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Capacitively Coupled Plasma Source를 이용한 Etcher의 상부 전극 온도 변화에 따른 Etch 특성 변화 개선
신한수, 노용한, 이내응, Shin. Han-Soo, Roh. Yong-Han, Lee. Nae-Eung 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.5 322-326 (5 pages)
가 직접 인가되는 capacitively coupled plasma source를 이용한 oxide layer etching 공정은 현재 반도체 제조 공정에서 매우 유용하게 사용되고 있는 방식이다. 그러나 디바이스의 사이즈가 점점 작아지면서 공정을 진행하기 위한 RF power도 커지고, plasma ignition 되는 electrode 사이의 간격도 점점 좁아지는 기술적 변화가 이루어지고 있다. 이러한 H/W의 변화에 따라 예상치 못한 문제들로 공정을 적용하는데 많은 문제점이 발생하고 있는데, 공정 진행 시에 plasma의 영향으로 인한 electrode의 온도 변화도 그 중 하나이다.... -
Plasma Etch Damage가 (100) SOI에 미치는 영향의 C-V 특성 분석
조영득, 김지홍, 조대형, 문병무, 조원주, 정홍배, 구상모, Jo. Yeong-Deuk, Kim. Ji-Hong, Cho. Dae-Hyung, Moon. Byung-Moo, Cho. Won-Ju, Chung. Hong-Bay, Koo. Sang-Mo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.8 711-714 (4 pages)
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The Use of Inductively Coupled CF4/Ar Plasma to Improve the Etch Rate of ZrO2 Thin Films
Kim. Han-Soo, Woo. Jong-Chang, Joo. Young-Hee, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2013, Vol.14 No.1 12-15 (4 pages)
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Etch Properties of HfO2 Thin Films using CH4/Ar Inductively Coupled Plasma
Woo. Jong-Chang, Kim. Gwan-Ha, Kim. Dong-Pyo, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2007, Vol.8 No.6 229-233 (5 pages)