미세 선 폭을 갖는 반도체 칩에서 관찰할 수 있는 crosstalk 효과는 배선 회로 사이에 존재하는 결합 커패시턴스에 의한 현상이다. 칩 전체에 대한 타이밍 분석의 정확도는 칩을 구성하는 셀과 배선에 대한 지연시간 예측 자료의 정확도에 의해서 결정된다. 본 논문에서는 결합 커패시턴스에 의한 crosstalk 효과를 반영하여 지연시간을 정확하고 효율적으로 계산할 수 있는 CMOS 셀 구동 모델과 관련 알고리즘을 제안하고 있다. 제안한 모델과 알고리즘을 지연시간 계산 프로그램에 구현하고, 칩 레이아웃에서 추출한 벤치마크회로에 대한 지연시간 예측에 적용하였다. Victim에 영향을 주는 Aggressor를 $0~10$개까지 연결하여 각각의 경우에 대한 셀 및 배선의 지연시간을 HSPICE와 비교한 결과 $1\%$ 내외의 오차를 보이는 우수한 정확도를 확인하였다.
The crosstalk effects that can be observed in the very dee submicron semiconductor chips are due to the coupling capacitances between interconnect lines. The accuracy of the full-chip timing analysis is determined by the accuracy of the estimated propagation delays of cells and interconnects within the chip. This paper presents a CMOS cell driver model and delay calculation algerian capturing the crosstalk effects due to the coupling capacitances. The proposed model and algorithm were implemented in a delay calculation program and used to estimate the propagation delays of the benchmark circuits extracted from a chip layout. We observed that the average discrepancy from HSPICE simulation results is within $1\%$ for the circuits with a victim affected by $0~10$ aggressors.
