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Etch Rate Dependence of Differently Doped Poly-Si Films on the Plasma Parameters
박성호, 김윤태, 김진섭, 김보우, 마동성, Park. Sung-Ho, Kim. Youn-Tae, Kim. Jin-Sup, Kim. Bo-Woo, Ma. Dong-Sung 대한전자공학회 전자공학회논문지 8 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1988, Vol.25 No.11 1342-1349 (8 pages)
플리즈마 변수로서 가스조성과 압력 및 RF 전력이 인 및 붕소가 각각 다른 양으로 주입된 다결정 실리콘의 식각율 변화에 미치는 영향을 고찰하였다. $POCl_3$에 의해 인이 주입된 경우, 염소조성보다 불소조성이 많은 영역, 즉 $Cl_2$와 $SF_4$의 비가 17대 33일 때, 가장 큰 비등방성과 가장 작은 선폭손실을 달성하였다. 플라즈마 조건에 관계없이 주입된 불순물 농도의 증가에 다라, 인이 주입된 경우는 식각율이 증가하였고, 붕소가 주입된 경우는 식각율이 반대로 감소하였다. 또한, 급속 열처리에 의한 활성화 시간의 함수로서... -
Real-time In-situ Plasma Etch Process Monitoring for Sensor Based-Advanced Process Control
Ahn. Jong-Hwan, Gu. Ja-Myong, Han. Seung-Soo, Hong. Sang-Jeen 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 5 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2011, Vol.11 No.1 1-5 (5 pages)
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Investigation on Suppression of Nickel-Silicide Formation By Fluorocarbon Reactive Ion Etch (RIE) and Plasma-Enhanced Deposition
Kim. Hyun Woo, Sun. Min-Chul, Lee. Jung Han, Park. Byung-Gook 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 6 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.1 22-27 (6 pages)
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Enhanced-Inductively Coupled Plasma (E-ICP)를 이용한 Silylated photoresist 식각공정개발
조수범, 김진우, 정재성, 오범환, 박세근, 이종근 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.3 227-232 (6 pages)
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Dry Etching Properties of HfAlO3 Thin Film with Addition O2 gas Using a High Density Plasma
Woo. Jong-Chang, Lee. Yong-Bong, Kim. Jeong-Ho 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 6 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2014, Vol.15 No.3 164-169 (6 pages)
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The Dry Etching Properties on TiN Thin Film Using an N2/BCl3/Ar Inductively Coupled Plasma
Woo. Jong-Chang, Joo. Young-Hee, Park. Jung-Soo, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.4 144-147 (4 pages)