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정상망막과 변성망막에서 전압자극 파라미터 변화에 따른 망막신경절세포의 반응 비교
예장희, 류상백, 김경환, 구용숙, Ye. Jang-Hee, Ryu. Sang-Baek, Kim. Kyung-Hwan, Goo. Yong-Sook 한국의학물리학회 의학물리 9 Pages
한국의학물리학회 의학물리 2010, Vol.21 No.2 209-217 (9 pages)
색소성망막염(retinitis pigmentosa: RP)이나 연령관련 황반변성(age-related macular degeneration: AMD)과 같은 망막질환으로 인해 실명한 환자를 위해 인공시각장치가 개발되고 있다. 인공시각장치의 동작원리는 전기자극을 주어 신경세포의 활동도를 조절하는 것이므로 시각정보를 제대로 인코딩하기 위해 최적의 전기자극을 인가하는 것은 인공시각장치의 실용화를 위해 매우 중요한 요소이다. 그러므로 본 연구에서는 전압자극의 크기와 자극시간을 변화시켜 가면서 정상망막과 변성망막에 인가한 후 자극에 의해 유발된... -
고집적을 위한 얕은 트랜치 격리에서 제안한 구조의 특성 모의 분석
이용재, Lee. YongJae 한국시뮬레이션학회 한국시뮬레이션학회논문지 6 Pages
한국시뮬레이션학회 한국시뮬레이션학회논문지 2014, Vol.23 No.3 27-32 (6 pages)
본 논문에서는, 초고집적 CMOS 회로를 위한 얕은 트랜치 격리로 기존의 수직 구조 보다 개선된 성질을 갖는 새로운 구조를 제안하고자 한다. 이를 위해서 제안한 구조는 회자 모양의 얕은 트랜치 격리 구조이다. 특성 분석은 기존 수직 구조와 제안한 구조에 대해서 전자농도 분포, 열전자 스트레스의 산화막 모양, 전위와 전계 플럭스, 열 손상의 유전 전계와 소자에서 전류-전압 특성을 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 전류와 시간의 인가 스트레스... -
입계확산에 의한 반도성 <tex>$SrTiO_3$</tex> 세라믹스의 입계구조 및 전기적 특성 변화
김태균, 조남희 한국세라믹학회 요업학회지 8 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1997, Vol.34 No.1 23-30 (8 pages)
acceptor 역할을 할 수 있는 Na과 K 이온을 입계를 따라 80$0^{circ}C$~120$0^{circ}C$ 온도범위에서 확산시킨 후, 열처리조건에 따른 입계의 전기적 화학적 특성을 고찰하였다. 이차열처리한 소결체의 입계에는 일정한 전기적 포텐셜장벽과 이에 상관된 전자고갈영역이 형성되어 비선형적인 전류-전압 특성을 보이고 문턱전압(threshold voltage)은 10~70V, 입계포텐셜장벽은 0.1~2eV의 크기를 나타내었다. Na과 K 이온은 입계로부터 입자내부로 확산하여 20~50 nm 깊이의 확산층을 형성하며, 이들 확산층에서 Na 또는 K과의 치환에... -
RF Magnetron Sputtering으로 증착된 ZnO의 증착 특성과 이를 이용한 Thin Film Transistor특성
김영웅, 최덕균, Kim. Young-Woong, Choi. Duck-Kyun 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2007, Vol.14 No.3 15-20 (6 pages)
Ar과 $O_2$ gas 유량의 비율에 따라 여러 가지 조건에서 RF-magnetron sputtering 시스템을 이용하여 상온에서 증착하였다. Ar과 $O_2$ gas의 비율에 따라 제작된 TFT 소자는 모두 enhancement 모드의 소자특성을 나타내었고, 또한 가시광선영역에 있어 80% 이상의 높은 투과율을 보였다. ZnO 증착시 순수 Ar을 사용하여 제작된 ZnO-TFT의 경우에, $1.2;cm^2/Vs$의 field effect mobility, 8.5 V의 threshold voltage, 그리고 $5{ imes}10^5$의 높은 on/off ratio, 1.86 V/decade의 swing voltage로 가장 우수한 전기적 특성을 보였다. -
필지내 벼 수량의 공간변이 해석
이충근, 우메다미키오, 정인규, 성제훈, 김상철, 박우풍, 이용범 한국농업기계학회 바이오시스템공학 8 Pages
한국농업기계학회 바이오시스템공학 2004, Vol.29 No.3 267-274 (8 pages)
titanium silicide process. It was found by using focused ion beam transmission electron microscopy that the STI structure improved the narrow channel effect and reduced the junction leakage current and threshold voltage at the edge of the channel. In terms of transistor characteristics, we also obtained a low gate voltage variation and a low trap density, saturation current, some more to be large transconductance at the channel for sub-0.1${mu}{ extrm}{m}$ VLSI devices.ns suggest the study of a... -
활성 바디 바이어스를 이용한 고속, 저전력 SOI 인버터
길준호, 제민규, 이경미, 이종호, 신형철 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1998, No.0 41-47 (7 pages)
효율적인 바디 바이어스와 자유로운 공급 전압(supply voltage)으로 동작할 수 있는 동적 문턱 전압(dynamic threshold voltage)제어를 이용한 고속, 저전력 SOI 인버터를 새로이 제안하였다. 제안된 회로의 특성을 BSIM3SOI 회로 시뮬레이터와 ATLAS 소자 시뮬레이터를 이용해 검증하였고 다른 SOI 회로와 비교함으로써 제안한 회로가 우수한 성능을 가짐을 보였다. 제안된 회로는 1.5V의 공급 전압에서 같은 전력 소모를 갖는 기존의 SOI 회로보다 27% 빠르게 동작하였다. -
ZnS:Mn/ZnS:Tb 박막 전계발광소자의 문턱전압 변화
이순석, 윤선진, 임성규 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1998, No.0 21-27 (7 pages)
나타내었다. 휘도는 인가전압의 크기가 112V에서부터 급격히 증가하여 155 V에서 포화 휘도 1025 Cd/㎡를 나타내었고 최대 전압 185 V에서의 휘도는 2080 Cd/㎡이었다. Capacitance-voltage(C-V) 및 transferred charge-phosphor voltage(Qt-Vp) 특성으로부터 형광층 capacitance (Cp)와 절연층 capacitance (Ci)가 각각 13.5 nF/㎠, 60 nF/㎠됨을 알 수 있었고, 인가전압의 최대치를 155 V에서 185 V로 증가시킬수록 TFEL 소자의 문턱전압(Vthl)이 126 V에서 93 V로 감소함을 알 수 있었다. 이것은 인가전압을 증가시킬수록 polarization... -
트리플 풀다운 산화물 박막트랜지스터 게이트 드라이버
김지선, 박기찬, 오환술, Kim. Ji-Sun, Park. Kee-Chan, Oh. Hwan-Sool 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2012, Vol.49 No.1 1-7 (7 pages)
산화물 박막트랜지스터를 이용하여 액정 디스플레이 패널에 내장할 수 있는 새로운 게이트 드라이버 회로를 설계하고 제작하였다. 산화물 박막트랜지스터는 문턱전압이 음의 값을 갖는 경우가 많기 때문에 본 회로에서는 음의 게이트 전압을 인가하여 트랜지스터를 끄는 방법을 적용하였다. 또한 세 개의 풀다운 트랜지스터를 병렬로 배치하고 번갈아 사용하므로 안정적인 동작이 가능하다. 제안한 회로는 트랜지스터의 문턱전압이 -3 V ~ +6 V인 범위에서 정상적으로 동작하는 것을 시뮬레이션을 통해서 확인하였으며, 실제로 유리 기판... -
나노와이어 junctionless 트랜지스터의 문턱전압 및 평탄전압 모델링과 소자설계 가이드라인
김진영, 유종근, 박종태, Kim. Jin-Young, Yu. Chong-Gun, Park. Jong-Tae 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.12 1-7 (7 pages)
본 연구에서는 나노와이어 junctionless 트랜지스터의 문턱전압과 평탄전압을 위한 해석학적 모델링을 제시하였고 3차원 소자 시뮬레이션으로 검증하였다. 그리고 junctionless 트랜지스터의 소자설계 가이드라인을 설정하는 방법과 그 예를 제시하였다. 제시한 문턱전압과 평탄전압 모델은 3차원 시뮬레이션 결과와 잘 일치하였다. 나노와이어 반경과 게이트 산화층 두께가 클수록 또 채널 불순물 농도가 높을수록 문턱전압과 평탄전압은 감소하였다. 게이트 일함수와 원하는 구동전류/누설전류 비가 주어지면 나노와이어 반경, 게이트... -
Short-Channel Bulk-Type MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 해석적 모델
양진석, 오영해, 서정하, Yang. Jin-Seok, Oh. Young-Hae, Suh. Chung-Ha 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.12 17-23 (7 pages)
본 논문에서는 단 채널 bulk-type MOSFET의 문턱전압의 표현식을 해석적으로 도출하는 모텔을 제시하였다 게이트 절연층 내에서는 2차원 Laplace 방정식을, silicon body 내 공핍층에서는 2차원 Poisson 방정식을 Fourier 계수 방법을 이용하여 풀어냈으며, 이로부터 채날 표면전위의 최소치를 도출하고 문턱 전압 표현 식을 도출하였다. 도출된 문턱전압 표현식을 모의 실험한 결과, 소자의 각종 parameter와 bias 전압에 대한 의존성을 비교적 정확히 도출할 수 있음을 확인할 수 있었다.