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- JOURNAL OF BIOMEDICAL ENGINEERING RESEARCH : THE OFFICIAL JOURNAL OF THE KOREAN SOCIETY OF MEDICAL &(1)
- JOURNAL OF MAGNETICS(1)
- JOURNAL OF SENSOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(1)
- JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF KOREA(1)
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DC 마그네트론 스퍼터링을 이용한 IZO 박막의 제조와 특성 연구
박창하, 이학준, 김현범, 김동호, 이건환, Park. Chang-Ha, Lee. Hak-Jun, Kim. Hyeon-Boum, Kim. Dong-Ho, Lee. Gun-Hwan 한국표면공학회 한국표면공학회지 5 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2005, Vol.38 No.5 188-192 (5 pages)
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ITO 박막의 공정변수에 따른 특성 연구
김소라, 서정은, 김상호 한국표면공학회 한국표면공학회지 6 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2004, Vol.37 No.3 158-163 (6 pages)
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이온빔 스퍼터링 증착 ITO 박막의 미세 구조와 전기적 특성
한영건, 조준식, 고석근, 김동환, Han. Y.G., Cho. J.S., Koh. S.K., Kim. D.H. 한국태양에너지학회 태양에너지 11 Pages
한국태양에너지학회 태양에너지 2000, Vol.20 No.2 55-65 (11 pages)
이온빔 스퍼터링을 이용하여 Indium tin oxide (ITO)박막을 증착하였다. Ar 가스만을 이용하여 플라즈마를 형성한 경우와 $O_2$를 첨가한 경우에 대해 기판온도를 상온에서 $200^{circ}C$까지 증가시키면서 온도의 영향을 관찰하였으며 이온빔 에너지의 변화가 박막의 특성에 미치는 영향을 관찰하였다. Ar 이온만으로 증착한 ITO 박막은 domain 구조를 보였으며 Ar+$O_2$ 이온으로 증착한 경우 grain 구조를 나타내었다. Ar 이온만으로 증착된 ITO박막의 전기 비저항의 최소값은 $100^{circ}C$ 기판온도에서 $1.5 imes10^{-4}{Omega}cm$... -
ITO/PET 기판 위에 성장된 산화아연 나노로드에 형성된 은 입자의 광학적 특성 및 소수성 표면 연구
고영환, 김명섭, 유재수, Ko. Yeong-Hwan, Kim. Myung-Sub, Yu. Jae-Su 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.4 205-211 (7 pages)
인듐주석산화막/폴리에틸렌 테레프탈레이트(ITO/PET: indium tin oxide/polyethylene terephthalate) 유연 기판 위에 성장된 산화아연(ZnO) 나노로드(nanorods)를 이용하여 형성된 은(Ag) 입자의 광학적 특성 및 소수성 표면에 대해 조사하였다. 시료를 준비하기 위해 스퍼터링법(sputtering)으로 코팅된 산화아연 씨드층(seed layer)을 이용하여 전기화학증착법(electrochemical deposition)으로 산화아연 나노로드를 성장시킨 후, 열증발증착법(thermal evaporation)을 사용하여 은을 증착하였다. 산화아연 나노로드의 불연속적인 표면... -
γ-FIB 시스템을 이용한 산소 유량 변화에 따른 산화인듐주석 박막의 특성 연구
김동해, 손찬희, 윤명수, 이경애, 조태훈, 서일원, 엄환섭, 김인태, 최은하, 조광섭, 권기청, Kim. D.H., Son. C.H., Yun. M.S., Lee. K.A., Jo. T.H., Seo. I.W., Uhm. H.S., Kim. I.T., Choi. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.6 333-341 (9 pages)
ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 $1.0{ imes}10^{-3}$ Torr의 공정 압력과 2 kW 및 13.56 MHz의 RF 전력, 1,000 sccm의 Ar 가스 조건하에 0~12 sccm의 $O_2$ 가스 유량을 변경하면서 증착하였다. 광투과율 측정은 적분구를 이용하였으며, 측정 파장 범위는 300~1,100 nm이다. 4-point probe를 이용하여 면저항을 측정하였으며, Hall Measurement System을 이용하여 비저항, 캐리어 농도 및 전자이동도를 측정하였다. Scanning electron microscope 장비를 이용하여 ITO 박막 표면을 분석하였고, 박막의 거칠기는 Atomic force microscope을... -
이중벽 탄소나노튜브의 염산처리 시간에 따른 전계방출 특성 평가
정다미, 석중현, Jung. Da-Mi, Sok. Jung-Hyun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.1 70-76 (7 pages)
합성된 이중벽 탄소나노튜브는 불순물로 비정질 탄소와 금속촉매를 포함하고 있어, 이를 제거하기 위해 열처리와 과산화수소, 질산, 염산을 이용한 산 처리를 하였다. 정제된 이중벽 탄소나노튜브를 계면 활성제인 Sodium dodecylbenzenesulfonate (SDBS)를 사용하여 잉크를 제작하였고, 잉크를 스프레이 방법으로 Indium Tin Oxide (ITO)기판에 분무하여 전계방출을 위한 에미터를 제작하였다. 본 연구에서는 염산 처리 시간에 따른 이중벽 탄소나노튜브의 특성을 X-ray diffraction, Thermal Gravity Analysis (TGA) 측정을 통해... -
진공증착법에 의해 제작된 Cd2GeSe4와 Cd2GeSe4:Co2+ 박막의 물리적 특성
이정주, 성병훈, 이종덕, 박창영, 김건호, Lee. Jeoung-Ju, Sung. Byeong-Hoon, Lee. Jong-Duk, Park. Chang-Young, Kim. Kun-Ho 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.6 459-467 (9 pages)
진공증착법으로 $Cd_2GeSe_4$와 $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막을 ITO(indium tin oxide) 유리 기판 위에 제작하였다. 결정화는 증착된 박막들을 질소분위기의 전기로에서 열처리함으로서 이룰 수 있었다. X-선 회절 분석에 의하여 증착된 $Cd_2GeSe_4$와 $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막의 격자상수는 $a;=;7.405;{AA}$, $c;=;36.240;{AA}$와 $a;=;7.43;{AA}$, $c;=;36.81;{AA}$로서 능면체(rhombohedral) 구조이었고, 열처리 온도를 증가함에 따라 (113)방향으로 선택적으로 성장됨을 알 수 있었다. 열처리 온도를 증가시킴에 따라 입계 크기가... -
인라인 스퍼터링에 의한 저항막 방식 터치패널용 ITO 기판 제조공정 최적화 기술
안민형, 조의식, 권상직, Ahn. M.H., Cho. E.S., Kwon. S.J. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.6 440-446 (7 pages)
본 연구에서는 인라인 스퍼터링 공정을 이용하여 저항막 방식 터치패널에 적용이 가능한 인듐 주석 산화물(indium tin oxide: ITO)기판 제조 공정을 최적화하였다. 플라스틱 기판으로 고분자 기판인 폴리카보네이트(polycarbonate : PC) 기판을 사용하였으며 면저항 $500{pm}50;{Omega}$/□, 면저항 균일도 10 % 이내, 투과율 87 %(at550nm)이상, 두께 $120{sim}250;{AA}$의 조건을 만족하는 ITO 기판의 공정 최적화를 위한 실험을 진행하였다. 스퍼터링 공정은 초기 진공도 $1{ imes}10^{-6};torr$ 일 때 상온에서 DC 전압을 인가하여... -
ITO 기판에 제작된 PLZT 박막의 후열처리 온도에 따른 전기적 특성평가
차원효, 윤지언, 황동현, 이철수, 이인석, 손영국, Cha. Won-Hyo, Youn. Ji-Eon, Hwang. Dong-Hyun, Lee. Chul-Su, Lee. In-Seok, Sona. Young-Guk 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.1 28-33 (6 pages)
R.F 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 Indium tin oxide(ITO)가 증착된 유리기판 위에 PLZT ($Pb_{1.1}La_{0.08}Zr_{0.65}Ti_{0.35}O_3$) 박막을 제작하였다. 기판온도를 $500^{circ}C$로 고정하여 증착한 후 급속열처리 방법으로 다양한 온도 ($550-750^{circ}C$)에서 후열처리 하였다. 후열처리온도의 변화에 따른 PLZT 박막의 결정학적 특성을 X선 회절법을 통하여 분석하였고 원자간력 현미경을 이용하여 박막의 표면 상태를 관찰하였다. 또한 precision material analyzer 을 이용하여 분극이력곡선과 피로특성을 측정하였다. 후...


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