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Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향
윤형섭, 이진희, 이경호, Yoon. H.S., Lee. J.H., Lee. K.H 한국전자통신연구원 전자통신동향분석 5 Pages
한국전자통신연구원 전자통신동향분석 2000, Vol.15 No.6 113-117 (5 pages)
본 고에서는 MHEMT(Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT) 구조의 특성, MHEMT 소자특성, MHEMT MMIC 결과와 향후의 기술동향을 논의한다. -
DX 쎈터관련 HEMT소자 제작동향
이재진, 김진섭, Lee. Jae-Jin, Kim. Jin-Seop 한국전자통신연구원 전자통신동향분석 12 Pages
한국전자통신연구원 전자통신동향분석 1990, Vol.5 No.2 109-120 (12 pages)
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개선된 HEMT 비선형 서브임계전압 영역모델
김영민, Kim. Yeong-Min 한국전자통신연구원 전자통신 7 Pages
한국전자통신연구원 전자통신 1989, Vol.11 No.4 98-104 (7 pages)
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GaAs/A1GaAs HEMT구조의 2DEC 측정
이재진, 맹성재, 박효훈, 김진섭, 마동성, Lee. Jae-Jin, Maeng. Seong-Jae, Park. Hyo-Hun, Kim. Jin-Seop, Ma. Dong-Seong 한국전자통신연구원 전자통신 8 Pages
한국전자통신연구원 전자통신 1989, Vol.11 No.4 67-74 (8 pages)
n-GaAs/A1GaAs계의 화합물 반도체 접합에 형성되는 이차원 전자 가스를 캐패시턴스-전압(C-V), 각도 의존 자기저항(SdH), 전자 빔 반사(EBER)등의 측정 방법을 통하여 A1GaAs 조성비(x)는 0.281, 전도대와 가전도대의 밴드 불연속은 각각 밴드 갭($E_g$)의 69%와 31%임을 알았고, 여기에 존재하는 이차원 전자가스의 면농도는 $5.4 imes10^11cm^-2, 페르미 준위 $E_F$는 25mev임을 알았다. 또한 도핑 된 A1GaAs층에서 흔히 나타나는 Franz-Keldysh진동은 불순물의 활성화도가 작으면 형성되는 전기장의 약화로 나타나지 않는다는 것을... -
AlGaN/GaN HEMT의 채널폭 스케일링에 따른 협폭효과
임진홍, 김정진, 심규환, 양전욱, Lim. Jin Hong, Kim. Jeong Jin, Shim. Kyu Hwan, Yang. Jeon Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2013, Vol.17 No.1 71-76 (6 pages)
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 채널폭의 감소에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. AlGaN/GaN 이종접합구조 기반의 기판 위에 채널의 길이는 $1{mu}m$, 채널 폭은 각각 $0.5{sim}9{mu}m$가 되도록 전자선 리소그라피 방법으로 트랜지스터를 제작하였다. 게이트를 형성하지 않은 상태에서 채널의 면저항을 측정한 결과 sub-${mu}m$ 크기로 채널폭이 작아짐에 따라 채널의 면저항이 급격히 증가하였으며, 트랜지스터의 문턱전압은 $1.6{mu}m$와 $9{mu}m$의 채널폭에서 -2.85 V 이었으며... -
Si 기판 GaSb 기반 p-채널 HEMT 제작을 위한 오믹 접촉 및 식각 공정에 관한 연구
윤대근, 윤종원, 고광만, 오재응, 이재성, Yoon. Dae-Keun, Yun. Jong-Won, Ko. Kwang-Man, Oh. Jae-Eung, Rieh. Jae-Sung 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 5 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2009, Vol.13 No.4 23-27 (5 pages)
실리콘 기판 상에 MBE (molecular beam epitaxy)로 형성된 GaSb 기반 p-channel HEMT 소자를 제작하기 위하여 오믹 접촉 형성 공정과 식각 공정을 연구하였다. 먼저 각 소자의 절연을 위한 메사 식각 공정 연구를 수행하였으며, HF기반의 습식 식각 공정과 ICP(inductively coupled plasma)를 이용한 건식 식각 공정이 모두 사용되었다. 이와 함께 소스/드레인 영역 형성을 위한 오믹 접촉 형성 공정에 관한 연구를 진행하였으며 Ge/Au/Ni/Au 금속층 및 $300^{circ}C$ 60초 RTA공정을 통해 $0.683;{Omega}mm$의 접촉 저항을 얻을 수... -
Sapphire SiC, Si 기판에 따른 AlGaN/GaN HEMT의 DC 전기적 특성의 시뮬레이션과 분석
김수진, 김동호, 김재무, 최홍구, 한철구, 김태근, Kim. Su-Jin, Kim. Dong-Ho, Kim. Jae-Moo, Choi. Hong-Goo, Hahn. Cheol-Koo, Kim. Tae-Geun 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 7 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2007, Vol.11 No.4 272-278 (7 pages)
열 특성을 기판을 달리하며 시뮬레이션을 수행하였다. 일반적으로 HEMT 소자의 전자 이동도 및 열전도 특성은 기판의 영향이 그 특성을 크게 좌우한다. 이러한 문제점으로 인해 GaN 기반의 HEMT 소자의 기판에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 따라서, 일반적인 Drift-Diffusion 모델과 열 모델을 이용하여 Si, sapphire, SiC (silicon carbide)으로 각각 기판을 변화시키며 시뮬레이션을 하였다. 열 모델 시뮬레이션은 온도를 각각 300, 400, 500K로 변화시키며 그 결과를 비교, 해석 하였다. 전류-전압 (I-V) 특성을 T= 300 K,... -
${N_2}O$ 플라즈마에 의한 AlGaN/GaN HEMT의 누설전류 감소
양전욱, Yang. Jeon-Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2007, Vol.11 No.4 152-157 (6 pages)
플라즈마로 소스와 드레인 영역을 10초${sim}$120초 동안 처리하여 HEMT의 전기적 특성을 관찰하였다. 상온에서 ${N_2}O$ 플라즈마에 처리한 경우 HEMT의 특성이 변화하지 않았으나 $200^{circ}C$의 온도에서 10초 동안 처리한 경우 게이트 길이가 1um, 소스와 드레인 사이의 거리가 4um인 HEMT의 게이트 누설전류가 246 nA로부터 1.2 pA로 크게 감소하였다. 또한 25 um 떨어진 200um 폭의 두 활성층 사이 누설전류가 3 uA로부터 7 nA로 감소하였으며 720 ${Omega}/{ox}$의 활성층의 면저항을 608 ${Omega}/{ox}$로 감소시켜 도전율의... -
트렌치 구조의 소스와 드레인 구조를 갖는 AlGaN/GaN HEMT의 DC 출력특성 전산모사
정강민, 이영수, 김수진, 김동호, 김재무, 최홍구, 한철구, 김태근, Jung. Kang-Min, Lee. Young-Soo, Kim. Su-Jin, Kim. Dong-Ho, Kim. Jae-Moo, Choi. Hong-Goo, Hahn. Cheol-K 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.10 885-888 (4 pages)