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푸리에변환 적외선분광분석법에 의한 누설전류의 발생 원인에 대한 연구
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  • 푸리에변환 적외선분광분석법에 의한 누설전류의 발생 원인에 대한 연구
저자명
오데레사,Oh. Teresa
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2007년|20권 6호|pp.514-519 (6 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The surfaces of $SiO_2$ films were treated by PMMA diluted solutions, and analyzed the chemical shift from Fourier Transform Infrared Spectrometer. The $SiO_2$ film treated by PMMA diluted solution changed the properties of the surface, and showed the blue and red shift according to the concentration of PMMA. The C-H bond elongation effect due to the high electro-negative atom chlorine showed the red shift, and makes the final material with the cross-link structure. The leakage current was efficiently reduced at the sample No 7 with the red shift, witch depends on the electron deficient group.