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ECR 플라즈마 반응로의 설계변수 분석
강봉구, 박성호, Gang. Bong-Gu, Park. Seong-Ho 한국전자통신연구원 전자통신 9 Pages
한국전자통신연구원 전자통신 1989, Vol.11 No.2 100-108 (9 pages)
본 연구에서는 초고집적 반도체소자의 제작을 위해 기존 건식 식각장비를 미래의 유명한 식각장비로서 부각될 ECR(Electron Cyclotron Resonance)형 플라즈마 식각기로의 구조 및 성능 개선을 위해 플라즈마 발생실, 이를 둘러싸는 자기장 형성코일, 그리고 공정반응실의 주요한 설계변수를 추출하여 이론적 계산에 의해 최적화함으로써, 차후 prototype ECR 건식 식각장치를 제작하기 위한 기반기술을 구축하였다. -
반응가스조성이 PET기판위에 ECR 화학증착법에 의해 제조된 SnO2 박막특성에 미치는 영향
김연석, 이중기, Kim. Yun-Seok, Lee. Joong-Kee 한국전기화학회 전기화학회지 7 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2005, Vol.8 No.3 139-145 (7 pages)
전자싸이크로트론공명(ECR: Electro Cyclotron Resonance)상온화학증착법에 의해 PET 폴리머기판위에 $SnO_x$ 박막을 제조하고, Sn의 전구체인 TMT(Tetra-methyl Tin)에 대한 산소와 수소의 몰 비 변화가 박막의 특성에 미치는 영향을 조사하였다 비화학양론적인 결합에 의해 성장된 투명 주석 산화막은 주입되는 산소/TMT, 수소/TMT몰 비에 의하여 조성비가 결정되고, 결정된 조성비에 의해 전기적 성질이 결정되는 것을 확인할 수 있었다. 산소/TMT의 몰 비 변화에 대하여 PET(polyethylene terephthalate)에 증착된 $SnO_x$ 박막의... -
지파 불안정성 해석에 의한 대구경 후진파발진기의 연구
김원섭, Kim. Won-Sop 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2010, Vol.23 No.1 70-75 (6 pages)
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ECR을 이용한 ${SF_6}/{O_2}$ 가스 플라즈마에 의한 ITO의 식각 특성연구
권광호, 강승열, 김곤호, 염근영 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.7 563-567 (5 pages)
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저온 증착된 불소도핑 주석 산화 박막의 광학적·전기적 특성
박지훈, 전법주, Park. Ji Hun, Jeon. Bup Ju 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2013, Vol.23 No.9 517-524 (8 pages)
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차세대 노광공정용 Ta박막의 $0.2mu extrm{m}$ 미세패턴 식각특성 연구
우상균, 김상훈, 주섭열, 안진호, Woo. Sang-Gyun, Kim. Sang-Hoon, Ju. Sup-Youl, Ahn. Jin-Ho 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.12 819-824 (6 pages)
본 연구에서는 Electron Cyclotron Resonance plasma etching system 을 이용한 Ta 박막의 미세 식각 특성을 연구하였다. 염소 plasma를 사용하여 microwave power, RF Power, working pressure, gas chemistry 등의 변화에 따른 식각 profile의 영향을 조사하였고, pattern density가 증가함에 따라 발생하는 microloading 현상을 $0.2{mu extrm{m}}$ 이하의 패턴에서 확인 하였다. 이를 개선하기 위하여 식각 과정을 두 단계로 분리하는 2단계 식각 공정을 수행하였으며 이를 통해 우수한 식각 profile을 얻을 수 있었다. -
ECR-PECVD로 증착한 a-Si : H/Si으로 부터의 가시 PHotoluminescence
심천만, 정동근, 이주현, Shim. Cheon-Man, Jung. Dong-Geun, Lee. Ju-Hyeon 한국재료학회 한국재료학회지 3 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.4 359-361 (3 pages)
$SiH_{4}$를 반응물질로 사용하여 electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition(ECR-PECVD)로 실리콘 기판위에 증착한 수소화 비정질 실리콘(a-Si:H)으로부터 가시 photoluminescence(PL) 가 관찰되었다. a-si:H/Si로 부터의 PL은 다공질실리콘으로부터의 PL과 유사하였다. 급속열처리에 의해 $500^{circ}C$에서 2분간 산소분위기에서 어닐링된 시편의 수소함량은 1~2%로 줄어들었고 시편은 가시 PL을 보여주지 않았는데 이는 a-Si:H의 PL과정에서 수소가 중요한 역할을 한다는 것을 뜻한다. 증착된... -
저유전율 SiOF 박막의 흡습 특성 연구
이석형, 유재윤, 오경희, 박종완, Lee. Seok-Hyeong, Yu. Jae-n, O. Gyeong-Hui, Park. Jong-Wan 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.11 969-973 (5 pages)
저유전율 층간절연물질인 불소첨가 SiO$_{2}$박막을 ECR(electron cyclotron resonance) Plasma chemical vapor deposition 법으로 성막하였다. SiOF박막의 증착은 SiF$_{4}$/O$_{2}$의 가스유량비를 변수로하여 0.2에서 1.6까지 변화시켜 증착하였고, 이때 마이크로파 전력은 700W, 기판온도는 30$0^{circ}C$에서 행하였다. 증착된 SiOF박막의 흡습특성을 알아보기 위하여 Fourier transformed infrared spectroscopy(FTIR)을 이용하여 분석한 결과, 가스유량비 (SiF$_{4}$O$_{2}$)가 0.2 에서 1.6으로 증가하였을 때... -
Si3N4장벽층을 이용한 경사형 모서리 접합의 터널링 자기저항 특성
김영일, 황도근, 이상석, Kim. Young-Ii, Hwang. Do-Guwn, Lee. Sang-Suk 한국자기학회 韓國磁氣學會誌 5 Pages
한국자기학회 韓國磁氣學會誌 2002, Vol.12 No.6 201-205 (5 pages)
모서리접합을 이용한 터널링 자기저항(tunneling magnetoresistance; TMR) 특성을 연구하였다. 박막 증착과 식각은 스퍼터링과 사이크로트론 전자공명 (electron cyclotron resonance; ECR) 장치를 각각 사용하였다. Si$_3$N$_4$ 장벽층을 이용한 접합의 다층구조는 NiO(60)/Co(10)/NiO(60)/Si$_3$N$_4$(2-6)/NiFe(10) (nm)이었다. 상하부 반강자성체 NiO에 삽입된 wedged 형태의 고정층 Co와 장벽층 Si$_3$N$_4$위에 경사진 비대칭 구조에서 자유층 NiFe간의 접합에서 일어나는 특이한 스핀의존 터널링 현상이 관찰되었다. 외부자장이 0...