자료유형
발행기관
- 대한생리학회-대한약리학회(91)
- 대한전자공학회(32)
- 한국전기전자재료학회(21)
- 대한생리학회(19)
- 한국탄소학회(17)
- 대한약리학회(9)
- 한국정보통신학회(9)
- 한국해양정보통신학회(8)
- 대한수의학회(7)
- 한국전기전자학회(7)
- 대한전기학회(6)
- 한국청각언어재활학회(4)
- 대한신경정신의학회(3)
- 한국전자통신연구원(3)
- 한국정보디스플레이학회(3)
- 한국식물병리학회(2)
- 한국전자통신학회(2)
- 한국진공학회(2)
- 대한물리치료학회(1)
- 물리치료재활과학회(1)
- 통신위성우주산업연구회(1)
- 한국광학회(1)
- 한국농업기계학회(1)
- 한국마이크로전자및패키징학회(1)
- 한국세라믹학회(1)
- 한국센서학회(1)
- 한국시뮬레이션학회(1)
- 한국의학물리학회(1)
- 한국정밀공학회(1)
- 한국조명전기설비학회(1)
- 한국철도학회(1)
- 한국통신학회(1)
간행물
- THE KOREAN JOURNAL OF PHYSIOLOGY & PHARMACOLOGY(91)
- 대한생리학회지(19)
- CARBON LETTERS(17)
- 전기전자재료학회논문지(16)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(15)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(12)
- 대한약리학잡지(9)
- 한국해양정보통신학회논문지(9)
- JOURNAL OF VETERINARY SCIENCE(7)
- 전기전자학회논문지(7)
- 한국정보통신학회논문지(6)
- AUDIOLOGY AND SPEECH RESEARCH(4)
- TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS(4)
- JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING & TECHNOLOGY(3)
- JOURNAL OF INFORMATION DISPLAY(3)
- JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA(3)
- 신경정신의학(3)
- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. C/ C, 전기물성-응용부문(3)
- ETRI JOURNAL(2)
- THE PLANT PATHOLOGY JOURNAL (2)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(2)
- 한국전자통신학회 논문지(2)
- 한국진공학회지(2)
- INTERNATIONAL JOURNAL OF MARITIME INFORMATION AND COMMUNICATION SCIENCES(1)
- JOURNAL OF INFORMATION AND COMMUNICATION CONVERGENCE ENGINEERING(1)
- JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF KOREA(1)
- PHYSICAL THERAPY REHABILITATION SCIENCE(1)
- 대한물리치료학회지(1)
- 마이크로전자 및 패키징 학회지(1)
- 바이오시스템공학(1)
- 센서학회지(1)
- 요업학회지(1)
- 의학물리(1)
- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(1)
- 전자통신(1)
- 조명-전기설비학회논문지(1)
- 통신위성우주산업연구회논문지(1)
- 한국시뮬레이션학회논문지(1)
- 한국정밀공학회지(1)
- 한국철도학회 논문집(1)
- 한국통신학회논문지. THE JOURNAL OF KOREA INFORMATION AND COMMUNICATIONS SOCIETY. 네트워크 및 서비스(1)
전체 선택해제
총 259건 검색
본문검색 결과만 보기
-
터널링 전계효과 트랜지스터의 불순물 분포 변동 효과
장정식, 이현국, 최우영, Jang. Jung-Shik, Lee. Hyun Kook, Choi. Woo Young 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 5 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2012, Vol.49 No.12 179-183 (5 pages)
3차원 시뮬레이션을 이용하여 터널링 전계효과 트랜지스터(TFET)의 불순물 분포 변동(RDF) 효과에 대해 살펴보았다. TFET의 RDF 효과는 매우 낮은 바디 도핑 농도 때문에 많이 논의되지 않았다. 하지만 본 논문에서는 임의로 생성되고 분포되는 소스 불순물이 TFET의 문턱전압 ($V_{th}$)과 드레인 유기 전류 증가 (DICE), 문턱전압이하 기울기 (SS)의 변화를 증가시킴을 발견하였다. 또한, TFET의 RDF 효과를 감소시킬 수 있는 몇 가지 방법을 제시하였다. -
다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 $0.5{mu}m$ 급 SONOS 플래시 메모리 소자의 개발 및 최적화
김상완, 서창수, 박유경, 지상엽, 김윤빈, 정숙진, 정민규, 이종호, 신형철, 박병국, 황철성, Kim. Sang Wan, Seo. Chang-Su, Park. Yu-Kyung, Jee. Sang-Yeop, Kim. Yun-Bin, Jung. Suk-Jin 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 11 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2012, Vol.49 No.10 111-121 (11 pages)
성능 향상을 가져온다는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 이를 바탕으로 SONOS 플래시 메모리를 제작하였으며 그 특성을 분석했다. 게이트로부터 전자의 back tunneling 현상을 억제함과 동시에 제작한 소자가 원활한 program/erase 동작을 하기 위해서는 O/N/O 두께의 최적화가 필요하다. 따라서 시뮬레이션을 통해 이를 분석하고 O/N/O 두께를 최적화 하여 SONOS 플래시 메모리의 특성을 개선하였다. 제작한 소자는 2.24 V의 threshold voltage($V_{th}$) memory window를 보였으며 메모리 동작을 잘 하는 것을 확인 할 수 있었다. -
VT-Modulation of Planar Tunnel Field-Effect Transistors with Ground-Plane under Ultrathin Body and Bottom Oxide
Sun. Min-Chul, Kim. Hyun Woo, Kim. Hyungjin, Kim. Sang Wan, Kim. Garam, Lee. Jong-Ho, Shin. Hyungcheol, Park. Byung-Gook 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.2 139-145 (7 pages)
-
The Pulsed Id-Vg methodology and Its Application to the Electron Trapping Characterization of High-κ gate Dielectrics
Young. Chadwin D., Heh. Dawei, Choi. Ri-No, Lee. Byoung-Hun, Bersuker. Gennadi 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 21 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2010, Vol.10 No.2 79-99 (21 pages)
-
Short Channel Analytical Model for High Electron Mobility Transistor to Obtain Higher Cut-Off Frequency Maintaining the Reliability of the Device
Gupta. Ritesh, Aggarwal. Sandeep Kumar, Gupta. Mridula, Gupta. R.S. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 12 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2007, Vol.7 No.2 120-131 (12 pages)
-
A Sense Amplifier Scheme with Offset Cancellation for Giga-bit DRAM
Kang. Hee-Bok, Hong. Suk-Kyoung, Chang. Heon-Yong, Park. Hae-Chan, Park. Nam-Kyun, Sung. Man-Young, Ahn. Jin-Hong, Hong. Sung-Joo 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 9 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2007, Vol.7 No.2 67-75 (9 pages)
-
Analytical Model for Metal Insulator Semiconductor High Electron Mobility Transistor (MISHEMT) for its High Frequency and High Power Applications
Gupta. Ritesh, Aggarwal. Sandeep Kr, Gupta. Mridula, Gupta. R.S. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 10 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2006, Vol.6 No.3 189-198 (10 pages)
-
Fabrication and Electrical Properties of Local Damascene FinFET Cell Array in Sub-60nm Feature Sized DRAM
Kim. Yong-Sung, Shin. Soo-Ho, Han. Sung-Hee, Yang. Seung-Chul, Sung. Joon-Ho, Lee. Dong-Jun, Lee. Jin-Woo, Chung. Tae-Young 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2006, Vol.6 No.2 61-67 (7 pages)