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Low-Angle Forward Reflected Neutral Beam Etching을 이용한 Aspect-Ratio-Dependent Etching 현상의 제거
민경석, 박병재, 염근영, 김성진, 이재구, Min. Kyung-Seok, Park. Byoung-Jae, Yeom. Geun-Young, Kim. Sung-Jin, Lee. Jae-Koo 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.4 387-394 (8 pages)
연구에서는 반응성 이온빔을 low-angle forward reflection으로 생성시킨 중성빔을 이용하여 Aspect Ratio Dependent Etching (ARDE) 현상이 제거되는 효과에 대하여 연구하였다. SF6 가스를 사용하여 Inductively Coupled Plasma system과 이온빔으로 각각 poly-Si 을 식각한 결과 ARDE 현상을 관찰할 수 있었으며, Si 기판위에 증착된 Poly-Si을 식각하는 것보다 $SiO_2$ 기판 위에 증착된 Poly-Si을 식각하는 것이 ARDE 현상이 더 많이 나타난다는 것을 관찰할 수 있었다. 반면에 같은 공정 조건에서 중성빔으로 poly-Si을 식각한 결과... -
저에너지의 Ar 중성빔을 이용한 Silicon의 Atomic Layer Etching
오창권, 박상덕, 염근영, Oh. Chang-Kwon, Park. Sang-Duk, Yeom. Geun-Young 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2006, Vol.16 No.4 213-217 (5 pages)