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181.

Polyaniline/SiO2 Catalyzed One-pot Mannich Reaction: An Efficient Synthesis of β-amino Carbonyl Compounds

Yelwande. Ajeet A., Arbad. Balasaheb R., Lande. Machhindra K. 대한화학회 대한화학회지 6 Pages

대한화학회 대한화학회지 2011, Vol.55 No.4 644-649 (6 pages)

Yelwande. Ajeet A., Arbad. Balasaheb R., Lande. Machhindra K. 저

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위해 silica가 충진된 여러 가지 종류의 wt% polyaniline을 화학적인 산화방법에 의해 합성하였다. 합성한 촉매는 thermal analysis(TG-DTA), X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy(SEM) energy dispersive spectroscopy(EDS), 및 Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) 방법으로 확인하였으며, 촉매의 용매에 대한 안정도 UV-Visible spectroscopy로 측정하였다. Polyaniline/$SiO_2$ 촉매를 이용하는 합성 방법은높은 수율로 얻어지며, work up이 쉽고, 독성이 없으며, 쉽게 회수하여 재사용이 가능하다.
182.

Synthesis and Characterization of New Pyrochlore-type Oxyfluorides, APbNb2O6F (A = Na and K)

Kim. Sung-Chul, Kang. Jun-Kun, Kim. Seung-Joo 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 3 Pages

대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2010, Vol.31 No.2 497-499 (3 pages)

Kim. Sung-Chul, Kang. Jun-Kun, Kim. Seung-Joo 저

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183.

Co-sputtered $HfO_2-Al_2O_3$을 게이트 절연막으로 적용한 IZO 기반 Oxide-TFT 소자의 성능 향상

손희근, 양정일, 조동규, 우상현, 이동희, 이문석, Son. Hee-Geon, Yang. Jung-Il, Cho. Dong-Kyu, Woo. Sang-Hyun, Lee. Dong-Hee, Yi. Moon-Suk 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.6 1-6 (6 pages)

손희근, 양정일, 조동규, 우상현, 이동희, 이문석, Son. Hee-Geon, Yang. Jung-Il, Cho. Dong-Kyu, Woo. Sang-Hyun, Lee. Dong-Hee, Yi. Moon-Suk 저

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절연막으로 더욱 적합하게 향상되어진 $HfO_2$ 박막의 변화를 x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and spectroscopic ellipsometer (SE)를 통해 분석하였다. XRD 분석은 기존 $HfO_2$ 의 미세결정 구조가 $Al_2O_3$와의 co-sputter에 의해 비결정 구조로 변한 것을 확인 시켜 주었고, AFM 분석을 통해 $HfO_2$ 의 표면 거칠기를 비교할 수 있는 RMS 값이 2.979 nm 인 것에 반해 HfAIO의 경우 0.490 nm로 향상된 것을 확인하였다. 또한 SE 분석을 통해 $HfO_2$ 의 에너지 밴드 갭 5.17 eV 이 HfAIO 의 에너지 밴드 갭...
184.

Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Standing GaN 기판의 특성에 관한 연구

김화목, 최준성, 오재응, 유태경, Kim. Hwa-Mok, Choe. Jun-Seong, O. Jae-Eung, Yu. Tae-Gyeong 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.3 14-19 (6 pages)

김화목, 최준성, 오재응, 유태경, Kim. Hwa-Mok, Choe. Jun-Seong, O. Jae-Eung, Yu. Tae-Gyeong 저

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일정한 두께의 GaN막을 성장한 후 사파이어 기판을 mechanical polishing 작업으로 제거하여 두께 200 ㎛, 10×10 ㎛ 크기의 free-standing GaN 기판을 얻을 수 있었으며, 성장 전 GaCl 전처리를 수행함으로써 crack이 없는 기판을 제작할 수 있었다. 이렇게 제작된 free-standing GaN 기판의 특성을 SiO2 patterned sapphire위에 LEO (Lateral Epitaxial Overgrowth) 방법으로 성장된GaN박막과 double crystal x-ray diffraction (DC-XRD), cathode-luminescence (CL) 및 photoluminescence (PL) 방법으로 특성을 비교하였다.
185.

RF-magnetron sputtering을 이용한 TiIZO 기반의 산화물 반도체에 대한 연구

우상현, 임유성, 이문석, Woo. Sanghyun, Lim. Yooseong, Yi. Moonsuk 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 7 Pages

대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.7 115-121 (7 pages)

우상현, 임유성, 이문석, Woo. Sanghyun, Lim. Yooseong, Yi. Moonsuk 저

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RF-magnetron co-sputtering system 방식으로 상온에서 증착하였으며, 어떠한 열처리도 하지 않았다. Ti의 첨가가 어떠한 영항을 주는지 연구하기 위해 X-ray diffraction(XRD), X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) 분석을 시행하였으며, 전기적인 특성을 측정하였다. Ti의 첨가는 Ti target의 rf power 변화에 따라 달리하였다. Ti의 첨가가 전류점멸비에 큰 영향을 주는 것을 확인하였고, 이것은 Ti의 산화력이 In과 Zn보다 뛰어나 산소결함자리의 형성을 억제하기 때문이다. Ti의 rf power가 40W일 때 가장 좋은 특성을 나타냈으...
186.

HfO2-Si의 조성비에 따른 HfSiOx의 IZO 기반 산화물 반도체에 대한 연구

조동규, 이문석, Cho. Dong Kyu, Yi. Moonsuk 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 6 Pages

대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.2 98-103 (6 pages)

조동규, 이문석, Cho. Dong Kyu, Yi. Moonsuk 저

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가지 $HfSiO_x$ 박막의 구조적 변화를 X-ray diffraction(XRD), atomic force microscopy(AFM)을 통해 분석하였고, 그 전기적 특성을 확인하였다. 박막 내 $HfO_2$와 Si의 조성비에 따라 그 특성이 현저히 차이가 남을 확인하였다. $HfO_2$(100W)-Si(100W)의 조건으로 증착한 $HfSiO_x$ 박막을 절연층으로 한 소자의 특성이 전류 점멸비 5.89E+05, 이동도 2.0[$cm^2/V{cdot}s$], 문턱전압 -0.5[V], RMS 0.263[nm]로 가장 좋은 결과로 나타났다. 따라서 $HfSiO_x$ 박막 내의 적절한 $HfO_2$와 Si의 조성비가 계면의 질을 향상시킴은 물론,...
187.

용접열사이클 재현에 의한 SS400강 및 STS304강의 특성 평가 - 제3보: 잔류응력과 초음파 파라미터

안석환, 최문오, 정정환, 김성광, 남기우, Ahn. Seok-Hwan, Choi. Moon-Oh, Jeong. Jeong-Hwan, Kim. Sung-Kwang, Nam. Ki-Woo 한국해양공학회 韓國海洋工學會誌 8 Pages

한국해양공학회 韓國海洋工學會誌 2008, Vol.22 No.6 27-34 (8 pages)

안석환, 최문오, 정정환, 김성광, 남기우, Ahn. Seok-Hwan, Choi. Moon-Oh, Jeong. Jeong-Hwan, Kim. Sung-Kwang, Nam. Ki-Woo 저

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188.

방사선환원법을 이용한 직접메탄올연료전지용(DMFC) 삼성분계촉매(PtRu-Sn/VC, PtRu-Ni/VC)의 합성

김상겸, 박지윤, 황순철, 이도균, 이상헌, 이영우, 한문희, Kim. Sang Kyum, Park. Ji Yun, Hwang. Sun Choel, Lee. Do Kyun, Lee. Sang Heon, Rhee. Young Woo, Han. Moon H 한국청정기술학회 청정기술 7 Pages

한국청정기술학회 청정기술 2013, Vol.19 No.3 320-326 (7 pages)

김상겸, 박지윤, 황순철, 이도균, 이상헌, 이영우, 한문희, Kim. Sang Kyum, Park. Ji Yun, Hwang. Sun Choel, Lee. Do Kyun, Lee. Sang Heon, Rhee. Young Woo, Han. Moon H 저

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TEM), 주사전자현미경-에너지 분산형 분석기(scanning electron microscopy-energy dispersive spectroscopy, SEM-EDS), X선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS), X선 회절(X-ray diffraction, XRD)을 통해 촉매의 표면과 구조 및 성분에 대해 특성평가 되어졌으며, 촉매 전기화학적 효율 및 안정성 대한 평가를 위하여 산소 환원 반응, 메탄올 산화반응과 CO 흡착 효율을 E-TEK사에서 상용촉매로 판매되는 PtRu/VC$^{(R)}$ (60 wt% PtRu)와 비교하였으며, 이에 대한 요약은 다음과 같다. 수소 흡 탈착 반응 :...
189.

졸-겔법을 이용한 Titania-silica 혼합 음극활물질의 제조

방종민, 조영임, 나병기, Bang. Jong-Min, Cho. Young-Im, Na. Byung-Ki 한국청정기술학회 청정기술 5 Pages

한국청정기술학회 청정기술 2010, Vol.16 No.2 140-144 (5 pages)

방종민, 조영임, 나병기, Bang. Jong-Min, Cho. Young-Im, Na. Byung-Ki 저

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사용하여 졸-겔법을 이용해 합성하였다. 졸-겔법을 이용하여 혼합물을 합성할 경우에 균일한 분포를 갖는 화합물을 제조할 수 있다. 마이크로파를 이용하여 혼합물을 열처리하여 새로운 물성을 갖는 화합물의 제조를 시도하였다. 합성한 화합물의 물성을 측정하기 위하여 화합물의 조성, 열처리 온도 및 마이크로파 처리등을 실험변수로 사용하였다. 특성 분석방법으로는 합성물질의 구조적 특성과 입자의 표면분석을 하기 위해 XRD(X-ray diffraction)와 SEM (scanning electron microscopy)과 전지 충 방전기를 사용하여 충 방전에...
190.

고분자 전해질 연료전지 캐소드용 코발트-폴리아닐린-탄소로 구성된 비귀금속 촉매의 제조 및 특성 평가

최종호, Choi. Jong-Ho 한국전기화학회 전기화학회지 7 Pages

한국전기화학회 전기화학회지 2013, Vol.16 No.1 52-58 (7 pages)

최종호, Choi. Jong-Ho 저

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그리고 카본 블랙(C)을 일정한 비율대로 혼합한 후 특별한 열처리 과정 없이 단순한 화학적 환원법에 제조되었다. 제조된 Co-PANI-C 복합 촉매의 구조 분석을 위해 X-선 회절분석(X-ray diffraction, XRD)과 열중량분석(thermogravimetric analysis, TGA)을 실시하였고, ORR에 대한 활성을 평가하기 위해 rotating disk electrode(RDE) 및 rotating ring disk electrode(RRDE) 측정을 수행하였다. 그 결과 Co-PANI-C 복합 촉매는 ORR반응에 대한 개시 전압은 백금 촉매보다 60 mV 밖에 낮지 않은 값을 보였지만, 반응에 의해 발생되는...

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