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비휘발성 메모리 소자응용을 위한 Eu 첨가량에 따른 BET 박막의 강유전 특성
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  • 비휘발성 메모리 소자응용을 위한 Eu 첨가량에 따른 BET 박막의 강유전 특성
저자명
김경태,김종규,우종창,김관하,김창일,Kim. Kyoung-Tae,Kim. Jong-Gyu,Woo. Jong-Chang,Kim. Gwan-Ha,Kim. Chang-Il
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2007년|20권 3호|pp.223-227 (5 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The effect of Eu contents on the ferroelectric properties of $Bi_{4-x}Eu_xTi_3 O_{12}$ (BET) thin films has been investigated. Bismuth Europium titanate thin films with a Eu contents were prepared on the $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate by metal-organic decomposition technique. The structure and the morphology of the films were analyzed using X-ray diffraction (XRD) and field emission scanning microscopy (FE-SEM), respectively. From the XRD analysis, it was found that BET thin films have polycrystalline structure, and the layered-perovskite phase is obtained when the Eu contents exceeds 0.2 (x > 0.2). Also, the ferroelectric characteristics of the BET thin films were found to be dependent on the Eu content. Particularly, the BET films doped with x = 0.75 show better ferroelectric properties (remanent polarization 2Pr = 60.99 C/$cm^2$ and only a little polarization fatigue up to $3.5{ imes}10^9$ bipolar switching cycling) than those doped with other Eu contents.