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Production of Trench Epitaxial Transistor(TETC)
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  • Production of Trench Epitaxial Transistor(TETC)
저자명
Yi. Cheon-Hee
간행물명
전자공학회논문지
권/호정보
1989년|26권 8호|pp.1290-1298 (9 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

A new dynamic RAM cell called Trench Epitaxial Transistor Cell (TETC) has been developed for 4M to 16M DRAMS. Also the fabrication process for device isolation which can decrease the narrow effect using SEG process has been developed. We verified the characteristic of the new cell structure with the PICSES simulator on VAX8450.