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PECVD로 증착된 불화 유기박막의 특성 평가
김준성, 김태곤, 박진구, 신형재 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2001, Vol.8 No.2 31-36 (6 pages)
Plasma Polymerization를 이용하여 Teflon-like 불화 유기 박막을 Si, $SiO_2$, Al, TEOS 위에 증착하였다. Difluoromethane $(CH_2F_2$)에 Ar, $O_2$, 그리고 $CH_4$를 첨가하여 첨가 가스에 따른 불화 유기 박막의 특성을 평가하였다. 각각의 첨가가스에 대하여 압력, 온도, 그리고 첨가가스의 비율을 변화시켜 박막을 증착하여 정접촉각 통한 표면의 친수성 (hydrophilicity)과 소수성(hydrophobicity) 정도를 관찰하였다. Ar을 첨가한 경우 Ar 첨가량과 power의 증가에 따라 정접촉각의 감소를 관찰하였다. 그러나 증착압력이... -
PECVD 방법으로 성장시킨 DLC 박막의 복소굴절율 및 성장조건에 따른 박막상수 변화
김상준, 방현용, 김상열, 김성화, 이상현, 김성영 한국광학회 한국광학회지 6 Pages
한국광학회 한국광학회지 1997, Vol.8 No.4 277-282 (6 pages)
있는 Diamond-like Carbon(DLC) 박막의 복소굴절율을 광학적 방법을 사용하여 구하였다. PECVD(Plasma enhanced CVD)법에 의해 Si(100)기판과 비정질실리카 기판위에 각각 성장시킨 DLC 박막을 분광타원해석기와 분광광도계를 이용하여 타원해석 스펙트럼과 광투과율 스펙트럼을 측정하고, Sellmeier 분산관계식과 양자역학적 진동자 모델을 이용하여 분석하였다. 비정질실리카 위에 증착된 DLC 박막의 광투과영역에서 분광타원해석분석으로 굴절률 및 박막의 유효두께를 구하고 광흡수영역에서 투과스펙트럼을 역방계산하여 소광계수를... -
PECVD 공정에 의한 TiC, TiN 및 Ti(CN)의 마찰 마모 특성 연구
이봉구, 전찬열, 김정기, 김동현, 오성모, Rhee. Bong Goo, Jeon. Ghan Yeol, Kim. Jung Ki, Kim. Dong Hyun, Oh. Seong Mo 한국공작기계학회 한국공작기계학회논문집 7 Pages
한국공작기계학회 한국공작기계학회논문집 2005, Vol.14 No.2 1-7 (7 pages)
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PECVD 기법에 의해 제조된 nc-Si : H 박막의 나노 구조적 특성
심재현, 정수진, 조남희 한국결정학회 한국결정학회지 6 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 2003, Vol.14 No.2 56-61 (6 pages)
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Diethylzinc를 사용하여 PECVD로 증착한 ZnO 박막의 미세 구조 분석
김영진, 김형준 한국결정학회 한국결정학회지 8 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1993, Vol.4 No.2 92-99 (8 pages)
Diethylzinc를 사용하여 PECVD장치로 ZnO 박막을 증 착하여 미세구조를 분석하였다. 기판 온도 100℃에서부터 이미 미세 결정 입자로 구성된 ZnO 박막의 증착이 가능했으며, 200℃이상에서는 C 축 배향성이 뛰어난 ZnO 박막이 유리 기판위에 증착되었다. c-면 사파이어 기판위에 증착된 ZnO 박막을 TEM으로 분석한 결과 기판 온도 350℃에서 EPITAXIAL (002) ZnO 박막이 성장됐으며, 입계에서는 Moire패턴에 의한 dislocation이 관찰되었다. -
미립액상법을 위한 PECVD 반응로설계
정용선, 오근호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 9 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1997, Vol.7 No.2 235-243 (9 pages)
$YBa_2Cu_3O_x$ 고온 초전도체 상을 MgO 단결정위에 증착시키기 위하여 액상의 에어로 졸 입자를 저온 플라즈마의 화학증기 증착로안에 유입하였다. 플라즈마의 분포를 조절하기 위한 반응로의 설계에 따라 초전도체상의 미세구조가 변화하는 양상을 관찰하였으며, 이때 증착 기판 위에서 관찰되는 입자들의 생성원인에 대하여 고찰하였다. 입자생성의 주된 원인으로는 불안정한 플라즈마의 분포와 출발원료의 낮은 기화속도에 기인하는 것으로 나타났다. 또한 증착속도는 출발원료가 기화되는 곳으로부터 멀어질수록 급격히 감소하는... -
미립액상 분말에 의한 $YBa_{2}Cu_{3}O_{x}$ 초전도체의 PECVD 증착법
정용선, 오근호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 9 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1996, Vol.6 No.2 229-237 (9 pages)
액상의 미립자를 이용하여 저온 플라즈마 반응로 안에서 $YBa_{2}Cu_{3}O_{x}$ 초전도체상을 MgO 단결정 위에 in-situ 증착하였다. 금속화합물의 용해도, 분해온도와 용매의 증기압이 이공정 방법에서 중용한 인자로 나타났으며, 초전도체상의 증착실험 조건은 산소분압이 0.3에서 2.7 kPa, 증착온도가 $800^{circ}C$에서 $940^{circ}C$까지이었다. 초전도체상을 위한 최적의 증착조건은 CuO 상전이선에 근접하게 나타났다.