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반도체 광증폭기를 이용한 10 Gb/s 전광 AND논리소자
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  • 반도체 광증폭기를 이용한 10 Gb/s 전광 AND논리소자
저자명
김재헌,김병채,변영태,전영민,이석,우덕하,김선호,Kim. Jae-Hun,Kim. Byung-Chae,Byun. Young-Tae,Jhon. Young-Min,Lee. Seok,Woo. Deok-Ha,Kim. Sun-Ho
간행물명
한국광학회지
권/호정보
2003년|14권 2호|pp.166-168 (3 pages)
발행정보
한국광학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

반도체 광증폭기의 이득포화원리를 이용한 전광 AND논리소자가 10 Gb/s에서 처음으로 구현되었다. 먼저 첫 번째 반도체 광증폭기에 B 신호를 입력시켜 반전된 신호인 Boolean (equation omitted)이 얻어졌다. 이와 같이 반전된 신호는 두 번째 반도체 광증폭기에 A신호와 함께 동시 입력되어 AND논리소자의 특성이 얻어졌다.

기타언어초록

By using gain saturation of semiconductor optical amplifiers (SOAs), an all-optical AND gate at 10 Gb/s has been successfully demonstrated. Firstly, Boolean (equation omitted) has been obtained using the first SOA with signal B and clock injection. Then, the all-optical AND gate is achieved using the second SOA with signals A and (equation omitted) injection.