Ion implantation 공정은 VLSI processing의 필수적인 기술로서 그 중요성이 더해가고 있다. 그러나 고 energy의 ion주입에 따른 defect의 발생 및 그 제어기술이 문제가 되고 있으며, 이러한 기술의 개발을 위해서는 그 defect의 정밀관찰 및 분석이 필요하다. 여기에서는 이와 같은 분석기술에 대하여 TEM을 이용한 분석사례를 들어 정리하였다. 그리고 RBS, SIMS 등 분석 기술과의 combination에 대하여 고찰하였다.