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NMOSFET의 반전층 양자 효과에 관한 연구
박지선, 신형순, Park. Ji-Seon, Sin. Hyeong-Sun 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 11 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2002, Vol.51 No.9 397-407 (11 pages)
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게이트 산화막 가장자리에 Air-cavity를 가지는 새로운 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
이민철, 정상훈, 송인혁, 한민구, Lee. Min-Cheol, Jung. Sang-Hoon, Song. In-Hyuk, Han. Min-Koo 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 6 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2001, Vol.50 No.8 365-370 (6 pages)
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고전압맥동전류가 통각과민 백서의 통각역치 및 유해성 굴곡반사에 미치는 영향
김수현, 문달주, 최석주, 정대인, 이정우, 정진규, 김태열, Kim. Su-Hyon, Moon. Dal-Ju, Choi. Sug-Ju, Jung. Dae-In, Lee. Jung-Woo, Jeong. Jin-Gyu, Kim. Tae-Youl 대한물리치료학회 대한물리치료학회지 10 Pages
대한물리치료학회 대한물리치료학회지 2006, Vol.18 No.2 25-34 (10 pages)
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나노구조 이중게이트 FinFET의 크기변화에 따른 문턱전압이동 및 DIBL 분석
정학기, Jung. Hak-Kee 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 6 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2007, Vol.11 No.4 760-765 (6 pages)
본 연구에서는 나노구조 이중게이트 FinFET에 대하여 문턱전압이동 특성 및 드레인유기장벽저하(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)특성을 분석하였다. 분석을 위하여 분석학적 전류모델을 개발하였으며 열방사전류 및 터널링전류를 포함하였다. 열방사전류는 포아슨방정식에 의하여 구한 포텐셜분포 및 맥스월-볼쯔만통계를 이용한 캐리어분포를 이용하여 구하였으며 터널링 전류는 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)근사를 이용하였다. 이 두 모델은 상호 독립적이므로 각각 전류를 구해 더함으로써 문턱 전압을 구하였다. 본... -
나노구조 이중게이트 MOSFET에서 터널링이 단채널효과에 미치는 영향
정학기, Jung. Hak-Kee 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 7 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2006, Vol.10 No.3 479-485 (7 pages)
이 모델을 이용하여 서브문턱스윙(Subthreshold swing), 문턱전압변화(Threshold voltage rolloff) 드레인유기장벽저하(Drain induced barrier lowering)와 같은 단채널효과를 분석하고자 한다. 제안된 모델은 열방출 및 터널링에 의한 전송효과를 포함하고 있으며 이차원 포아슨방정식의 근사해를 이용하여 포텐셜 분포를 구하였다. 또한 터널링 효과는 Wentzel-Kramers-Brillouin 근사를 이 용하였다. 이 모델을 사용하여 초박막 게이트산화막 및 채널폭을 가진 5-20nm 채널길이의 이중게이트 MOSFET에 대한 서브문턱영역의 전송특성을... -
초고속 동작을 위한 더블 게이트 MOSFET 특성 분석
정학기, 김재홍 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 6 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2003, Vol.7 No.2 263-268 (6 pages)
본 논문에서는 main gate(MG)와 side gate(SG)를 갖는 double gate(DG) MOSFET 구조를 조사하였다. MG가 50nm일 때 최적의 SG 전압은 약 3V임을 알 수 있었고, 각각의 MG에 대한 최적의 SG 길이는 약 70nm임을 알 수 있었다. DG MOSFET는 매우 작은 문턱 전압 roll-off 특성을 나타내고, 전류-전압 특성곡선에서 VMG=VDS=1.5V, VSG=3V인 곳에서 포화전류는 550$mu extrm{A}$/m임을 알 수 있었다. subthrehold slope는 82.6㎷/decade, 전달 컨덕턴스는 l14$mu extrm{A}$/$mu extrm{m}$ 그리고 DIBL은 43.37㎷이다 다중 입력 NAND 게이트... -
나노채널 MOSFET의 문턱전압분석
정정수, 김재홍, 고석웅, 이종인, 정학기 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 6 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2002, Vol.6 No.1 109-114 (6 pages)
본 논문에서는 나노규모의 채널길이를 가지는 Si-기반 MOSFET의 문턱전압은 시뮬레이션하여 그 결과를 나타내었다. 180nm의 게이트 길이를 가지는 소자를 기본소자로 하여 정전압 스켈링과 평면 스켈링을 적용하여 소자를 축소하고 시뮬레이션 하였다. 이러한 MOSFET은 LDD(lightly doped drain)구조를 가지고 있으며, 이 구조는 드레인 영역에서의 전계의 크기와 단채널 효과를 줄여준다. 이 영역에서의 고전계현상은 축소에 기인한다. 이러한 소자들의 문턱전압을 조사하고 분석하였다. 이러한 분석은 IC의 응용한계 및 VLSI의... -
하단게이트 전압에 따른 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이동 의존성
정학기, Jung. Hakkee 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2014, Vol.18 No.6 1422-1428 (7 pages)
본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 하단 게이트전압에 대한 문턱전압이동 현상에 대하여 분석하였다. 비대칭 DGMOSFET는 4단자소자로서 상단과 하단의 게이트단자에 별도의 전압을 인가할 수 있으므로 하단게이트전압의 변화가 문턱전압에 영향을 미칠 것이다. 그러므로 단채널효과로 알려져 있는 문턱전압 이동현상이 하단게이트전압에 의하여 감소할 수 있는지를 관찰하고자 한다. 이를 위하여 문턱전압이하영역에서의 차단전류모델을 제시하였으며 차단전류가 채널폭 당 $10^{-7}A/{mu}m$일 경우의... -
핀 폭에 따른 문턱전압 변화를 줄이기 위한 무접합 MuGFET 소자설계 가이드라인
이승민, 박종태, Lee. Seung-Min, Park. Jong-Tae 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2014, Vol.18 No.1 135-141 (7 pages)
본 연구에서는 무접합 MuGFET의 핀 폭에 따른 문턱전압의 변화를 줄이기 위한 소자 설계 가이드라인을 제시하였다. 제작된 무접합 MuGFET으로부터 핀 폭이 증가할수록 문턱전압의 변화가 증가하는 것을 알 수 있었다. 무접합 MuGFET의 핀 폭에 따른 문턱전압의 변화를 줄이기 위한 소자 설계가이드라인으로 게이트 유전체, 실리콘박막의 두께, 핀 수를 최적화 하는 연구를 3차원 소자 시뮬레이션을 통해 수행하였다. 고 유전율을 갖는 $La_2O_3$ 유전체를 게이트 절연층으로 사용하거나 실리콘 박막을 최대한 얇게 하므로 핀 폭이... -
Design of DGMOSFET for Optimum Subthreshold Characteristics using MicroTec
Jung. Hak-Kee, Han. Ji-Hyeong 한국정보통신학회 International journal of maritime information and communication sciences 4 Pages
한국정보통신학회 International journal of maritime information and communication sciences 2010, Vol.8 No.4 449-452 (4 pages)