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Single FET와 CRLH 전송선을 이용한 이중대역 고효율 전력증폭기 설계
김선숙, 서철헌, Kim. Seon-Sook, Seo. Chul-Hun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2010, Vol.47 No.2 56-61 (6 pages)
본 논문에서는 단일 FET와 composite right/left-handed (CRLH) 전송선을 이용하여 2.14GHz/5.2GHz 이중대역 고효율 전력 증폭기를 설계 구현하였다. 전송선로를 이용하여 초기의 정합값을 적절히 이동시켜 하나의 능동소자로 2.14GHz/5.2GHz의 이중대역에서 동작되는 전력증폭기를 설계하였다. 이중 대역에서 모든 고조파 성분을 조절하는 것은 매우 어렵기 때문에, CRLH 전송 선로를 이용하여 이중 대역에서 고효율 특성을 얻도록 오직 2차, 3차 고조파 성분만을 조절하였다. 또한, 이중 대역에서의 출력특성이 균형을 이루도록 하였다.... -
Single FET와 Class-F급을 이용한 이중대역 고효율 전력증폭기 설계
김선숙, 서철헌, Kim. Seon-Sook, Seo. Chul-Hun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2008, Vol.45 No.1 110-114 (5 pages)
본 논문에서는 단일 FET를 이용하여 2.14GHz/5.2GHz 이중대역 고효율 Class F 전력증폭기를 설계 구현하였다. 전송선로를 이용하여 초기의 정합값을 적절히 이동시켜 하나의 능동소자로 2.14GHz/5.2GHz의 이중대역에서 동작되는 전력증폭기를 설계하였으며, 2.14GHz에서 32.65dBm의 출력과 11dB의 출력이득 36%의 전력효율을, 5.2GHz에서 7dB의 출력이득의 특성을 보였다. 고조파를 제어 회로를 설계하여 증폭기의 출력단에 추가 하여 Class F로 동작하는 이중대역 전력증폭기를 설계 하였다. 이중대역 Class F 전력증폭기는 2.14GHz에서... -
두 개의 공통 게이트 FET를 이용한 캐스코드형 CMOS 저잡음 증폭기의 후치 선형화 기법
황과지, 김태성, 김성균, 김병성, Huang. Guo-Chi, Kim. Tae-Sung, Kim. Seong-Kyun, Kim. Byung-Sung 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2007, Vol.44 No.7 41-46 (6 pages)
선형 전류 성분과 혼변조 전류 성분을 선택적으로 분류하기 위해 $0.18{mu}m$ CMOS 공정에서 제공되는 후막 (thick oxide) FET를 혼변조 전류 흡수용 FET로, 박막 (thin oxide) FET를 선형 전류 버퍼로 사용하였다. 제안된 방법을 검증하기 위해 $0.18{mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 2.14GHz에서 동작하는 저잡음 증폭기를 설계하였다. 제작된 차동 증폭기는 1.8V 전원에서 12.4mA를 소모하며, 측정 결과로 11 dBm IIP3, 15.5 dB 전력이득, 그리고 2.85 dB 잡음지수를 특성을 얻었다. 이는 후치 선형화가 없는 회로에 비해 7.5dB의 $IIP_{3}... -
마이크로파 분배증폭기에서 게이트선로에서 감쇠정수를 줄여서 대역폭을 넓히기 위하여 FET 칩에 직렬 케페시터를 삽입할 때 대역폭이 증가되는 관계를 유도하고 이때 분배증폭기의 설계방법을 제시한다. 실제 예로서 300μ 게이트 FET로써 4개 소자를 썼을 때 2-12GHz의 대역폭을 직렬 케페시터를 삽입하여서 2-200Hz까지의 균일한 전력이득을 얻었다.
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FET를 이용한 직렬인버어터 회로의 구성에 관한 연구
최부귀, 김종훈 대한전자공학회 電子工學會誌 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會誌 1977, Vol.14 No.3 18-24 (7 pages)
본 논문은 FET의 핀치오프특성을 이용하여 직렬인버어터회로를 구성하고 그것의 출력특성을 게이트바이어스 주파수 및 부하의 변동에 따라 분석하였다. 상기 회로는 SCR직렬인버어터회로에서 생기기 쉬운 게이트바이어스주파수 및 부하의 변동에 따른 출력의 불안정을 제거하였다. 그러나 FET직렬인버어터의 전류용량이 적어 경부하에 적당하다. -
Device and Circuit Level Performance Comparison of Tunnel FET Architectures and Impact of Heterogeneous Gate Dielectric
Narang. Rakhi, Saxena. Manoj, Gupta. R.S., Gupta. Mridula 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 13 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.3 224-236 (13 pages)
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Assessment of Ambipolar Behavior of a Tunnel FET and Influence of Structural Modifications
Narang. Rakhi, Saxena. Manoj, Gupta. R.S., Gupta. Mridula 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 10 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2012, Vol.12 No.4 482-491 (10 pages)