기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
열화학증착법으로 제조된 $SnO_2$박막의 특성
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • 열화학증착법으로 제조된 $SnO_2$박막의 특성
저자명
류득배,이수완,Ryu. Deuk-Bae,Lee. Su-Wan
간행물명
한국재료학회지
권/호정보
2001년|11권 1호|pp.15-19 (5 pages)
발행정보
한국재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

유리기판 위에 열화학증착법으로 투명전도성 산화주석막을 제조하였다. 박막은 원료물질로 tetramethyltin(TMT), 산화제로 산소나 오존이 포함된 산소의 혼합물로부터 제조되었다 제조된 박막은 기판온도에 따라 물성이 크게 변하였고 최적화된 박막은 TMT 유랑 8 sccm, 산소유량 150 sccm, 기판온도 $380^{circ}C$에서 제조되었다. 오존을 사용함으로서 기판온도를 약 $180^{circ}C$정도 낮출 수 있었고 비저항은 ~$10^{ -2}{Omega}cm$에서 ~$10^{-3}{Omega}cm$으로 감소시킬 수 있었다.

기타언어초록

Transparent and conducting tin oxide thin films were prepared on soda lime silicate glass by thermal chemical vapour deposition. Thin films were fabricated from mixtures of tetramethyltin (TMT) as a precursor, oxygen or oxygen containing ozone as an oxidant. The properties of fabricated tin oxide films are highly changed with variations of substrate temperature. Optimized thin films could be prepared on TMT, which flow rate of 8 sccm, oxygen flow rate of 150 sccm and substrate temperature of 38$0^{circ}C$. We reduced deposition temperature about$ 180^{circ}C$ by using of oxygen containing ozone instead of pure oxygen and resistivity of thin films was decreased from ~ ${ imes}10^{-2}{Omega}cm$ to ~${ imes}10^{-3}{Omega}cm$.