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Liquid Crystal Alignment on the SiC Thin Film by the Ion Beam Exposure Method
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  • Liquid Crystal Alignment on the SiC Thin Film by the Ion Beam Exposure Method
  • Liquid Crystal Alignment on the SiC Thin Film by the Ion Beam Exposure Method
저자명
Park. Chang-Joon,Hwang. Jeoung-Yeon,Kang. Hyung-Ku,Kim. Young-Hwan,Seo. Dae-Shik,Ahn. Han-Jin,Kim. Kyung-Chan,Kim. Jong-Bok,Baik
간행물명
Transactions on electrical and electronic materials
권/호정보
2005년|6권 1호|pp.22-24 (3 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

We studied the nematic liquid crystal (NLC) aligning capabilities using the new alignment material of the SiC (Silicon Carbide) thin film. The SiC thin film exhibits good chemical and thermal stability. The good thermal and chemical stability makes SiC an attractive candidate for electronic applications. A vertical alignment of nematic liquid crystal by ion beam exposure on the SiC thin film surface was achieved. The about $87{circ}$ of stable pretilt angle was achieved at the range from $30{circ}$ to $45{circ}$ of incident angle. The good LC alignment is maintained by the ion beam alignment method on the SiC thin film surface at high annealing temperatures up to $300{circ}C$.