- $Bi_2S_3$ 薄膜의 光學的 特性
- ㆍ 저자명
- 위성동,Wee. Sung-Dong
- ㆍ 간행물명
- 전자공학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 1989년|26권 4호|pp.62-66 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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$Bi_2S_3$다결정과 $Bi_2S_3$ 무정형 박막은 증착방법에 의해서 성장되었다. 측정된 격자상수들은 기판온도 $210^{circ}C$에서 $a=1.708{AA},;b=3.943{AA} 그리고 $c=3.943{AA}$이었으며, orthorhombic 구조를 가진것으로 나타내었다. 다결정 박막 $Bi_2S_3$energy은 $289^{circ}C$ 에서 1.375eV로 측정되었다. 674nm의 중심에서는 변화된 광자흡수 구조로 생각되어졌다.
$Bi_2S_3$ polycrystalline and $Bi_2S_3$ amorphous thin tilm were grown by the evaporation method. The measured lattic parameters were $a=1.708{AA},;b=0.351{AA},;and;C=3.943{AA}$ at substrate temperature $210^{cric}C$ were shown to have the orthorhombic structure. The energy gape of $Bi_2S_3$ polycrystalline that was made from thin film were measured to be 1.375eV at $289^{cric}K.$ The optical band gap of $Bi_2S_3$ amorphous thin film was measured to be 1.71eV at $289^{cric}K.$ It was supposed to mechanism that a photon absorption was changed at the center of 674nm (1.84eV)