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순음청력검사기의 교정
김진동 한국청각언어재활학회 Audiology and Speech Research 12 Pages
한국청각언어재활학회 Audiology and Speech Research 2016, 제 12권 제 1호 2 12-23 (12 pages)
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High-energy-density activated carbon electrode for organic electric-double-layer-capacitor using carbonized petroleum pitch
Poo Reum Choi, Sang-Gil Kim, Ji Chul Jung, Myung-Soo Kim 한국탄소학회 Carbon Letters 11 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2017, Vol.22 8 70-80 (11 pages)
of 28.4 F/cc was obtained from the PP pre-carbonized at 700°C, exhibiting a value over 150% of that of a commercial AC (MSP-20) for EDLC. Electrochemical activation was observed from the electrodes of PP as they were pre-carbonized at high temperatures above 700°C and then activated by KOH. This process was found to have a significant effect on the specific capacitance and it was demonstrated that the higher charging voltage of EDLC was, the greater the electrochemical activation effect was. -
High Power Electric Double Layer Capacitor(EDLC's)
M.Endo, T.Takeda, Y.j.Kim 한국탄소학회 Carbon Letters 12 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters Vol.1 No.3&4 1 117-128 (12 pages)
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p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 5-TFT OLED 화소회로
정훈주, Chung. Hoon-Ju 한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 6 Pages
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 2014, Vol.9 No.3 279-284 (6 pages)
본 논문에서는 p-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 새로운 OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 5-TFT OLED 화소회로는 4개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. 제안한 화소회로의 한 프레임은 초기화 구간, 문턱전압 감지 및 데이터 기입 구간, 데이터 유지 구간 및 발광 구간으로 나누어진다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${pm}0.25V$ 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 -4.06%이였고 구동... -
n-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동 보상을 위한 전압 기입 AMOLED 화소회로
정훈주, Chung. Hoon-Ju 한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 6 Pages
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 2013, Vol.8 No.2 207-212 (6 pages)
본 논문에서는 n-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 전압 기입 AMOLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 6T1C 화소회로는 5개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${pm}0.33$ V 변동시 최대 OLED 전류의 오차율은 7.05 %이고 Vdata = 5.75 V에서 OLED 양극 전압 오차율은 0.07 %로 제안한 6T1C 화소회로가 구동 트랜지스터의 문턱전압 변동에도 균일한 OLED 전류를... -
필지내 벼 수량의 공간변이 해석
이충근, 우메다미키오, 정인규, 성제훈, 김상철, 박우풍, 이용범 한국농업기계학회 바이오시스템공학 8 Pages
한국농업기계학회 바이오시스템공학 2004, Vol.29 No.3 267-274 (8 pages)
titanium silicide process. It was found by using focused ion beam transmission electron microscopy that the STI structure improved the narrow channel effect and reduced the junction leakage current and threshold voltage at the edge of the channel. In terms of transistor characteristics, we also obtained a low gate voltage variation and a low trap density, saturation current, some more to be large transconductance at the channel for sub-0.1${mu}{ extrm}{m}$ VLSI devices.ns suggest the study of a... -
ZnS:Mn/ZnS:Tb 박막 전계발광소자의 문턱전압 변화
이순석, 윤선진, 임성규 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1998, No.0 21-27 (7 pages)
나타내었다. 휘도는 인가전압의 크기가 112V에서부터 급격히 증가하여 155 V에서 포화 휘도 1025 Cd/㎡를 나타내었고 최대 전압 185 V에서의 휘도는 2080 Cd/㎡이었다. Capacitance-voltage(C-V) 및 transferred charge-phosphor voltage(Qt-Vp) 특성으로부터 형광층 capacitance (Cp)와 절연층 capacitance (Ci)가 각각 13.5 nF/㎠, 60 nF/㎠됨을 알 수 있었고, 인가전압의 최대치를 155 V에서 185 V로 증가시킬수록 TFEL 소자의 문턱전압(Vthl)이 126 V에서 93 V로 감소함을 알 수 있었다. 이것은 인가전압을 증가시킬수록 polarization... -
저전압에서 다결정 실리콘 TFT의 불균일한 특성을 보상한 새로운 AMOLED 구동회로
김나영, 이문석, Kim. Na-Young, Yi. Moon-Suk 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.8 1-5 (5 pages)
의 문턱전압(threshold voltage)의 불균일성을 보상한 새로운 AMOLEDs(Active Matrix Organic Light Diodes) 구동 회로를 제안한다, 제안한 회로는 6개의 스위칭, 1개의 드라이빙 TFT와 1개의 저장 콘덴서로 구성되어 있으며, SPICE 시뮬레이션을 통해 구동회로의 동작을 검증하였다. 시뮬레이션 결과 5V정도의 낮은 구동 전압($V_{DD}$)에서 제안한 화소 구동회로의 OLED 출력 전류는 0.8%정도의 오차를 갖는 반면 기본적인 구동회로의 경우 약20%정도의 오차를 갖는 것을 확인할 수 있었다. 본 논문에서 제안한 화소 구동회로는 OLED의... -
핀 폭에 따른 문턱전압 변화를 줄이기 위한 무접합 MuGFET 소자설계 가이드라인
이승민, 박종태, Lee. Seung-Min, Park. Jong-Tae 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2014, Vol.18 No.1 135-141 (7 pages)
본 연구에서는 무접합 MuGFET의 핀 폭에 따른 문턱전압의 변화를 줄이기 위한 소자 설계 가이드라인을 제시하였다. 제작된 무접합 MuGFET으로부터 핀 폭이 증가할수록 문턱전압의 변화가 증가하는 것을 알 수 있었다. 무접합 MuGFET의 핀 폭에 따른 문턱전압의 변화를 줄이기 위한 소자 설계가이드라인으로 게이트 유전체, 실리콘박막의 두께, 핀 수를 최적화 하는 연구를 3차원 소자 시뮬레이션을 통해 수행하였다. 고 유전율을 갖는 $La_2O_3$ 유전체를 게이트 절연층으로 사용하거나 실리콘 박막을 최대한 얇게 하므로 핀 폭이...
