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결함밀도가 낮은 Gallium Nitride Epitaxy 막 제조
한국결정학회 한국결정학회지 1998, Vol.9 No.2 131-137 (7 pages)
GaN buffer 층은 반응원료인 trimethyl gallium(TMG)과 NH3 가스를 교호식펄스공급(alternating pulsative supply, APS)방법에 의해 만들었다. AlN buffer/6H-SiC 위에 초기단계에 형성되는 GaN 섬은 APS처리에 의해 크기가 커지는 것을 AFM(atomic force microscope)으로 관찰하였다. Buffer 층의 역할은 그 위에 성막시킨 GaN epitaxy 막의 결정성과 결함밀도에 의해 조사하였다. 성막된 GaN의 결정구조와 결정성은 DCXRD(double crystal X-ray diffractormeter)에 의해 측정되었다. 결정결함은 EPD(etching pit density)를 측정하는... -
(1210) Gallium Nitride 단결정 박막의 결정구조 및 광학적 특성
황진수, 정필조, Hwang. Jin Soo, Chong. Paul Joe 한국결정학회 한국결정학회지 5 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1997, Vol.8 No.1 33-37 (5 pages)
(1012)면 사파이어 기판위에서 성장되는 (12f10)면 GaN 이종적층막의 광학적 특성을 연구하였다. GaN 이종적층막은 $Ga/HC1/NH_3/He$계를 사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 $990^{circ}C$의 온도에서 성장시켰다. 이종적층막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 확인하였다. 결정구조가 확인된 (1210)면 GaN 단결정막의 광학적 특성은 PL과 Ra-man으로 관찰하였다. Raman 측정은 광학적포논에 기인된 활성모드를 결정축에 대하여 레이저빔의 편광과 진행방향에 의해 변화하는 것을 관찰하였다. Y(Z, Y &... -
Synthesis and Characterization of Gallium Nitride Powders and Nanowires Using Ga(S2CNR2)3(R = CH3, C2H5) Complexes as New Precursors
Jung. Woo-Sik, Ra. Choon-Sup, Min. Bong-Ki 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 5 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2005, Vol.26 No.1 131-135 (5 pages)
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(0001), (10${ar{1}}$2)와 (11${ar{2}}$0) Sapphire 기판에서 Gallium Nitribe 단결정 박막의 성장
황진수, 알렉산 한국결정학회 한국결정학회지 9 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1994, Vol.5 No.1 24-32 (9 pages)
(0001),(1012) 및 (1120)면 sapphire 기판위에 성장되는 (0001), (1120) 및 (1011)면 GaN epitaxy 박막을 Ga/HCI/NH3/He 계를 사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 성장시키는 연구를 수행하였다. 박막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 분석하였으며, 성장된 막의 화학적 조성은 XPS로 관찰되었다. (1120) sapphire위에는 각각 (0001)과 (1120) GaN epitaxy 박막의 두가지 배향관계가 관찰되었다. (0001)면 GaN epitaxy 박막은 (0001)과 (1120)면 sapphire 기판위에서 1050℃ 의 고온으로 성장시킬 때... -
GaN HEMT Die를 이용한 Ku-대역 전력 증폭기 설계 및 제작
김상훈, 김보기, 최진주, 정병구, 태현식, Kim. Sang-Hoon, Kim. Bo-Ki, Choi. Jin-Joo, Jeong. Byeoung-Koo, Tae. Hyun-Sik 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.6 646-652 (7 pages)
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 Ku-대역 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. 저비용으로 Ku-대역 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고가의 알루미나 회로 기판 제작 대신 PCB(Printed Circuit Board)를 이용하여 입/출력단 정합 회로를 이용하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 14.8 GHz에서 42.6 dBm의 출력 전력, 37.7 % 드레인 효율 그리고 7.9 dB의 선형 이득을 얻었다. CW(Continuous Wave) 실험 결과로는 39.8 dBm의 출력 전력, 24.1... -
내부 고조파 조정 회로로 구성되는 고효율 370 W GaN HEMT 소형 전력 증폭기
최명석, 윤태산, 강부기, 조삼열, Choi. Myung-Seok, Yoon. Tae-San, Kang. Bu-Gi, Cho. Samuel 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 10 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.11 1064-1073 (10 pages)
본 논문에서는 내부 고조파 조정 회로로 구성되는 셀룰러와 L-대역용 소형의 고효율 370 W GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소형 전력 증폭기(PA)를 구현하였다. 원천 및 2차 고조파 주파수에서 동시에 높은 효율을 내기 위해 새로운 회로 정합 형태를 적용했다. 소형화를 위하여 새로운 41.8 mm GaN HEMT와 2개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터를 구성 물질의 변화를 이용하여 열 저항을 개선한 $10.16{ imes}10.16{ imes}1.5Tmm^3$ 크기의 새로운 패키지에 와이어 본딩으로 결합하였다.... -
GaN HEMT를 이용한 스위칭 모드 전력증폭기 설계 및 전력증폭기의 Ruggedness 특성 분석
최길웅, 이복형, 김형주, 김상훈, 최진주, 김동환, 김선주, Choi. Gil-Wong, Lee. Bok-Hyoung, Kim. Hyoung-Joo, Kim. Sang-Hoon, Choi. Jin-Joo, Kim. Dong-Hwan, Kim. Seon 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.4 394-402 (9 pages)
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 이용한 S대역 레이더용 전력증폭기 설계하고 제작된 스위칭 모드 전력증폭기의 ruggedness 시험에 관련된 내용을 기술하였다. 고효율 특성을 위해 전력증폭기를 Class-F로 설계하였으며, 측정을 위한 입력 신호는 $100{mu}s$의 pulse width 및 10 %의 duty cycle인 pulse 신호를 사용하였다. 제작된 Class-F 전력증폭기의 중심 주파수에서 측정한 결과, 8.7 dB의 전력 이득과 42 dBm의 출력 전력, 54.2 %의 전력 부가 효율(PAE) 및 62.6 %의 드레인 효율이... -
GaN HEMT Based High Power and High Efficiency Doherty Amplifiers with Digital Pre-Distortion Correction for WiBro Applications
Park. Jun-Chul, Kim. Dong-Su, Yoo. Chan-Sei, Lee. Woo-Sung, Yook. Jong-Gwan, Chun. Sang-Hyun, Kim. Jong-Heon, Hahn. Cheol-Koo 한국전자파학회 Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 11 Pages
한국전자파학회 Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 2011, Vol.11 No.1 16-26 (11 pages)
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Evaluation of GaN Transistors Having Two Different Gate-Lengths for Class-S PA Design
Park. Jun-Chul, Yoo. Chan-Sei, Kim. Dongsu, Lee. Woo-Sung, Yook. Jong-Gwan 한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 9 Pages
한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 2014, Vol.14 No.3 284-292 (9 pages)
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Highly Linear 2-Stage Doherty Power Amplifier Using GaN MMIC
Jee. Seunghoon, Lee. Juyeon, Kim. Seokhyeon, Park. Yunsik, Kim. Bumman 한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 6 Pages
한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 2014, Vol.14 No.4 399-404 (6 pages)
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GaN를 이용한 광전기화학적 물분해
오일환, Oh. Ilwhan 한국전기화학회 전기화학회지 6 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2014, Vol.17 No.1 1-6 (6 pages)
본 총설은 질화 갈륨(GaN)을 이용한 광전기화학적 물분해 연구에 대해 정리하였다. GaN는 화학적으로 안정하고 에너지 띠간격 조절이 자유롭다는 장점으로 최근 물분해를 위한 새로운 광전극 물질로 연구되고 있다. 다른 화합물 반도체 물질은 강산 혹은 강염기 전해액에 의해 쉽게 부식되기 때문에 광산화전극(photoanode)으로는 사용이 어려운 반면, n형 GaN는 뛰어난 안정성 덕분에 산화 분위기의 산소 발생 전극으로도 활용이 가능하다. 또한, 최근에는 p형 GaN을 환원전극으로 이용한 광전극에 대한 연구도 보고되었다. GaN 물질이... -
The Field Modulation Effect of a Fluoride Plasma Treatment on the Blocking Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Kim. Young-Shil, Seok. O-Gyun, Han. Min-Koo, Ha. Min-Woo 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.4 148-151 (4 pages)
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유기금속기상증착법에 의한 InGaN/GaN 양자점 구조의 성장거동
정우광, 장재민, 최승규, 김진열, Jung. Woo-Gwang, Jang. Jae-Min, Choi. Seung-Kyu, Kim. Jin-Yeol 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2008, Vol.18 No.10 535-541 (7 pages)
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LED 공정스크랩으로부터 Ga 회수를 위한 침출 거동 연구
박경수, 강이승, 이찬기, 엄성현, 홍현선, 심종길, 박정진, Park. Kyung-Soo, Kang. Lee Seung, Lee. Chan Gi, Uhm. Sunghyun, Hong. Hyun Seon, Shim. Jong-Gil, Park. Jeun 한국공업화학회 공업화학 4 Pages
한국공업화학회 공업화학 2014, Vol.25 No.4 414-417 (4 pages)
습식제련 기술을 통한 Ga의 재활용을 위해 고결정성 GaN으로 구성되어 있는 LED 공정스크랩의 침출 거동을 연구하였다. 고결정성 GaN은 산성 및 염기성 조건에서 매우 안정하여 침출이 어려운 물질로 알려져 있다. 따라서, 본 연구에서는 볼밀링을 통해 원료와 $Na_2CO_3$를 1:1 비율로 섞은 후 관상로를 이용해 $1000-1200^{circ}C$에서 열처리 하여 산화물로의 상변화를 유도하였다. 열처리 결과로써, $1100^{circ}C$에서 GaN은 약 73 wt%의 Ga을 포함하는 산화물로 상변화 되었다. 이러한 열처리 샘플은 $100^{circ}C$ 4 M HCl에서... -
Characterization of GaN thick layer grown by the HVPE: Comparison of horizontal with vertical growth
Lai. Van Thi Ha, Jung. Jin-Huyn, Oh. Dong-Keun, Choi. Bong-Geun, Eun. Jong-Won, Lim. Jee-Hun, Park. Ji-Eun, Lee. Seong-Kuk, Yi. Sung, Shi 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2008, Vol.18 No.3 101-104 (4 pages)
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X-대역 GaN HEMT Bare-Chip 펄스-전압 펄스-RF 수동 로드-풀 측정
신석우, 김형종, 최길웅, 최진주, 임병옥, 이복형, Shin. Suk-Woo, Kim. Hyoung-Jong, Choi. Gil-Wong, Choi. Jin-Joo, Lim. Byeong-Ok, Lee. Bok-Hyung 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 7 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2011, Vol.10 No.1 42-48 (7 pages)
(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) bare-chip을 이용하여 X-대역에서 수동로드 풀(Passive load-pull)을 수행하였다. 열로 인한 특성 변화가 최소화 된 동작 조건을 얻기 위해 드레인 바이어스 전압과 입력 RF 신호를 펄스로 인가하였다. 전자기장 시뮬레이션과 회로 시뮬레이션을 병행하여, 와이어 본딩 효과를 고려하여 드레인 경계면에서의 정확한 임피던스 정합 회로를 구현하였다. 임피던스를 변화시키기 위해 마이크로스트립 라인 스터브의 길이가 조절 가능한 회로를 설계하였다. 펄스 로드 풀 실험 결과 8.5... -
GaN HEMT를 이용한 광대역 고효율 Class-J 모드 전력증폭기 설계
김재덕, 김형종, 신석우, 김상훈, 김보기, 최진주, 김선주, Kim. Jae-Duk, Kim. Hyoung-Jong, Shin. Suk-Woo, Kim. Sang-Hoon, Kim. Bo-Ki, Choi. Jin-Joo, Kim. Sun-Joo 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 8 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2011, Vol.10 No.5 71-78 (8 pages)
본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 $40{pm}1$ dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다. -
GaN HEMT를 이용한 고효율 스위칭 모드 도허티 전력증폭기 설계
최길웅, 김형종, 최진주, 김선주, Choi. Gil-Wong, Kim. Hyoung-Jong, Choi. Jin-Joo, Kim. Seon-Joo 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 8 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2010, Vol.9 No.5 72-79 (8 pages)
Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-E 스위칭 모드를 적용한 S-대역 레이더용 고효율 스위칭 도허티 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 도허티 전력증폭기는 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기가 고효율 특성을 갖는 Class-E 스위칭 모드로 구성되었다. 측정을 위한 입력 RF 신호는 $100;{mu}s$의 펄스폭과 1 kHz의 PRF (Pulse Repetition Frequency)인 duty 10%인 펄스 신호를 사용하였다. 2.85 GHz의 주파수 대역에서 스위칭 도허티 전력증폭기 측정결과 포화전력에서 6 dB 떨어진 지점의 전력부가... -
Si MOSFET과 GaN FET Power System 성능 비교 평가
안정훈, 이병국, 김종수, Ahn. Jung-Hoon, Lee. Byoung-Kuk, Kim. Jong-Soo 전력전자학회 전력전자학회 논문지 7 Pages
전력전자학회 전력전자학회 논문지 2014, Vol.19 No.3 283-289 (7 pages)
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MOCVD of GaN Films on Si Substrates Using a New Single Precursor
Song. Seon-Mi, Lee. Sun-Sook, Yu. Seung-Ho, Chung. Taek-Mo, Kim. Chang-Gyoun, Lee. Soon-Bo, Kim. Yun-Soo 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 4 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2003, Vol.24 No.7 953-956 (4 pages)
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팔각 핑거 타입 전극패턴을 이용한 대면적 수평형 GaN LED의 전기적/광학적 특성 분석
양지원, 김동호, 김태근, Yang. Ji-Won, Kim. Dong-Ho, Kim. Tae-Geun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.3 12-17 (6 pages)
GaN (Gallium Nitride) LED (Light-emitting diode) 전극패턴이 갖는 전류의 집중현상 및 소자 내 발열문제를 최소화하고 전기적 광학적 특성의 향상을 위하여 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 제안하였고, 범용적으로 사용되는 기본 전극패턴 및 그를 대칭적으로 개량한 전극패턴과의 특성을 비교 분석하였다. 상용 3차원 시뮬레이터 SpecLED/RATRO를 통한 시뮬레이션 결과, 본 연구에서 제안한 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 갖는 LED 소자가 동일한 350 mA의 전류주입 하에서의 동작전압이 약 0.34 V 정도 감소되는 전기적 특성의 향상을...