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Filter Driver 와 NAND FLASH Memory를 이용한 HDD 장치의 성능 개선에 관한 연구
김재경, 김우길, 김영길, Kim. Jae-Kyung, Kim. Woo-Gil, Kim. Young-Kil 한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2011, Vol.15 No.8 1635-1641 (7 pages)
본 논문에서는 NAND FLASH Memory를 HDD 의 Cache 로 사용하기 위해 I/O 용 Filter Driver의 구현을 제시 했으며, 이를 통해 HDD 저장장치의 느린 I/O 성능을 개선하기 위한 방법에 대해 연구했다. 반도체 부품으로서 빠른 I/O 성능을 보이는 NAND FLASH Memory이지만, 비싼 가격 때문에 HDD를 통째로 대체할 수 없음에서 본 개선 방법을 제안했다. 본 연구는 SSD의 빠른 I/O성능과 Filter Driver 의 Cache 관리 성능을 통해서 적은 비용으로 HDD의 높은 Performance를 이루어 냄을 목적으로 한다. -
Program Cache Busy Time Control Method for Reducing Peak Current Consumption of NAND Flash Memory in SSD Applications
Park. Se-Chun, Kim. You-Sung, Cho. Ho-Youb, Choi. Sung-Dae, Yoon. Mi-Sun, Kim. Tae-Yun, Park. Kun-Woo, Park. Jongsun, Kim. Soo-Won 한국전자통신연구원 ETRI journal 4 Pages
한국전자통신연구원 ETRI journal 2014, Vol.36 No.5 876-879 (4 pages)
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NAND Flash Memory 기반 저장장치 기술 동향
방관후, 박상훈, 정의영, Bang. Gwan-Hu, Park. Sang-Hun, Jeong. Ui-Yeong 대한전자공학회 電子工學會誌 10 Pages
대한전자공학회 電子工學會誌 2010, Vol.37 No.3 21-30 (10 pages)
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MLC NAND-형 Flash Memory 내장 자체 테스트에 대한 연구
김진완, 김태환, 장훈, Kim. Jin-Wan, Kim. Tae-Hwan, Chang. Hoon 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 11 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 2014, Vol.51 No.3 61-71 (11 pages)
구분된다. NOR-형은 BIST(Bulit-In Self Test), BIRA(Bulit-In Redundancy Analysis)등의 많은 연구가 진행되었지만 NAND-형의 경우 BIST 연구가 적다. 기존의 BIST의 경우 고가의 ATE 등의 외부 장비를 사용하여 테스트를 진행해야한다. 하지만 본 논문은 MLC NAND-형 플래시 메모리를 위해 제안되었던 MLC NAND March(x)알고리즘과 패턴을 사용하며 내부에 필요한 패턴을 내장하여 외부 장비 없이 패턴 테스트가 가능한 유한상태머신(Finite State Machine) 기반구조의 MLC NAND-형 플래시 메모리를 위한 BIST를 제안하여 시스템의... -
NAND Flash Memory Pattern Test를 위한 PMBIST
김태환, 장훈, Kim. Tae-Hwan, Chang. Hoon 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 11 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 2014, Vol.51 No.1 79-89 (11 pages)
태블릿 PC)로 인하여 고용량과 빠른 속도를 원하는 소비자가 증가하고 있다. 이에 따라 Flash Memory의 수요도 지속적으로 증가하고 있다. Flash Memory는 NAND형과 NOR형으로 구분되어 있다. NAND형 Flash Memory는 NOR형 Flash Memory에 비해 속도는 느리지만 가격이 저렴하다. 그렇기 때문에 NAND형 Flash Memory는 Mobile 시장에서 많이 사용되어지고 있다. 그래서 Flash Memory Test를 위한 Fault 검출은 메우 중요하다. 본 논문에서는 Fault 검출 향상을 위한 NAND형 Flash Memory의 Pattern Test를 위한 PMBIST를 제안한다. -
A New Programming Method to Alleviate the Program Speed Variation in Three-Dimensional Stacked Array NAND Flash Memory
Kim. Yoon, Seo. Joo Yun, Lee. Sang-Ho, Park. Byung-Gook 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 6 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.5 566-571 (6 pages)
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Application-aware Design Parameter Exploration of NAND Flash Memory
Bang. Kwanhu, Kim. Dong-Gun, Park. Sang-Hoon, Chung. Eui-Young, Lee. Hyuk-Jun 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 12 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.4 291-302 (12 pages)
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A High Performance Co-design of 26 nm 64 Gb MLC NAND Flash Memory using the Dedicated NAND Flash Controller
You. Byoung-Sung, Park. Jin-Su, Lee. Sang-Don, Baek. Gwang-Ho, Lee. Jae-Ho, Kim. Min-Su, Kim. Jong-Woo, Chung. Hyun, Jang. Eun-Seong, Kim 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 9 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2011, Vol.11 No.2 121-129 (9 pages)
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Terabit Storage Memory를 위한 3D NAND Flash의 최근 연구 동향
손용훈, 김진환, 유도현, Son. Yong-Hun, Kim. Jin-Hwan, Yu. Do-Hyeon 대한전기학회 전기의 세계 5 Pages
대한전기학회 전기의 세계 2011, Vol.60 No.1 46-50 (5 pages)
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Scaled SONOSFET를 이용한 NAND형 Flash EEPROM
김주연, 김병철, 김선주, 서광열, Kim. Ju-Yeon, Kim. Byeong-Cheol, Kim. Seon-Ju, Seo. Gwang-Yeol 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 7 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2000, Vol.49 No.1 1-7 (7 pages)
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NAND 플래시 메모리 기반 환경에서 LA트리를 이용한 고장회복 기법 연구
한성수 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 10 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2015, 제 5권 제 4호 4 27-36 (10 pages)
차세대 저장장치로 주목 받고 있다. 특히 플래시 메모리는 소형의 모바일 기기용 메모리와 SSD(solid state disk)와 같이 대용량 메모리 등 여러 분야에서 저장장치로 이용하고 있으며, 효율적 활용을 위하여 활발한 연구가 진행되고 있다. 그러나 NAND 플래시메모리 기반의 저장장치는 쓰기 전 소거 구조와 같은 독특한 하드웨어 특징을 가지고 있으며 B트리 인덱스 구조이므로 반복적인 쓰기 요청이 발생 시 성능저하가 야기된다. 이러한 문제를 개선하기 위해 본 논 문에서는 LA트리를 이용한 NAND 플래시 메모리 기반 고장회복개선... -
멀티채널과 멀티웨이 구조의 NAND 플래시 SSD를 위한 효율적인 웨어레벨링 알고리듬
김동호, 황선영, Kim. Dong-Ho, Hwang. Sun-Young 한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스 8 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스 2014, No.0 425-432 (8 pages)
본 논문은 멀티채널과 멀티웨이 구조를 가진 SSD의 구조적 특성을 감안한 웨어레벨링 알고리듬을 제안한다. 제안된 알고리듬은 쓰기 요청이 도착했을 때 DRAM에 저장된 데이터를 논리주소 접근 빈도에 따라 핫 데이터와 콜드 데이터로 나누고, 블록 소거횟수의 편차를 줄이도록 데이터를 할당한다. 콜드 데이터를 소거횟수가 많은 블록에 할당하여 소거횟수 증가를 억제한다. 멀티채널과 멀티웨이 구조의 SSD 시뮬레이터에 다양한 어플리케이션에서 얻어진 트레이스를 적용하여 검증한 결과, 기존의 웨어레벨링 알고리듬을 사용하는... -
NAND 플래시 메모리에서 쓰기/지우기 연산을 줄이기위한 버퍼 관리 시스템
정보성, 이정훈, Jung. Bo-Sung, Lee. Jung-Hoon 한국컴퓨터정보학회 韓國컴퓨터情報學會論文誌 10 Pages
한국컴퓨터정보학회 韓國컴퓨터情報學會論文誌 2011, Vol.16 No.10 1-10 (10 pages)
페칭 크기를 가지는 공간적 버퍼와 작은 페칭 크기를 가지는 시간적 버퍼인 완전연관 버퍼로 구성된다. 시간적 버퍼는 공간적 버퍼에서 참조된작은 페칭을 가지며, NAND 플래시 메모리에서 쓰기 및 지우기 수행시 시간적 버퍼내에 존재하는 같은 페이지 혹은 블록에 포함된 페칭 블록을 찾아 동시에 처리한다. 따라서 NAND 플래시 메모리에서 쓰기 및 지우기 동작을 획기적으로 줄였다. 시뮬레이션 결과에 따르면 제안된 NAND 플래시 메모리 버퍼 시스템은 2배 크기의 완전연관 버퍼에 비해 접근 실패율 관점에서는 높았지만, 쓰기 동작과... -
NAND 플래시 메모리용 파일 시스템 계층에서 프로그램의 페이지 참조 패턴을 고려한 캐싱 및 선반입 정책
박상오, 김경산, 김성조, Park. Sang-Oh, Kim. Kyung-San, Kim. Sung-Jo 한국정보처리학회 정보처리학회논문지. The KIPS transactions. Part A. Part A 10 Pages
한국정보처리학회 정보처리학회논문지. The KIPS transactions. Part A. Part A 2007, No.0 235-244 (10 pages)
본 논문에서는 프로그램의 페이지 참조 패턴을 고려하지 않은 리눅스 커널의 캐싱 및 선반입 정책을 개선하고자 NAND 플래시 메모리용 파일시스템 계층에서 동작하는 Flash Cache Core Module(FCCM)을 YAFFS 상에서 설계 및 구현하였다. FCCM은 커널의 안정성과 호환성을 지원하기위해 커널과 독립적인 구조를 가지며, 플래시 메모리의 특성을 고려한 Dirty-Last 메모리 교체 기법과 페이지의 히트 여부에 따른 선반입 페이지 대기큐를 구현하였다. FCCM은 리눅스의 캐시 및 선반입 정책과 비교해 I/O 횟수와 요구되는 선반입양이 각각... -
임베디드 시스템을 위한 신뢰성 있는 NAND 플래시 파일 시스템의 설계
이태훈, 박송화, 김태훈, 이상기, 이주경, 정기동, Lee. Tae-hoon, Park. Song-hwa, Kim. Tae-hoon, Lee. Sang-gi, Lee. Joo-Kyong, Chung. Ki-Dong 한국정보처리학회 정보처리학회논문지. The KIPS transactions. Part A. Part A 12 Pages
한국정보처리학회 정보처리학회논문지. The KIPS transactions. Part A. Part A 2005, No.0 571-582 (12 pages)
NAND 플래시 메모리는 저전력 소비, 비휘발성, 읽기 속도의 항상 등의 장점이 있다. 그러나 제자리 덮어쓰기(in-place-update)가 불가능하고 지우는 횟수에 제한이 있으며 페이지 단위로 연산이 수행되는 단점이 있다. 이러한 NAND 플래시 메모리를 위한 전용 파일 시스템으로 YAFFS가 개발되었지만 여러 가지 문제점이 존재한다. 본 논문에서는 빠른 복구를 위한 기법, 효율적인 데이터 갱신 기법 그리고 균등한 메모리 사용을 위한 플레인 지움 정책을 사용하는 파일 시스템을 제안한다 전원 오류 발생시, 로그 정보를 사용하여 빠른... -
페이지 비율 분석 기반의 NAND 플래시 메모리를 위한 가비지 컬렉션 기법
이승환, 옥동석, 윤창배, 이태훈, 정기동, Lee. Seung-Hwan, Ok. Dong-Seok, Yoon. Chang-Bae, Lee. Tae-Hoon, Chung. Ki-Dong 한국정보과학회 정보과학회논문지. Journal of KIISE. 컴퓨팅의 실제 및 레터 9 Pages
한국정보과학회 정보과학회논문지. Journal of KIISE. 컴퓨팅의 실제 및 레터 2009, Vol.15 No.9 617-625 (9 pages)
빠르고 집적도가 높아 최근 임베디드 기기들에 널리 사용되고 있다. 그러나 NAND 플래시 메모리는 지움 연산을 수반하는 가비지 컬렉션 연산을 수행해야 한다. 게다가 지움 연산은 속도가 느리고, 각 블록마다 지움 연산 횟수가 제한이 있다. 따라서 제안하는 가비지 컬렉션 기법은 전체 지움 연산 횟수와 각 블록의 지움 횟수 편차를 감소시키고, 가비지 컬렉션 수행 시간을 최소화하는데 초점을 맞춘다. NAND 플래시 메모리는 유효 페이지, 무효 페이지, 빈 페이지로 구성되어 있다. 제안하는 기법은 페이지들의 비율을 이용해 가비지...
