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Device Performances Related to Gate Leakage Current in Al2O3/AlGaN/GaN MISHFETs
Kim. Do-Kywn, Sindhuri. V., Kim. Dong-Seok, Jo. Young-Woo, Kang. Hee-Sung, Jang. Young-In, Kang. In Man, Bae. Youngho, Hahm. Sung-Ho, Lee 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.5 601-608 (8 pages)
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사파이어 기판을 사용한 AlGaN/GaN 고 전자이동도 트랜지스터의 정전기 방전 효과
하민우, 이승철, 한민구, 최영환, Ha. Min-Woo, Lee. Seung-Chul, Han. Min-Koo, Choi. Young-Hwan 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2005, Vol.54 No.3 109-113 (5 pages)
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In Vitro 자계(磁界) 측정에 의한 비소화합물의 폐포 Macrophage 독성 평가
조영채, Cho. Young-Chae 대한예방의학회 예방의학회지 6 Pages
대한예방의학회 예방의학회지 1999, Vol.32 No.4 467-472 (6 pages)
본 연구는 반도체 산업에서 반도체소자로서 주목받고 있는 GaAs, InP및 InAs의 세포독성을 평가하기 위해 햄스터의 폐포 대식세포를 사용하여 in vitro 자계 측정, LDH 활성치측정 및 세포의 형태학적 관찰 등을 검토하였다. 세포자계측정 결과 GaAs, InP 및 InAs첨가군 모두 대조군(PBS첨가군)에 비해 완화곡선이 유의하게 지연되었으며, 특히 GaAs 첨가군은 농도증가에 따라 용량의존적으로 완화곡선이 지연되는 경향이었다. 자화 후 2분간의 완화계수는 대조군에 비해 GaAs 첨가군은 농도증가에 따라 유의하게 낮아지는 용량의존성이... -
갈륨 스캔을 이용한 폐암의 치료 후 섬유성 변성과 재발의 감별
류삼열, 이재태, Ryu. Sam-Uel, Lee. Jae-Tae 대한방사선종양학회 대한치료방사선과학회지 5 Pages
대한방사선종양학회 대한치료방사선과학회지 1991, Vol.9 No.1 81-85 (5 pages)
치료후 정기적으로추적 검진하였다. 재발과 상관 없이 방사선 폐염이 발생한군에서는 모두 Gallium 축적을 보였고, 12명의 재발 혹은 잔여 종양이 있는 군에서는 11명 이 Gallium 축적을 보였다$(92\%)$, 무병상태의 10명 중 방사선 폐염을 가진 5명에서는 Gallium축적이 있었으나, 섬유성 변성만 있는 5명에서는 4명에서 Gallium이 축적되지 않았다$(80\%)$. 섬유성 변성은 모두 치료 종료 후 8개월 이후에 임상적으로 출현되었다. 이 시기에 재발과 섬유성 변성의 구별이 용이하지 않고 치료방침에도 결정적 영향을 미치므로, 치료... -
Three-Temperature Modeling of Carrier-Phonon Interactions in Thin GaAs Film Structures Irradiated by Picosecond Pulse Lasers
Lee. Seong-Hyuk, Lee. Jung-Hee, Kang. Kwan-Gu, Lee. Joon-Sik 대한기계학회 Journal of mechanical science and technology 10 Pages
대한기계학회 Journal of mechanical science and technology 2006, Vol.20 No.8 1292-1301 (10 pages)
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Ga-67 골주사와 X선사진을 이용한 실험적 하악골 염증성 병변의 활성도 평가
김영걸, 유동수, Kim. Yung-Gul, You. Dong-Soo 대한구강악안면방사선학회 齒科放射線 11 Pages
대한구강악안면방사선학회 齒科放射線 1991, Vol.21 No.1 19-29 (11 pages)
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석면분진폭로에 의하여 석면폐증과 늑막삼출액 폐암이 합병된 1예
정장영, 안형숙, 김지원, 김경아, 윤임중, 김한욱, 최영미, 송정섭, Jung. Jang-Young, Ahn. Hyeong-Sook, Kim. Jee-Won, Kim. Kyung-Ah, Yun. Im-Goung, Kim. Han-Wook, Choi. Y 대한결핵및호흡기학회 결핵 및 호흡기 질환 7 Pages
대한결핵및호흡기학회 결핵 및 호흡기 질환 1994, Vol.41 No.6 651-657 (7 pages)
저자들은 최근 석면분진에 11년간 폭로된 직업력이 있으며 작업중단 5년후 약3개월간의 호흡곤란을 주소로 입원하여 흉부X-선, 폐기능검사, 전산화단층촬영, 기관지경검사 및 석면소체검사, Gallium scan을 통하여 석면폐증, 늑막삼출액과 폐암으로 진단된 1예를 경험하였기에 문헌조사와 함께 이를 보고하는 바이다. -
Sb 계면활성제에 의한 p-GaN 박막의 홀농도 향상
김자연, 박성주, 문영부, 권민기, Kim. J.Y., Park. S.J., Moon. Y.B., Kwon. M.K. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.4 271-275 (5 pages)
본 논문은 고휘도 발광소자의 특성을 높이기 위한 p-GaN 박의 홀농도 향상을 연구하였다. 우리는 metal organic chemical vapor deposition 법을 이용하여 Antimony (Sb)가 p-GaN의 홀농도 향상에 도움을 주는 것을 확인하였다. Atomic force microscope 측정을 통해 Sb가 계면활성제처럼 역할을 함으로써 p-GaN의 2차원 성장이 촉진됨을 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 결과 [002] 면과 [102] 면의 반폭치가 Sb 도핑과 함께 줄어드는 것을 통해 Edge과 Screw 전위의 감소와 photoluminescence 결과에서 450~500 nm 청색 파장...