmic Contact Metallization Process for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Wang. Cong, Cho. Sung-Jin, Kim. Nam-Young 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2013, Vol.14 No.1 32-35 (4 pages)
-
The Field Modulation Effect of a Fluoride Plasma Treatment on the Blocking Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Kim. Young-Shil, Seok. O-Gyun, Han. Min-Koo, Ha. Min-Woo 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.4 148-151 (4 pages)
-
Correlation between Physical Defects and Performance in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Devices
Park. Seong-Yong, Lee. Tae-Hun, Kim. Moon-J. 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2010, Vol.11 No.2 49-53 (5 pages)
-
Piezoelectric효과와 열 효과 모델링을 고려한 AlGaN/GaN HFET의 DC 특성
박승욱, 황웅준, 신무환, Park. Seung-Wook, Hwang. Woong-Joon, Shin. Moo-Whan 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.12 769-774 (6 pages)
-
분자선증착법으로 성장된 AlGaN 에피층의 표면 형상 분석
김제원, 최인훈, 박영균, 김용태, Kim. Je-Won, Choe. In-Hun, Park. Yeong-Gyun, Kim. Yong-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.9 878-882 (5 pages)
분자선증착법으로 (0001) 사파이어 기판 위에 $Al_xGa_1-_xN$ 에피층을 AlN 몰비를 변화시키면서 성장시켰다. AlN 몰비는 0.16에서 0.76까지 변화시켰으며 X선의 회절 실험과 Rutherford backscattering spectroscopy 방법을 이용하여 AlN 몰비를 결정하였다. $Al_xGa_1-_xN$ 에피층의 깊이 방향의 조성 변화를 관찰하였으며 스퍼터 시간에 대해 각 원소가 일정한 원자 농도를 가짐을 알 수 있었다. AlN 몰비의 증가에 따른 표면 특성의 변화를 관찰하기 위하여 atomic force microscopy 측정을 수행하였다. 표면에서의 입자 모양이 AlN... -
AlGaN/GaN이중 이종접합구조의 광여기 유도방출 특성
김선태, 문동찬, Kim. Seon-Tae, Mun. Dong-Chan 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.4 445-450 (6 pages)
AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN/GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH)의 고밀도 광여기에 의한 자외선 영역에서의 단면모드 유도방출 특성에 대하여 조사하였다. 실온에서 여기광 밀도 200kW/$cm^{2}$에서 방출된 AlGaN/GaN DH의 유도방출 피크파장과 반치폭은 각각 369nm와 22.4meV이었으며, 80K의 온도에서는 각각 360.1nm와 13.4meV이었다. 고밀도 광여기에 의하여 단면모드 자외영역 유도방출을 얻기에 필요한 입사광 밀도의 임계치는 실온과 80K의...