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고밀도 유도 결합 플라즈마 장치의 SiH4/O2/Ar 방전에 대한 공간 평균 시뮬레이터 개발
배상현, 권득철, 윤남식, Bae. S.H., Kwon. D.C., Yoon. N.S. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.5 426-434 (9 pages)
고밀도 유도결합 플라즈마 장치의 $SiH_4/O_2/Ar$방전에 대한 공간 평균 시뮬레이터를 제작하였다. 제작된 시뮬레이터는 $SiH_4/O_2/Ar$ 플라즈마 방전에서 발생되는 전자, 양이온, 음이온, 중성종, 그리고 활성종들에 대해 공간 평균한 유체 방정식을 기반으로 하고 있으며, 전자가열 모델은 anomalous skin effect를 고려한 파워 흡수 모델을 적용하여 전자가 흡수하는 고주파 파워량을 결정하였다. 완성된 시뮬레이터에서 RF-파워와 압력 변화에 대한 하전입자, 중성종, 활성종들의 밀도 변화 및 전자 온도 의존성을 계산하였다. -
분자선에피를 이용한 $In_{0.2}Ga_{0.8}N/GaN$ 이종접합구조의 성장에 미치는 플라즈마의 영향
심규환, Shim. Kyu-Hwan 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2005, Vol.14 No.2 84-90 (7 pages)
이용한 $In_{0.2}Ga_{0.8}N/GaN$ 이종접합 구조의 에피성장에 미치는 플라즈마의 rf전력의 영향에 대해 고찰하였다. 플라즈마를 발생시키는 rf 전력과 플라즈마 챔버압력의 조건에 따라 성장표면에 도달하는 분자나 원자의 에너지와 flux가 조절되어 에피성장 속도와 물질적 특성을 변화시킨다. 전력이 너무 낮거나 높은 조건에서 표면거칠기와 광특성이 각각 저하된 결과를 보였으며, 적정한 전력인 400W에서 성장한 $In_{0.2}Ga_{0.8}N/GaN$이 종접합 구조에서 날카로운 계면과 강한 photoluminescence 피크를 보였다. 이러한 현상에... -
Cu(Mg) alloy 금속배선에 의한 TiN 확산방지막의 특성개선
박상기, 조범석, 조흥렬, 양희정, 이원희, 이재갑 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.2 234-240 (7 pages)
수 있었다. 그러나 Cu(Mg) a]toy는 TiN위에서 접착특성이 좋지 않기 때문에 TiN을 $O_2$plasma 처리하였으며 $O_2$ plasma 처리후 $300^{circ}C$ 진공열처리를 통해 접착력이 크게 향상되는 것을 알 수 있었다. 이는 $O_2$ plasma 처리에 의해 TiN표면에 Mg과 반응할 수 있는 산소의 양이 증가하는 데 기인하며 이에 따라 Mg의 계면이동이 크게 증가되어 치밀한 MgO가 형성됨을 확인하였다. 그리고 $O_2$ plasma 처리시 RF power를 증가시키면 계면으로 이동하는 Mg의 양이 오히려 감소하였고 이것은 TiN의 표면이 $TiO_2$로 변하여 Mg과... -
$alpha-Si$의 contact hole 수의 증가에 따른 MIM antifuse의 전기적 특성
이상기, 김용주, 임원택, 이동윤, 권오경, 이창효 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.1 46-50 (5 pages)
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방법으로 증착하였으며, 물성은 RF power를 달리하여 변화시켰다. $alpha$-Si MIM구조의 antifuse를 프로그램할 때 생기는 failure rate를 줄이기 위해 전극 사이에 삽입되는 $alpha$-Si의 contact hole 크기와 개수를 변화시켜 보았다. MIM antifuse는 contact hole이 2개 이상일 때 failure rate가 10% 이내로 줄었으며, 프로그래밍 전류는 거의 변화가 없었다. 항복전압은 10-11V범위에 집중적으로 분포하였으며, 5V에서의 누설전류는 contact hole의 수가 증가함에 따라 커짐을 알았다. -
산소플라즈마와 급속열처리에 의해 제조된 티타니아 박막의 휴믹산 제거
장준원, 박재우, Jang. Jun-Won, Park. Jae-Woo 한국지하수토양환경학회 지하수토양환경 7 Pages
한국지하수토양환경학회 지하수토양환경 2007, Vol.12 No.3 29-35 (7 pages)
티타늄을 산화하고 급속열처리하여 티타니아 광촉매 박막을 제조하고 휴믹산 제거실험을 수행하였다. 플라즈마 화학기상증착장치에서의 산소플라즈마는 티타늄 표면을 산화시킴으로써 광촉매 피막을 생성하게 된다. 증착조건에서 RF power는 최대 500 W 이하에서 100 W, 150 W, 300 W, 처리시간은 5분, 10분에서 조절되었다. 박막의 특성은 XPS와 XRD로 측정하였다. 실험으로서 우리는 박막이 높은 성능을 나타내는 최적을 조건을 찾았다. 또한 제조된 박막의 경우 기존 Thermal spray Titania film에 비해 2배정도 우수하였고 분말만큼... -
환경친화형 페라이트 코어 유도결합 플라즈마 고주파 전력 변환 장치
이정호, 최대규, 김수석, 이병국, 원충연, Lee. Joung-Ho, Choi. Dae-Kyu, Kim. Soo-Seok, Lee. Byoung-Kuk, Won. Chung-Yuen 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 9 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 2006, Vol.20 No.8 6-14 (9 pages)
Transistor Liquid Crystal Display) PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비 공정용 챔버(Chamber) 세정을 위한 새로운 플라즈마 세정방법에 적합한 플라즈마 발생방법과 플라즈마 발생을 위한 고주파 전원장치의 전력회로에 관한 연구이다. 세정에 요구되는 고밀도 플라즈마는 안테나 형태의 기존 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식에 강자성체인 페라이트 코어를 적용하므로 써 $1{ imes}10^{11}[EA/cm^3]$이상의 고밀도 플라즈마 발생을 가능하게 하였다. 플라즈마 발생을 위한 400[kHz] 고주파 전력 변환장치의... -
Design of Cooling System for Large-Area and High-Rate Deposition of Hydrogenated Microcrystalline Silicon
Lim. You-Bong, Hwang. Doo-Sup, Lee. Jun-Oh, Lee. Jeong-Hoon, Kim. Hoon-Hee, Chang. Woo-Sok 한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 4 Pages
한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 2012, Vol.13 No.7 1137-1140 (4 pages)
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${N_2}O$ 플라즈마에 의한 AlGaN/GaN HEMT의 누설전류 감소
양전욱, Yang. Jeon-Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2007, Vol.11 No.4 152-157 (6 pages)
AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 20 mTorr의 챔버 압력과 15 sccm의 ${N_2}O$ 유량, 40 W의 RF 전력의 조건으로 원거리에서 형성된 플라즈마로 소스와 드레인 영역을 10초${sim}$120초 동안 처리하여 HEMT의 전기적 특성을 관찰하였다. 상온에서 ${N_2}O$ 플라즈마에 처리한 경우 HEMT의 특성이 변화하지 않았으나 $200^{circ}C$의 온도에서 10초 동안 처리한 경우 게이트 길이가 1um, 소스와 드레인 사이의 거리가 4um인 HEMT의 게이트 누설전류가 246 nA로부터 1.2 pA로 크게 감소하였다. 또한 25 um... -
고주파 열플라즈마 토치를 이용한 Ni 금속 입자의 나노화 공정에 대한 전산해석 연구
남준석, 홍봉근, 서준호, Nam. Jun Seok, Hong. Bong-Guen, Seo. Jun-Ho 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 9 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2013, Vol.26 No.5 401-409 (9 pages)
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Cu oxide의 형성과 H(hfac) 반응을 이용한 Cu 박막의 건식식각
양희정, 홍성진, 조범석, 이원희, 이재갑, Yang. Hui-Jeong, Hong. Seong-Jin, Jo. Beom-Seok, Lee. Won-Hui, Lee. Jae-Gap 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.6 527-532 (6 pages)
O$_2$plasma와 H(hfac)을 이용한 Cu 박막의 건식 식각을 조사하였다. 휘발성이 큰 Cu(hfac)$_2$와 $H_2O$를 탈착시키기 위하여 $O_2$ Plasma를 이용한 Cu 박막의 산화와 생성된 Cu 산화막을 H(hfac)과의 반응으로 제거하는 공정으로 식각을 수행하였다. Cu 박막의 식각율은 50-700 /min의 범위를 보였으며, 기판온도, H(hfac)/O$_2$ 유량비, plasma power에 따라 변하였다. Cu 박막의 식각율은 기판온도 215$^{circ}C$보다 높은 온도구간에서 RF power가 증가함에 따라 증가하였고, 산화 공정과 H (hfac)과의 반응이 균형을 이루는 최적의...