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환원기화 원자 흡광광도법에 의한 대기분진중의 총 셀렌의 정량
이용근, 최건형, 이동수, 황규자 한국대기환경학회 大氣保全 : 韓國大氣保全學會誌 8 Pages
한국대기환경학회 大氣保全 : 韓國大氣保全學會誌 1990, Vol.6 No.2 147-154 (8 pages)
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Ti-Zr계 금속수소화물 및 수소저장실린더의 성능특성 연구
김기열, Kim. Ki-Youl 한국군사과학기술학회 韓國軍事科學技術學會誌 8 Pages
한국군사과학기술학회 韓國軍事科學技術學會誌 2012, Vol.15 No.4 519-526 (8 pages)
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Multi Acrylate기를 갖는 Polydimethylsiloxane 변성 Urea 코팅 액의 제조와 그 특성
박승우, 강호종, 강두환, Bak. Seung Woo, Kang. Ho-Jong, Kang. Doo Whan 한국고분자학회 폴리머 6 Pages
한국고분자학회 폴리머 2014, Vol.38 No.6 720-725 (6 pages)
Hydride terminated polydimethylsiloxane과 allyl amine을 hydrosilylation 반응으로 aminopropylpoly-dimethylsiloxane을 합성하고, 이를 hexamethylenediisocyanate(HDI)의 고리화 반응으로 제조된 cyclic HDI trimer와 반응시켜 urea결합으로 결합된 polydimethylsiloxane 변성 urea을 제조하였다. Polydimethylsiloxane 변성 urea의 말단에 있는 isocyante기와 2-hydroxyethylmethacrylate를 반응시켜 말단에 multi acrylate기가 도입된 polydimethylsiloxane 변성 urea/acrylate(PUA)를 제조하였다. 제조한 화합물의 구조를 FTIR,... -
실리콘 폴리머의 비닐그룹에 대한 가교제의 Si-H 비율이 폴리비닐실록산 치과용 인상재의 물성에 미치는 영향
주동현, 정영화, 송호준, 최창남, 박영준, Ju. Dong-Hyun, Jeong. Young-Hwa, Song. Ho-Jun, Choi. Chang-Nam, Park. Yeong-Joon 한국고무학회 Elastomers and composites 6 Pages
한국고무학회 Elastomers and composites 2009, Vol.44 No.2 150-155 (6 pages)
본 연구는 폴리비닐실록산 치과용 고무인상재의 조성에서 실리콘 프리폴리머 내 비닐그룹에 대한 가교제내 Si-H 그룹의 함량비 차이가 물성에 미치는 영향을 평가하였다. SiH/Vinyl 비가 1.6으로 가교제 함량이 낮은 $underline{C6}$군(Cross-linker $underline{6}$ parts 함유)은 인장강도가 실험군 중 가장 높았으나 경화속도가 너무 느렸고, SiH/Vinyl 비가 3.2인 C12군은 기계적 성질은 좋았으나 경화가 너무 빠르게 진행되어 조작이 용이하지 않은 단점을 보였다. 그러나 C14군은 가교제 함량이 더 낮은 실험군들에 비해 낮은... -
HVPE에 의해 성장된 AlGaN epi layer의 특성
정세교, 전헌수, 이강석, 배선민, 윤위일, 김경화, 이삼녕, 양민, 안형수, 김석환, 유영문, 천성학, 하홍주, Jung. Se-Gyo, Jeon. Hun-Soo, Lee. Gang-Seok, Bae. Seon-Min, Yun. Wi-Il, Kim. Kyoun 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2012, Vol.22 No.1 11-14 (4 pages)
AlGaN는 3.4~6.2 eV까지 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이다. 최근에 자외영역의 광소자가 다양하게 응용되면서 자외선 발광이 가능한 AlGaN 역시 주목받고 있다. 이를 위해서는 고품질의 AlGaN 층이 필요하지만 GaN 층위에 AlGaN 층을 성장하는 것은 이들의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 어렵다. 본 논문에서, multi-sliding boat법이 적용된 혼합소스 HVPE법을 이용하여 GaN template 위에 LED 구조를 성장하였다. 활성층의 Al 조성을 조절함으로써 AlGaN의 격자상수 변화와 광학적 변화를 관찰하고자 하였다. 에피... -
혼합소스 HVPE 방법에 의한 InGaN 나노구조의 성장에 있어서 Sb 첨가의 영향
옥진은, 조동완, 전헌수, 이아름, 이강석, 조영지, 김경화, 장지호, 안형수, 양민, Ok. Jin-Eun, Jo. Dong-Wan, Jeon. Hun-Soo, Lee. Ah-Reum, Lee. Gang-Suok, Cho. Young-Ji, Kim. Kyu 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2010, Vol.20 No.3 113-116 (4 pages)
본 연구에서는 혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 사용하여 (0001) 사파이어 기판 위에 InGaN 나노구조를 성장하였고, 구조적 및 광학적 특성은 scanning electron microscope(SEM)과 photoluminescence(PL)를 통해 평가하였다. Sb이 첨가되지 않은 경우에는 InGaN 나노구조가 c-축 방향으로 정렬되는 경향을 보이지만 Sb이 첨가된 경우에는 InGaN 나노구조의 c-축 방향이 기판에 대해 평행하거나 경사진 방향으로 정렬되고 있는 것을 관찰할 수 있었다. In의 조성은 Sb 의 첨가 여부에 관계없이 약 3.2% 정도로 계산되었다.... -
새로운 HVT 성장방법을 이용한 CIGS 결정성장
이강석, 전헌수, 이아름, 정세교, 배선민, 조동완, 옥진은, 김경화, 양민, 이삼녕, 안형수, 배종성, 하홍주, Lee. Gang-Seok, Jeon. Hun-Soo, Lee. Ah-Reum, Jung. Se-Gyo, Bae. Seon-Min, Jo. Dong 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2010, Vol.20 No.3 107-112 (6 pages)
제작하는 방법에는 co-evaporator 방식이 가장 널리 사용되며 연구되고 있다. 이에 본 연구에서는 수평 형태의 hydride vapor transport (HVT)법을 고안하여 CIGS 나노 구조 및 에피성장을 시도하였다. HVT법은 $N_2$ 분위기에서 원료부의 CIGS 혼합물을 HCl과 반응시켜 염화물 기체상태로 변환 후 growth zone까지 이동하여 성장을 하는 방식이다. 성장기판은 c-$Al_2O_3$ 기판과 u-GaN을 사용하였다. 성장 후 field emission scanning electron microscopy(FE-SEM)과 energy dispersive spectrometer(EDS)를 이용하여 관찰하였다. -
CuInGaSe(CIGS)혼합 소스의 제작과 특성
이아름, 전헌수, 이강석, 옥진은, 조동완, 김경화, 양민, 이삼녕, 안형수, 조채용, 손상호, 하홍주, Lee. Ah-Reum, Jeon. Hun-Soo, Lee. Gang-Suok, Ok. Jin-Eun, Cho. Dong-Wan, Kim. Kyung-Hw 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2010, Vol.20 No.1 1-6 (6 pages)
혼합소스 hydride vapor phase epitaxy(HVPE) 방법으로 CuInGaSe(CIGS) 혼합 소스를 형성하였다. 각 금속들은 일정 비율로 혼합하였고, $1090^{circ}C$에서 1시간 30분간 soaking 하였다. 혼합된 소스를 분말형태로 만든 후, 직경 10 mm 크기의 pellet을 만들었다. 시료는 혼합소스 HVPE 에서 소성 한 후 e-beam 으로 Mo이 증착된 기판 위에 증착하였다. Scanning electron microscope(SEM), Energy dispersive X-ray spectrum(EDS) 그리고 X-ray diffraction(XRD) 측정을 통하여 그 특성을 분석하였으며 박막의 특성은 (112),... -
실리콘 기판과 $CoSi_2$ 버퍼층 위에 HVPE로 저온에서 형성된 GaN의 에피텍셜 성장 연구
하준석, 박종성, 송오성, 장지호, Ha. Jun-Seok, Park. Jong-Sung, Song. Oh-Sung, Jang. Ji-Ho 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2009, Vol.19 No.4 159-164 (6 pages)
HVPE(hydride vapor phase epitaxy)로 하나는 $850^{circ}C$-12분 + $1080^{circ}C$-30분(공정I)과, 또 하나 조건은 $557^{circ}C$-5분 + $900^{circ}C$-5분(공정II) 조건으로 각각 나누어 진행하여 보았다. GaN의 에피성장을 광학현미경, 주사전자현미경, 주사탐침현미경, 그리고 HR-XRD로 확인하였다. 공정I로는 GaN의 에피성장이 진행되지 않았으며, 공정II에서는 에피성장이 진행되었다. 특히 공정 II는 열팽창에 의해 실리콘 기판과의 자가정렬적인 기판분리 현상을 보였으며, XRD로 GaN의 0002 방향의 결정성 (crystallinity)을... -
혼합소스 HVPE에 의한 비형광체 백색 LED의 성장과 광 특성
김은주, 전헌수, 홍상현, 한영훈, 이아름, 김경화, 양민, 하홍주, 안형수, 황선령, 조채용, 김석환, Kim. E.J., Jeon. H.S., Hong. S.H., Han. Y.H., Lee. A.R., Kim. K.H., Ha. H., Yang. M., Ahn 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2009, Vol.19 No.2 61-65 (5 pages)
본 논문에서는 형광체가 없는 백색 LED의 성장과 광학적인 특성을 분석하였다. 혼합소스(miked-source) HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법과 다중성장보트를 이용하여 MOCVD로 얇게 성장한 n-GaN 위에 활성층을 AlGaN으로 한 이종접합구조(DH; Doublehetero structure)를 성장하고, 패키징 단계를 거쳐 비형광체 단일칩 백색 LED 램프를 제작하였다. 패키징 한 소자를 주입전류 $10{sim}100mA$로 변화시켜 측정한 결과 색 연색성 값은 72-93, 색좌표의 좌표값은 X값은 $0.26{sim}0.34$, Y값은 $0.31{sim}0.40$에서 가지며, 색온도는...