접합형 트린지스터와 발광다이오드(LED) 및 광도전소자(CdS)로서 구성된 광결합 전류안정부저항회로를 진안하였다. 이는 일반적으로 광트랜지스터보다도 더 예민한 것을 이용하여, CdS와 LED를 밀착 시켜서 LED에 흐르는 전류와 CdS의 실효저항변화로써 결합된 광결합방식을 택하였다. 트랜지스터의 콜랙터-에미터간에 인위적인 누변저항을 삽입하는 방법을 도입함으로써 부저항치 및 최대입력단자전압치를 임의로 변화할 수 있게 하였으며, 제안한 회로를 분석하고 또 이를 실험적으로 확인하였다. 누변저항을 1KΩ에서 30KΩ까지 변화시켰을 때 최대입력단자전압은 1.65V에서 4.22V로 변하였고, 부저항치는 -1.0KΩ에서 -10.0KΩ까지 변하였다. 또 실험치에 대한 계산치에의 상대백분최대오차가 11%이었다. A current stable negative resistance circuit has been constucted with combination of coulplementary symmetrical transistors, a light emitting diode and a photoconductive cell. The negative resistance(Rn) and break-over voltage(VBo) can be set at a designed value according to adjustment of the artificial leakage resistance of p-n-p transistor. The RN and VBo calculated in this designed circuit are checked though the experiments, the errors are found less than 11%.