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Short Channel GaAs MESFET의 채널전하분포와 채널전하에 의한 전위장벽의 변화
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  • Short Channel GaAs MESFET의 채널전하분포와 채널전하에 의한 전위장벽의 변화
저자명
원창섭,이명수,류세환,한득영,안형근,Sub. Won-Chang,Lee. Myung-Soo,Ryu. Se-Hwan,Han. Deuk-Young,Ahn. Hyung-Keun
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2006년|19권 9호|pp.793-799 (7 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this paper, the gate leakage current is first calculated using the experimental method between gate and drain by opening source electrode. the gate to drain current has been obtained with ground source. The difference between two currents has been tested and proves that the electric field generated by channel charge effect against the image force lowering.