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Capacitively Coupled Plasma Source를 이용한 Etcher의 상부 전극 온도 변화에 따른 Etch 특성 변화 개선
신한수, 노용한, 이내응, Shin. Han-Soo, Roh. Yong-Han, Lee. Nae-Eung 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.5 322-326 (5 pages)
가 직접 인가되는 capacitively coupled plasma source를 이용한 oxide layer etching 공정은 현재 반도체 제조 공정에서 매우 유용하게 사용되고 있는 방식이다. 그러나 디바이스의 사이즈가 점점 작아지면서 공정을 진행하기 위한 RF power도 커지고, plasma ignition 되는 electrode 사이의 간격도 점점 좁아지는 기술적 변화가 이루어지고 있다. 이러한 H/W의 변화에 따라 예상치 못한 문제들로 공정을 적용하는데 많은 문제점이 발생하고 있는데, 공정 진행 시에 plasma의 영향으로 인한 electrode의 온도 변화도 그 중 하나이다.... -
Plasma Etch Damage가 (100) SOI에 미치는 영향의 C-V 특성 분석
조영득, 김지홍, 조대형, 문병무, 조원주, 정홍배, 구상모, Jo. Yeong-Deuk, Kim. Ji-Hong, Cho. Dae-Hyung, Moon. Byung-Moo, Cho. Won-Ju, Chung. Hong-Bay, Koo. Sang-Mo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.8 711-714 (4 pages)
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The Use of Inductively Coupled CF4/Ar Plasma to Improve the Etch Rate of ZrO2 Thin Films
Kim. Han-Soo, Woo. Jong-Chang, Joo. Young-Hee, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2013, Vol.14 No.1 12-15 (4 pages)
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Etch Properties of HfO2 Thin Films using CH4/Ar Inductively Coupled Plasma
Woo. Jong-Chang, Kim. Gwan-Ha, Kim. Dong-Pyo, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2007, Vol.8 No.6 229-233 (5 pages)
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Etch Rate Dependence of Differently Doped Poly-Si Films on the Plasma Parameters
박성호, 김윤태, 김진섭, 김보우, 마동성, Park. Sung-Ho, Kim. Youn-Tae, Kim. Jin-Sup, Kim. Bo-Woo, Ma. Dong-Sung 대한전자공학회 전자공학회논문지 8 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1988, Vol.25 No.11 1342-1349 (8 pages)
플리즈마 변수로서 가스조성과 압력 및 RF 전력이 인 및 붕소가 각각 다른 양으로 주입된 다결정 실리콘의 식각율 변화에 미치는 영향을 고찰하였다. $POCl_3$에 의해 인이 주입된 경우, 염소조성보다 불소조성이 많은 영역, 즉 $Cl_2$와 $SF_4$의 비가 17대 33일 때, 가장 큰 비등방성과 가장 작은 선폭손실을 달성하였다. 플라즈마 조건에 관계없이 주입된 불순물 농도의 증가에 다라, 인이 주입된 경우는 식각율이 증가하였고, 붕소가 주입된 경우는 식각율이 반대로 감소하였다. 또한, 급속 열처리에 의한 활성화 시간의 함수로서... -
Real-time In-situ Plasma Etch Process Monitoring for Sensor Based-Advanced Process Control
Ahn. Jong-Hwan, Gu. Ja-Myong, Han. Seung-Soo, Hong. Sang-Jeen 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 5 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2011, Vol.11 No.1 1-5 (5 pages)
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Investigation on Suppression of Nickel-Silicide Formation By Fluorocarbon Reactive Ion Etch (RIE) and Plasma-Enhanced Deposition
Kim. Hyun Woo, Sun. Min-Chul, Lee. Jung Han, Park. Byung-Gook 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 6 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.1 22-27 (6 pages)
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Enhanced-Inductively Coupled Plasma (E-ICP)를 이용한 Silylated photoresist 식각공정개발
조수범, 김진우, 정재성, 오범환, 박세근, 이종근 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.3 227-232 (6 pages)
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Dry Etching Properties of HfAlO3 Thin Film with Addition O2 gas Using a High Density Plasma
Woo. Jong-Chang, Lee. Yong-Bong, Kim. Jeong-Ho 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 6 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2014, Vol.15 No.3 164-169 (6 pages)
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The Dry Etching Properties on TiN Thin Film Using an N2/BCl3/Ar Inductively Coupled Plasma
Woo. Jong-Chang, Joo. Young-Hee, Park. Jung-Soo, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.4 144-147 (4 pages)
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Dry Etching Characteristics of Zinc Oxide Thin Films in Cl2-Based Plasma
Woo. Jong-Chang, Ha. Tae-Kyung, Li. Chen, Kim. Seung-Han, Park. Jung-Soo, Heo. Kyung-Mu, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.2 60-63 (4 pages)
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Etching Characteristics of HfAlO3 Thin Films Using an Cl2/BCl3/Ar Inductively Coupled Plasma
Ha. Tae-Kyung, Woo. Jong-Chang, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2010, Vol.11 No.4 166-169 (4 pages)
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Dry Etching of Al2O3 Thin Films in O2/BCl3/Ar Inductively Coupled Plasma
Yang. Xeng, Woo. Jong-Chang, Um. Doo-Seung, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2010, Vol.11 No.5 202-205 (4 pages)
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Molecular Association of Glucose Transporter in the Plasma Membrane of Rat Adipocyte
Hah, Jong-Sik 대한생리학회 대한생리학회지 10 Pages
대한생리학회 대한생리학회지 1991, 제 25권 제 2호 2 115-124 (10 pages)
Molecular association of glucose transporters with the other proteins in the plasma membrane was assessed by gel electrophoresis and immunoblot techniques. Approximately 31.5±5.1% of GLUT-4, 64.8±2.7% of clathrin, 48.7% of total protein in the plasma membrane (PM) were found insoluble upon extraction with 1% Tx-100. Sodium dodecyl sulfate polyacrylamide gel electrophoresis revealed that the Tx-100 insoluble PM fraction contained about 4 major polypeptides with apparent molecular weight of... -
TiN Ion-Plating이 교정용 브라켓의 접착강도에 미치는 영향
김석용(Seok-Yong KIM), 권오원(Oh-Won KWON), 김교환(Kyo-Han KIM) 대한치과교정학회 The Korean Journal of Orthodontics 15 Pages
대한치과교정학회 The Korean Journal of Orthodontics 1997, 제 27권 제 1호 13 157-171 (15 pages)
TiN ion-plating이 교정용 브라켓의 접착강도에 미치는 영향을 알아보기 위하여 세 종류의 서로 다른 기저면형태를 가지는 스테인레스 스틸제의 브라켓을 선택하고, TiN ion-plating 된 브라켓과 ion-plating 되지 않은 브라켓을 치아에 접착시켰을 때 초기 및 장기 접착강도, 접착계면의 주사전자현미경 관찰, 파단면의 주사전자 현미경과 관찰을 비교 분석하여 다음과 같은 결론을 얻었다. • TiN ion-plating을 하지 않은 경우 24시간 후의 접착강도는 Micro-Loc 형이 5.89±1.77 MPa, Foil Mesh 4.27±1.12 MPa,... -
Resistance to Turnip Mosaic Virus in the Family Brassicaceae
Peter Palukaitis, Su Kim 한국식물병리학회 The Plant Pathology Journal 23 Pages
한국식물병리학회 The Plant Pathology Journal 2021, 37권 1호 1 1-23 (23 pages)
Resistance to diseases caused by turnip mosaic virus (TuMV) in crop species of the family Brassicaceae has been studied extensively, especially in members of the genus Brassica. The variation in response observed on resistant and susceptible plants inoculated with different isolates of TuMV is due to a combination of the variation in the plant resistome and the variation in the virus genome. Here, we review the breadth of this variation, both at the level of variation in TuMV sequences, with one... -
The Plant Cellular Systems for Plant Virus Movement
한국식물병리학회 The Plant Pathology Journal 16 Pages
한국식물병리학회 The Plant Pathology Journal 2017, 33권 3호 1 213-228 (16 pages)
Plasmodesmata (PDs) are specialized intercellular channels that facilitate the exchange of various molecules, including sugars, ribonucleoprotein complexes, transcription factors, and mRNA. Their diameters, estimated to be 2.5 nm in the neck region, are too small to transfer viruses or viral genomes. Tobacco mosaic virus and Potexviruses are the most extensively studied viruses. In viruses, the movement protein (MP) is responsible for the PD gating that allows the intercellular movement of viral... -
그림책을 활용한 협동놀이치료 프로그램 효과
곽은정(Eun-Jung Kwak), 박상희(Sang-hee Park) 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 8 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2018, 제 8권 제 10호 34 361-368 (8 pages)
본 연구에서는 그림책을 활용한 협동놀이치료 프로그램이 의사소통능력 및 친사회적행동에 어떠한 효과가 있는지를 살펴보고자 실시하였다. 연구대상 A는 5세(남), B는 6세(남), C는 7세(남)로 협동놀이 참여가 안되고 또래관계에서 언어적, 사회적 상호작용이 결여되어 본 센터로 내방한 사례이다. 연구 문제는 그림책을 활용한 협동놀이치료 프로그램이 의사소통능력과 친사회적 행동에 효과가 있는가를 알아보고자 실시하였다. 연구도구로는 첫째, 의사소통능력을 측정하기 위해 엄은나(2006)가 사용한 검사 도구를 교사평정 질문지로... -
PFCs 처리를위한 열플라즈마 공정
박동화, 손홍선 한국열환경공학회 열환경공학 10 Pages
한국열환경공학회 열환경공학 2009, 제 6권 1호 9 89-98 (10 pages)
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Superhydrophobic carbon-based materials: a review of synthesis, structure, and applications
Long-Yue Meng, Soo-Jin Park 한국탄소학회 Carbon Letters 16 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2014, Vol.15 No.2 5 89-104 (16 pages)
Materials with appropriate surface roughness and low surface energy can form superhydrophobic surfaces, displaying water contact angles greater than 150°. Superhydrophobic carbon-based materials are particularly interesting due to their exceptional physicochemical properties. This review discusses the various techniques used to produce superhydrophobic carbon-based materials such as carbon fibers, carbon nanotubes, graphene, amorphous carbons, etc. Recent advances in emerging fields such as... -
CH4 플라즈마에 따른 TiN 박막 표면의 식각특성 연구
우종창, 엄두승, 김관하, 김동표, 김창일, Woo. Jong-Chang, Um. Doo-Seung, Kim. Gwan-Ha, Kim. Dong-Pyo, Kim. Chang-Il 한국표면공학회 한국표면공학회지 5 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2008, Vol.41 No.5 189-193 (5 pages)
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광방출 분석법을 이용한 산화물 식각 장비의 세정 주기 최적화
손길수, 노용한, 염근영, 김수홍, 김명운, 조형철, Son. Gil-Su, Roh. Yong-Han, Yeom. Geun-Young, Kim. Su-Hong, Kim. Myoung-Woon, Cho. Hyung-Chul 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.6 416-421 (6 pages)
이 논문에서 광방출 분석법을 응용하여 반응용기 내부 오염과 특정 파장 크기변화의 관계를 알아보았다. 광방출 분석법을 이용하면 $O_2$ 플라즈마에서 폴리머가 제거되는 것이 관찰된다. 하지만 광방출 분석법은 외부영향에 의한 노이즈로 분석이 힘들며 다양한 조건에서의 폴리머 제거 상태를 비교하는 건 쉽지 않다. 이를 해결하고자 diff_CO 함수를 정의하고, 여러 경우에서의 diff_CO 함수 변화를 확인하였다. diff_CO 함수는 RF 인가시간이 증가함에 따라 최대값의 크기 감소와 작은 꼭지점 개수의 증가를 관찰할 수 있으며, 이를... -
Model-Based Analysis of the $ZrO_2$ Etching Mechanism in Inductively Coupled $BCl_3$/Ar and $BCl_3/CHF_3$/Ar Plasmas
Kim. Man-Su, Min. Nam-Ki, Yun. Sun-Jin, Lee. Hyun-Woo, Efremov. Alexander M., Kwon. Kwang-Ho 한국전자통신연구원 ETRI journal 11 Pages
한국전자통신연구원 ETRI journal 2008, Vol.30 No.3 383-393 (11 pages)
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BCl3/Ar 유도결합 플라즈마 안에 CH4 가스 첨가에 따른 건식 식각된 TaN 박막 표면의 연구
우종창, 최창억, 양우석, 주영희, 강필승, 전윤수, 김창일, Woo. Jong-Chang, Choi. Chang-Auck, Yang. Woo-Seok, Joo. Young-Hee, Kang. Pil-Seung, Chun. Yoon-Soo, Kim. C 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2013, Vol.26 No.5 335-340 (6 pages)
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레이저빔에 의한 PDP 격벽 재료의 식각
안민영, 이경철, 이홍규, 이천, 이상돈 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.6 526-532 (7 pages)
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유도결합형 플라즈마원을 이용한 고선택비 산화막 식각에 관한 연구
이수부, 박헌건, 이석현 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.4 261-266 (6 pages)
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$BCl_3$/Ar 플라즈마에 $Cl_2$ 가스 첨가에 따른 TiN 박막의 식각 특성
엄두승, 우종창, 김동표, 김창일, Um. Doo-Seung, Woo. Jong-Chang, Kim. Dong-Pyo, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2008, Vol.21 No.12 1051-1056 (6 pages)
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Damage on the Surface of Zinc Oxide Thin Films Etched in Cl-based Gas Chemistry
Woo. Jong-Chang, Ha. Tae-Kyung, Li. Chen, Kim. Seung-Han, Park. Jung-Soo, Heo. Kyung-Mu, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.2 51-55 (5 pages)
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Characteristics of Double-junction of High-$ extrm{T}_{c}$ Superconducting $ extrm{YBa}_{2} extrm{Cu}_{3} extrm{O}_{7-x}$ Step-edge Junctions
황준식, 성건용, 강광용, 윤순길, 이광렬, Hwang. Jun-Sik, Seong. Geon-Yong, Gang. Gwang-Yong, Yun. Sun-Gil, Lee. Gwang-Ryeol 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.1 86-91 (6 pages)
이용한 계단형 모서리 임계접합을 제조하였다. STO (100) 단결정 기판위에 계단형 모서리(step-edge)를 제작하기 위한 이온밀링 마스크로 plasma enhanced chemical vapor deposition방법으로 증착된 diamond-like carbon (DLC) 박막을 사용하였고, oxygen reactive ion etch 방법으로 건식식각하였다. 이렇게 제작된 계단형 모서리 기판위에 c-축 수직한 YBCO 박막과 STO박막을 pulsed laser deposition방법으로 에피텍셜하게 증착하였다. 계단의 상층과 하층에서 모두 임계가 형성되었으며 이 접합의 임계온도는 77 K 이상이었고... -
광도파로 제작을 위한 단결정 LiNbO3 건식 식각 특성
박우정, 양우석, 이한영, 윤대호, Park. Woo-Jung, Yang. Woo-Seok, Lee. Han-Young, Yoon. Dae-Ho 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2005, Vol.42 No.4 232-236 (5 pages)
$LiNbO_{3}$ optical waveguide 구조를 neutral loop discharge plasma 방법으로 식각시 As과 $C\_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량에 따른 식각속도와 표면조도 값의 특성을 관찰하였다. 식각 후 식각속도와 식각단면은 scanning electron microscopy로 비교 분석하였으며, 표면조도는 atomic force microscopy로 측정하였다. Ar과 $C_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량비를 각각 0.1-0.5로 증가시킴에 따라 식각속도와 표면조도는 0.2에서 가장 높게 나타났으며, bias power를 증가함에 따라 300W에서 가장 우수한 식각속도와 가장 평탄한 표면... -
HDP를 이용한 실리콘 단결정 Deep Dry Etching에 관한 특성
박우정, 김장현, 김용탁, 백형기, 서수정, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.6 570-575 (6 pages)
저가격화의 장점을 가진 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) device의 개발에 주력하고 있으며, 이를 위해서는 고종횡비와 높은 식각 속도를 가진 HDP(High Density Plasma) etching 기술 개발이 필수적이라 할 수 있다. 이를 위하여 우리는 Inductively Coupled Plasma(ICP) 장비를 이용하여 각 공정 변수에 의한 실리콘 deep trench식각 반응을 연구하였다. 실험 공정 변수인 platen power, etch/passivation cycle time에서 etching 단계 시간에 따른 변화와 SF$_{6}$:C$_4$F$_{8}$ 가스유량을 변화시켜 연구하였으며 또한 이들의... -
유도결합형 플라즈마 반응성 이온식각 장치를 이용한 SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$ 박막의 물리적, 전기적 특성
권영석, 심선일, 김익수, 김성일, 김용태, 김병호, 최인훈 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2002, Vol.9 No.4 11-16 (6 pages)
손상의 영향을 조사하였다. ICP-RIE (inductively coupled plasma reactive ion etching) 의 ICP power와 CCP(capacitively coupled plasma) power를 변화시키면서 고속식각에 따른 박막의 손상과 열화를 XPS 분석과 Capacitance-Voltage (C-V) 측정을 통하여 알아보았다. ICP와 CCP의 power가 증가함에 따라 식각율이 증가하였고 ICP power가 700 W, CCP power가 200 W 일때 식각율은 900$AA$/min이었다. 강유전체의 건식식각에 있어서 문제점이 플라즈마에 의한 강유전체 박막의 열화인데 반응가스 $Ar/C1_2/CHF_3$를 20/14/2의 비율로... -
ZnO 박막의 fluorine-계 유도결합 플라즈마 식각
박종천, 이병우, 김병익, 조현, Park. Jong-Cheon, Lee. Byeong-Woo, Kim. Byeong-Ik, Cho. Hyun 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2011, Vol.21 No.6 230-234 (5 pages)
$CF_4$ Ar 및 $SF_6$/Ar 유도결합 플라즈마을 이용하여 ZnO 박막의 고이온밀도 플라즈마 식각을 수행하였다. $10CF_4$/5Ar, $10SF_6$/5Ar 유도결합 플라즈마에서 최고 ~1950 ${AA}$/min과 ~1400 ${AA}$/min의 식각 속도를 확보하였다. 대부분의 조건 하에서 식각된 ZnO 표면은 식각 전보다 더 낮은 표면조도 값들을 나타내었다. $10CF_4$/5Ar 유도결합 플라즈마에서 Ni mask는 ZnO에 대해 최고 11의 높은 식각 선택도를 나타낸 반면에 Al은 이보다 낮은 1.6~4.7 범위의 식각선택도를 나타내었다. -
Floating zone 법에 의한 $LiNbO_3$ 단결정의 광학적 특성에 관한 연구
고정민, 조현, 김세훈, 김세훈, 최종건, 오근호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 14 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1995, Vol.5 No.4 318-331 (14 pages)
원료봉의 최적 소결조건 및 성장 분위이게 따른 원료봉/융액 계면에 대한 고찰을 하였고, 이를 바탕으로 하여 ga s flow rate, pulling rate, 원료봉과 종자정의 회전속도 등에 대한 최적의 결정성장 조건을 확립하였다. 성장된 결정에 대해서 chemical etching을 통한 etch pattern과 ICP(Inductively Coupled Plasma) 분석을 통한 조성 변동 및 불순물 Fe 함량을 조사하였고, 5 mol% MgO의 첨가에 따른 투과율과 굴절율의 변화를 관찰하였다. 또한 $LiNbO_3$의 비선형 광학특성에 대해서는 측정한 굴절율 값을 data로 하여 비선형 광학... -
플라즈마 식각 시뮬레이션을 위한 스캔 방식의 이온 플럭스 계산 방법
신성식, 유동훈, 권오봉, Shin. Sung-Sik, Yu. Dong-Hun, Gwun. Ou-Bong 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 8 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.10 124-131 (8 pages)
플라즈마(Plasma) 공정 시뮬레이션에서 가장 중요한 요소는 식각(Etching) 과정으로 특성 정보 프로파일(Feature Profile)에 의존하는 식각 비율(Etch Rate)을 계산하는 것이다. 식각 비율을 결정 요소는 이온 플럭스(Ion Flux), 뉴트럴 플럭스(Neutral Flux), 가스 종 온도 등 다양하지만 본 논문에서는 이온 플럭스(Ion Flux)에 한정하여 고속으로 이온 플럭스를 계산하기 위한 스캔 방법을 제안했다. 그리고 일반적으로 많이 사용되어지는 몬테카를로(Monte Carlo) 방법과 제안 방법을 가우시안 분포 및 코사인 분포를 이용하여... -
자화 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각 특성
김문영, 심종경, 태흥식, 이호준, 이용현, 이정희, 백영식, Kim. Mun-Yeong, Sim. Jong-Gyeong, Tae. Heung-Sik, Lee. Ho-Jun, Lee. Yong-Hyeon, Lee. Jeong-Hui, Baek. Yeon 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 7 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2000, Vol.49 No.4 203-209 (7 pages)


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