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MOCVD로 제작한 ZnO의 성장온도에 따른 특성 변화
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  • MOCVD로 제작한 ZnO의 성장온도에 따른 특성 변화
  • Effect of Growth Temperature on the Properties of ZnO Films Grown by MOCVD
ㆍ 저자명
서현석,정의혁,조중열,최연익,서오권,Seo. Hyun-Seok,Jeong. Eui-Hyuk,Jo. Jung-Yol,Choi. Yearn-Ik,Seo. O-Gweon
ㆍ 간행물명
반도체및디스플레이장비학회지
ㆍ 권/호정보
2005년|4권 4호|pp.9-12 (4 pages)
ㆍ 발행정보
한국반도체및디스플레이장비학회
ㆍ 파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Characteristics of ZnO films grown on $Si-SiO_2$ substrates at temperatures of $200sim400^{circ}C$ by metalorganic chemical vapor deposition were investigated. The growth rates and mobilities of ZnO films were dependent on growth temperatures. The field-effect mobilities measured in thin-film transistor structure were $15cm^2/Vsec$.

키워드

Zinc oxideThin film transistorsMetalorganic chemical vapor depositionMobilities

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