현대 반도체 공정에서 일정한 패턴을 생성하기 위하여 리소그래피(Lithography) 공정을 이용하고 있으나 선폭의 감소로 인하여 기존 UV를 이용한 PR(Photoresist) 이외에 e-beam을 이용한 PMMA(Polymethyl methacrylate) 리소그래피에 대한 관심이 높아지고 있다. 또한 리소그래피에 의하여 생성된 패턴은 이후 세정 공정에서 잔류물을 제거하는 과정에서 패턴 붕괴를 일으키게 되는데 이러한 패턴 붕괴에 대한 방어력은 패턴 형성 물질의 탄성력(Elastic modulus)과 비례하는 것으로 알려져 있다. 이 논문에서 우리는 PMMA의 soft-baking 이후 Hardness(H)와 Elastic modulus(Er)의 변화를 압입력을 25 uN에서 8,500 uN으로 134.52 uN 간격으로 증가시키며 측정하였다. 또한 이 실험에서 Hardness(H)와 Elastic modulus(Er)는 Hysitron사의 Triboindenter를 이용하여 측정하였고 압입팁은 Berkovich 팁을 사용하였다.
In the modern semiconductor industry, lithography process is used to construct specific patterns. However, due to the decreasing of line width, these days, more and more researchers are interested in PMMA(Poly Methyl Methacrylate) lithography by using e-beam instead of the prior method, PR(Photoresist) lithography by using UV(Ultra-Violet). Additionally, the patterns constructed by lithography are collapsed during the process of cleansing remnants and the resistance against the breakdown of the patterns is known to be proportional to the elastic modulus of pattern-constructing materials. In this research, we measured the change of hardness and elastic modulus of PMMA film surface according to the change of time spent to soft-bake the PMMA film. During the measurement, we controlled the tip pressure from $25{mu}N$ to $8,500{mu}N$ having intervals that are $134.52{mu}N$. For these measurements, we used the Triboindenter from Hysitron to gauge the hardness and elastic modulus and the tip we used was Berkovich diamond Tip.
