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C-H Bond Activation and C-C Bond Activation: A New Synthesis of $eta,gamma$-Unsaturated Ketones via Acylrhodium(III) 1-Methylallyl Complexes Through a Hydride Insertion into Coordinated-Butadiene
전철호, 강정부, Jun. Chul-Ho, Kang. Jung-Bu 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 3 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 1989, Vol.10 No.1 114-116 (3 pages)
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Enantioselective Reduction of Racemic Three-Membered Heterocyclic Compounds. 3. Reaction of Epoxides with B-Isopinocampheyl-9-borabicycolo[3.3.1]nonane-Potassium Hydride and Potassium B-Isopinocampheyl-9 boratabicyclo[3.3.1]nonane Systems$^1$
Cha. Jin-Soon, Lee. Kwang-Woo, Yoon. Nung-Min 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 3 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 1987, Vol.8 No.5 421-423 (3 pages)
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Molecular Orbital Calculation for Polymeric Beryllium Hydride, Polyeithylene and Polymeric Boron Hydride According to the Pseudo-Lattice Method
Oh. Seok-Heon, Jhang. Man-Chai, Jhon. Mu-Shik 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 5 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 1984, Vol.5 No.1 37-41 (5 pages)
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Homogeneous Catalysis (VI). Hydride Route with Chloro Ligand Dissociation for the Hydrogenation of Acrylonitrile with trans-Chlorocarbonylbis(triphenylphosphine)iridium(I)
Moon. Chi-Jang, Chin. Chong-Shik 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 4 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 1983, Vol.4 No.4 180-183 (4 pages)
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Lithium Aluminum Hydride Reduction Studies of Rigid $alpha$-Oximino Ketones
Kim. Jack C., Lee. Young-Tae, Kim. Min-Sook, Woo. Young-Min, Shin. Hong-Dae, Cho. In-Seop 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 4 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 1982, Vol.3 No.3 119-122 (4 pages)
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Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Standing GaN 기판의 특성에 관한 연구
김화목, 최준성, 오재응, 유태경, Kim. Hwa-Mok, Choe. Jun-Seong, O. Jae-Eung, Yu. Tae-Gyeong 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.3 14-19 (6 pages)
로 bare (0001) 사파이어 기판을 사용하여 hydride vapor Phase epitaxy (HVPE)법을 이용하여 free-standing GaN 단결정기판을 성장시켰다. 일정한 두께의 GaN막을 성장한 후 사파이어 기판을 mechanical polishing 작업으로 제거하여 두께 200 ㎛, 10×10 ㎛ 크기의 free-standing GaN 기판을 얻을 수 있었으며, 성장 전 GaCl 전처리를 수행함으로써 crack이 없는 기판을 제작할 수 있었다. 이렇게 제작된 free-standing GaN 기판의 특성을 SiO2 patterned sapphire위에 LEO (Lateral Epitaxial Overgrowth) 방법으로 성장된GaN박막과... -
HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxiy) 성장법으로 Ti metal mask를 이용한 GaN 성장연구
김동식, Kim. Dong-Sik 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the institute of electronics engineers of Korea. IE. 산업전자 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the institute of electronics engineers of Korea. IE. 산업전자 2011, Vol.48 No.2 1-5 (5 pages)
HVPE법으로 $3{mu}m$의 GaN epi를 성장하고 이 위에 DC 마그네트론 Sputter를 이용하여 Ti stripe 패턴 형성하였으며 다시 HVPE를 이용하여 $120{mu}m$ ~ $300{mu}m$ 두께의 GaN를 overgrowth하였다. 성장된 GaN는 SEM 측정으로 Ti 패턴한 부분에서 void가 관찰되었고 보다 두꺼운 GaN를 성장시에는 크랙이 void를 따라 발생할 수 있음을 확인하였으며 XRD측정으로 FWHM은 188 arcsec로 측정되었다. 성장전의 GaN epi와의 반치폭을 비교하였을 때 패턴에 사용된 Ti는 overgrowth시 결정성에는 크게 영향을 주지 않는다는 것을 확인하였다. -
Effect of the Metal Hydride Tank Structure on the Reaction Heat Recovery for the Totalized Hydrogen Energy Utilization System
Maeda. Tetsuhiko, Nakano. Akihiro, Ito. Hiroshi, Motyka. Theodore, Perez-Berrios. Jose M., Greenway. Scott 대한전기학회 Journal of international council on electrical engineering 7 Pages
대한전기학회 Journal of international council on electrical engineering 2013, Vol.3 No.2 103-109 (7 pages)
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Improvement of Numerical Simulation Model of the Metal Hydride Tank for the Totalized Hydrogen Energy Utilization System
Maeda. Tetsuhiko, Nishida. Keiichi, Hasegawa. Yasuo, Kawakami. Yoshiaki, Masuda. Masao 대한전기학회 Journal of international council on electrical engineering 7 Pages
대한전기학회 Journal of international council on electrical engineering 2012, Vol.2 No.1 59-65 (7 pages)