- $Ga_{1-x}In_xSe $ 단결정의 Energy Gap의 온도 의존정에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 김화택,윤창선
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1984년|21권 2호|pp.36-46 (11 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Ga1-xlnxSe 단결정을 X=0.0∼0.1영역과 X=0.8-1.0영역에서 Bridgman방법으로 성장시켰다. 성장된 Ga1-xlnxSe 단결정은 X=0.0∼0.1영역에서는 hexagonal구조, X=0.8∼1.0영역에서는 rhombohedral 구조를 가지고 있었다. CaInSe 단결정은 간접천이형 energy gap을 가지고 있었으며, 15°K에서 250°K로 시편의 온도가 상승할 때 energy gap 은 감소되었고, 온도계수는 (-2.4∼-4.3)×10-4eV/K으로 주어졌다. Ga1-xlnxSe 단결정의, energy gap에 온도 의존성은 Schmid의 electron-phonon 상호작용의 이론으로 설명할 수 있었다.
The Ga1-xInxSe single crystals for 0.0 < x < 0.1 and 0.8 < 1.0 were grown by the Bridgman method. The crystal structure of Ga1-xInxSe is found to be hexagonal for 0.0 < X < 1.0. The Ga1-xInxSesingle crystals have indirect energy gap with a temperature coefficient dEg/dT= -(2.4 - 4.3) $ imes$ 10-4 eV/K in the range 60-250K. The temperature dependence of the energy gap can be explained by the electron-Phonos interaction model.