고출력 LED 패키지의 방열 특성 향상을 위하여, 다이 접합부에 실리콘 접착제와 금속 패턴의 병렬 접합 구조를 적용하여 열 유동 해석을 수행하였다. 그 결과, LED 칩에서 발생한 열은 주로 금속 패턴 구조물을 통해 기판으로 효과적으로 전달되고 있으나, 패턴 구조물의 크기에 따라 효율의 차이가 있음을 확인하였고, 그 효과를 정량화하기 위해 정규화 길이를 도입하여 칩과 금속 패턴 구조물의 면적에 따른 열 저항을 비교하였다. 정규화 길이가 길어지면 금속 패턴 구조물에 의한 열 우회 경로가 칩에 고르게 분포하여 열 저항이 감소하였으며, 그 값은 단순 병렬 열 저항 이론 값보다 다소 큰 수치로 수렴하지만, 충분한 열 저항 개선 효과를 얻을 수 있었다.
We present the thermal analysis result of die bonding for a high power LED package using a metal hybrid silicone adhesive structure. The simulation structure consists of an LED chip, silicone die adhesive, package substrate, silicone-phosphor encapsulation, Al PCB and a heat-sink. As a result, we demonstrate that the heat generated from the chip is easily dissipated through the metal structure. The thermal resistance of the metal hybrid structure was 1.662 K/W. And the thermal resistance of the total package was 5.91 K/W. This result is comparable to the thermal resistance of a eutectic bonded LED package.
