본 연구에서는 도전성 고분자인 포리파라훼니렌, 포리파라훼니렐비닐렌 및 포리치오휀을 화학적 및 전기화학적 합성에 의해 필림으로 합성하였으며 각종 도판트가 이들 고분자의 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 이들 고분자는 이상적인 도우핑의 조건에서 미량의 도우프영역에서도 도전율은 분자 구조에 의해서 $10^{-4}$~$10^{2}$[S/cm]까지 현저히 증가하는 특성을 나타내었으며 또한 광학적 성직도 변화하여 가전자대와 전도대 사이에 새로운 준위가 형성이 되어 스핀 밀도의 증가와 선폭의 감소를 나타내었다.