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Si MOSFET과 GaN FET Power System 성능 비교 평가
안정훈, 이병국, 김종수, Ahn. Jung-Hoon, Lee. Byoung-Kuk, Kim. Jong-Soo 전력전자학회 전력전자학회 논문지 7 Pages
전력전자학회 전력전자학회 논문지 2014, Vol.19 No.3 283-289 (7 pages)
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Efficient and Regioselective Ring-Opening of Epoxides with Alcohols and Sodium Azide by using Catalytic Amounts of GaCl3/Polyvinylpyrrolidone
Pourali. Ali Reza, Ghayeni. Samaneh, Afghahi. Fatemeh 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 4 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2013, Vol.34 No.6 1741-1744 (4 pages)
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MOCVD of GaN Films on Si Substrates Using a New Single Precursor
Song. Seon-Mi, Lee. Sun-Sook, Yu. Seung-Ho, Chung. Taek-Mo, Kim. Chang-Gyoun, Lee. Soon-Bo, Kim. Yun-Soo 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 4 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2003, Vol.24 No.7 953-956 (4 pages)
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양전자 방출핵종 $^{68}$Ga을 이용한 NOTA와 DOTA의 표지 및 시험관내 특성 연구
정재민, 김영주, 이윤상, 이동수, 정준기, 이명철, Jeong. Jae-Min, Kim. Young-Ju, Lee. Yun-Sang, Lee. Dong-Soo, Chung. June-Key, Lee. Myung-Chul 대한핵의학회 핵의학 분자영상 7 Pages
대한핵의학회 핵의학 분자영상 2009, Vol.43 No.4 330-336 (7 pages)
목적: $^{68}$Ge/$^{68}$Ga-제너레이터에서 생산되는 PET용 방사성동위원소인 $^{68}$Ga을 NOTA와 DOTA에 표지하는 조건을 확립하고 이의 안정성 및 단백질 결합 특성을 연구하였고, 여러 가지의 금속이온 공존시 표지효율에 미치는 영향도 관찰하였다. 대상 및 방법: 여러 가지 농도의 NOTA 3HCl과 DOTA 4HCl에 $^{68}$Ge/$^{68}$Ga-제너레이터에서 0.1 M HCl로 용출한 $^{68}$GaCl$_3$ 6.66$sim$272.8 MBq 1.0 mL와 합치고 초산나트륨 또는 탄산나트륨 완충액을 사용하여 다양한 pH 조건에서 반응하였다. 다양한 금속이온(CuCl$_2$,... -
골임파종의 치료효과판정을 위한 핵의학적 골스캔과 갈륨스캔의 비교
문태용, 황인태, 김의신, Moon. Tae-Yong, Hwang. In-Tae, Kim. E. Edmund 대한핵의학회 大韓核醫學會誌 7 Pages
대한핵의학회 大韓核醫學會誌 1994, Vol.28 No.3 377-383 (7 pages)
완전 치유되었던 골임파종 환자에서 치료효과를 판정하기 위해 치료후 $^{99m}Tc$-MDP 스캔과 $^{67}Ga$ 스캔으로 추적검사한 35례를 후향적으로 분석하였다. $^{99m}Tc$-MDP 스캔은 35례중 29례에서 치료중, 33례에서 치료후 추적검사하였고, $^{67}Ga$ 스캔은 16 례중 13례에서 치료중, 15례에서 치료후 추적검사를 하였다. 핵의학적검사의 병적섭취농도의 분류는 4단계로 나누었는데 $^{99m}Tc$-MDP 스캔의 경우 정상 천장골관절 섭취농도와 같은 병변의 섭취농도를 3으로, $^{67}Ga$ 스캔의 경우 정상간의 섭취농도와 같은 병변의... -
팔각 핑거 타입 전극패턴을 이용한 대면적 수평형 GaN LED의 전기적/광학적 특성 분석
양지원, 김동호, 김태근, Yang. Ji-Won, Kim. Dong-Ho, Kim. Tae-Geun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.3 12-17 (6 pages)
GaN (Gallium Nitride) LED (Light-emitting diode) 전극패턴이 갖는 전류의 집중현상 및 소자 내 발열문제를 최소화하고 전기적 광학적 특성의 향상을 위하여 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 제안하였고, 범용적으로 사용되는 기본 전극패턴 및 그를 대칭적으로 개량한 전극패턴과의 특성을 비교 분석하였다. 상용 3차원 시뮬레이터 SpecLED/RATRO를 통한 시뮬레이션 결과, 본 연구에서 제안한 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 갖는 LED 소자가 동일한 350 mA의 전류주입 하에서의 동작전압이 약 0.34 V 정도 감소되는 전기적 특성의 향상을...