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1941.

개인용 컴퓨터상의 그래픽스 인터페이스 설계와 응용

김진한, 경종민, Kim. Jin-Han, Kyung. Chong-Min 대한전자공학회 전자공학회논문지 9 Pages

대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.1 113-121 (9 pages)

김진한, 경종민, Kim. Jin-Han, Kyung. Chong-Min 저

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보드 "K"를 구동시키기 위하여 소프트웨어 인터페이스인 CGI-K를 TI사에서 제공한 C언어와 어셈블리 언어를 이용하여 작성하였다. CGI-K를 구성하는 디바이스 드라이버 루틴과 네모, 원, 현 및 호와 같은 그래픽스 프리미티브를 만드는 알고리듬을 제안하였으며, CGI-K는 EGA(enhanced graphics adapter)의 CGI보다 3배에서 10배 정도 빠른 속도를 갖는 것을 보였다. CGI-K를 이용하여 2차원 그래픽스 에디터인 GRIM과 3차원 모델링 프로그램인 IPCHE를 만들었으며, GRIM은 그래픽스 프리미티브를 이용하여 원하는 그림을 그릴...
1942.

고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 완충층 누설전류 분석

황대원, 하민우, 노정현, 박정호, 한철구, Hwang. Dae-Won, Ha. Min-Woo, Roh. Cheong-Hyun, Park. Jung-Ho, Hahn. Cheol-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.2 14-19 (6 pages)

황대원, 하민우, 노정현, 박정호, 한철구, Hwang. Dae-Won, Ha. Min-Woo, Roh. Cheong-Hyun, Park. Jung-Ho, Hahn. Cheol-Koo 저

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완충층 (buffer layer) 누설전류와 제작된 다이오드의 전기적 특성 변화를 연구하였다. Ti/Al/Mo/Au 오믹 접합과 Ni/Au 쇼트키 접합이 제작된 소자에 설계 및 제작되었다. 메사를 관통하는 GaN 완충층의 누설전류를 측정하기 위하여 테스트 구조가 제안되었으며 제작하였다. $700^{circ}C$에서 열처리한 경우 100 V 전압에서 측정된 완충층의 누설전류는 87 nA이며, 이는 $800^{circ}C$에서 열처리한 경우의 완충층의 누설전류인 780 nA보다 적었다. GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류 메커니즘을 분석하기 위해서 Auger 전자 분광학...
1943.

$gamma$-plane 사파이어 기판 위에 성장한 무분극 ${alpha}$-plane GaN 층의 전기적 비등방성 연구

김재범, 김동호, 황성민, 김태근, Kim. Jae-Bum, Kim. Dong-Ho, Hwang. Sung-Min, Kim. Tae-Geun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.8 1-6 (6 pages)

김재범, 김동호, 황성민, 김태근, Kim. Jae-Bum, Kim. Dong-Ho, Hwang. Sung-Min, Kim. Tae-Geun 저

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후, Ti/Al/Ni/Au (20 nm/ 150 nm/ 30 nm/ 100 nm) 오믹 전극을 증착하여 transfer length method (TLM)로 접촉저항을 측정하였다. 그 결과, ${alpha}$-plane GaN층이 갖는 축의 방향성에 의한 접촉저항이 차이는 없는 것을 확인하였고, 면저항 측정 시에는 m-축 방향에 비해 c-축 방향에서 발생하는 면저항 값이 약 25%~75% 정도 크게 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 전기적 특성의 비등방성은 c-축 성장방향에 대해 수직방향을 갖는 기저적층결함 (basal stacking faults)의 생성으로 인한 전자들의 거동 저하에 의한 것으로...
1944.

안드로이드 앱과 MCU를 이용한 저가형 원격 전원품질이상 감시 시스템

임호균, 김서휘, 이승현, 최상호, Lim. Ho-Kyoun, Kim. Seo-Hwi, Lee. Seung-Hyeon, Choe. Sangho 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 12 Pages

대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.9 144-155 (12 pages)

임호균, 김서휘, 이승현, 최상호, Lim. Ho-Kyoun, Kim. Seo-Hwi, Lee. Seung-Hyeon, Choe. Sangho 저

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앱과 TI 320F28335 MCU를 활용한 마이크로그리드용 저가형 원격 전원품질이상 감시 시스템(Remote Power-quality-failure Monitoring System : RPMS)을 제안한다. 설계한 RPMS 테스트 베드는 스마트 노드와 서버 그리고 안드로이드 앱으로 구성된다. 특별히 RPMS 스마트 노드는 기존 감시 시스템과는 달리 C2000 계열 MCU를 이용한 저가형으로 설계되며 전력신호처리를 위한 신호처리 기능과 함께 전원품질 모니터링 정보 전송을 위한 데이터 전송 기능을 포함한다. 전력신호처리 기능은 순시전압강하, 순시전압상승 혹은 순시정전에 대한...
1945.

LED 기반 그린에너지 조명시스템을 위한 전력품질 측정

유형모, 최진원, 최상호, Yu. Hyung-Mo, Choi. Jin-Won, Choe. Sangho 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 11 Pages

대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.2 174-184 (11 pages)

유형모, 최진원, 최상호, Yu. Hyung-Mo, Choi. Jin-Won, Choe. Sangho 저

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measurement: PQM) 방안을 제안하고, 이를 TI 320F28335 MCU(micro-controller unit) 기반 PQM 테스트 베드로 구현한다. 제안된 알고리즘은 CCS (Code Composer Studio) 3.3 환경에서 C언어로 작성하였으며, 임의 신호 발생기(NF-WF1974)로부터 발생된 모의 신호를 활용하여 구현된 알고리즘을 검증한다. 테스트 베드를 이용하여 LED SMPS로부터 발생되는 각종 비선형 전류 신호 측정, FFT를 이용한 고조파 신호의 분석이 가능할 뿐 아니라 이산 웨이블렛 변환을 이용한 sag, swell, interruption 등의 고품질 전력신호 측정도 가능하다.
1946.

PZT 박막의 화학.기계적 연마 특성

서용진, 이우선, Seo. Yong-Jin, Lee. Woo-Sun 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 6 Pages

대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2006, Vol.55 No.12 549-554 (6 pages)

서용진, 이우선, Seo. Yong-Jin, Lee. Woo-Sun 저

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1947.

PZT/Ferrite 합성 세라믹의 특성에 관한 기초연구

김장용, 이상현, 이승봉, 안형호, 현충일, 이명세, 문병무 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 6 Pages

대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2003, Vol.52 No.4 153-158 (6 pages)

김장용, 이상현, 이승봉, 안형호, 현충일, 이명세, 문병무 저

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1948.

영남 육괴 북동부 변성퇴적암과 흑운모 화강편마암의 변성 온도-압력 조건과 전압 붕소 함량사이의 상관관계

정원석, 선광민, 나기창, Cheong. Won-Seok, Sun. Gwang-Min, Na. Ki-Chang 대한자원환경지질학회 자원환경지질 13 Pages

대한자원환경지질학회 자원환경지질 2009, Vol.42 No.3 247-259 (13 pages)

정원석, 선광민, 나기창, Cheong. Won-Seok, Sun. Gwang-Min, Na. Ki-Chang 저

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변성퇴적암류의 전암 붕소를 분석했다. 연구지역의 변성퇴적암류는 광물 조합에 따라 규선석대와 석류석대로 나누어지며, Ti-흑운모 지온계를 이용한 4-6 kbar 사이의 변성온도는 각각 553-687$^{circ}C$와 582-722$^{circ}C$이다. 붕소의 전함량은 흑연이 다량 포함된 석류석대의 한개 시료(89.95 ppm B)를 제외하고 규선석대(9.60- 189.18 ppm B)에서 석류석대(2.63-15.97 ppm B)로 높은 온도를 지시하는 지역에서 상대적으로 적은 함량을 갖는다. 붕소와 양의 상관관계를 이루는 $Al_2O_3$, MgO, $Fe_2O_3$, $Fe_2O_3$, $K_2O$, Li,...
1949.

고준위 핵페기물의 고정화를 위한 메트릭스 개발 : Ce파이로클로어 합성 연구

채수천, 장영남, 배인국 대한자원환경지질학회 자원환경지질 6 Pages

대한자원환경지질학회 자원환경지질 2002, Vol.35 No.2 97-102 (6 pages)

채수천, 장영남, 배인국 저

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CaCe $Ti_2 $O_7)는 장주기 방사성 폐기물인 악티나이드 원소들을 고정화시킬 수 있는 새로운 물질이므로 Ce-파이로클로어를 합성하여 강평형 관계 및 특성을 연구하였다. 혼합된 시료는 상온에서 200-400kg/$ extrm{cm}^2$의 압력으로 성형한 후, 1000-150$0^{circ}C$ 범위에서 소결온도 및 분위기를 변화시키면서 소성하였다. 합성된 시료는 XRD, SEM/EDS를 사용하여 상분석과 정량분석을 실시하였다. 실험결과, Ce-파이로클로어이 최적 합성조건은 산소분위기 하에서, 130$0^{circ}C$로 소결하였을 때였으며, 이때의 화학조성은...
1950.

유/무기 하이브리드 코팅액에 의한 냉간압연강판의 내식특성

김정량, 최창민, 남기우, Kim. Jung-Ryang, Choi. Chang-Min, Nam. Ki-Woo 대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 8 Pages

대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 2012, Vol.36 No.4 405-412 (8 pages)

김정량, 최창민, 남기우, Kim. Jung-Ryang, Choi. Chang-Min, Nam. Ki-Woo 저

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것이었다. 그러나 $Cr^{+6}$는 현재 환경 보호법 때문에 사용이 제한되어 있다. 따라서 자자들은 Si를 가지는 유/무기 용액에 대한 아연도금강판의 최적 조건을 연구하였다. 최적 내식성은 $190^{circ}C$에서 5분간 열처리한 조건으로 나타났다. 본 연구에서는 내식성 평가를 위하여 우레탄 용액(Urethane 20 wt.% ; S-700), Si를 가지는 유/무기 용액(Si polysilicate 10 wt.% + Urethane 10 wt.% LR-0317) 및 Si와 Ti를 가지는 2종류의 유/무기 용액(Si polysilicate 7 wt.% + Urethane 13 wt.% + Ti amorphous 0.5 wt.% ; LR-0727(1),...

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