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$Si_3N_4$를 이용한 금속-유전체-금속 구조 커패시터의 유전 특성 및 미세구조 연구
서동우, 이승윤, 강진영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2000, Vol.9 No.2 162-166 (5 pages)
플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)을 이용하여 양질의 $Si_3N_4$ 금속-유전막-금속(Metal-Insulator-Metal, MIM) 커패시터를 구현하였다. 유전체인 $Si_3N_4$와 전극인 Al의 계면반응을 억제시키기 위해 티타늄 나이트라이드(TiN)를 확산 장벽으로 사용한 결과 MIM 커패시터의 전극과 유전체 사이의 계면에서는 어떠한 hillock이나 석출물도 관찰되지 않았다. 커패시턴스와 전류전압 특성분석으로부터 양질의 MIM 커패시터 특성을 보이는 $Si_3N_4$의 최소 두께는 500 $AA$이며, 그 두께 미만에서는... -
$N_2/CH_4$가스비에 따른 Hydrogenated Amorphous Carbon Nitride 박막의 특성
장홍규, 김근식, 황보상우, 이연승, 황정남, 유영조, 김효근 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.3 242-247 (6 pages)
DC saddle-field-plasma-enhanced chemical-vapor deposition(PECVD) 장치를 이용 하여 상온에서 p-type Si(100)기판위에 hydrogenated amorphous carbon nitride [a-C:H(N)] 박막을 증착하였다. 원료가스인 $CH_4$과 $N_2$의 전체압력은 90mTorr로 고정하고 $N_2/CH_4$비를 0 에서 4까지 변화하면서 제작한 a-C:H(N)박막의 미세구조의 변화를 연구하였다. 진공조의 도달 진공도는 $1 imes10^{-6}$Torr이고, 본 실험시 $N_2+CH_4$가스의 유량은 5sccm으로 고정하고 배 기량을 조절하여 진공조의 가스 압력을 90mTorr로 고정하였으며... -
기판 bias 전압이 a-C:H 박막의 특성에 미치는 영향
유영조, 김효근, 장홍규, 오재석, 김근식 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.4 348-353 (6 pages)
saddle-field plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) 장치를 이용 하여 상온에서 p-type Si(100) 기판위에 hydrogenated amorphous carbon(a-C:H) 박막을 증 착하고 기판의 bias 전압 변화에 따른 박막의 미세구조 변화와 광학적 특성을 연구하였다. 본 실험시 CH4 가스의 유량은 5sccm, 진공조의 $CH_4$ 가스압력은 90mtorr로 일정하게 유지 하였으며 기판의 bias 전압($V_s$)은 0V에서 400V까지 변화시켰다. Rutherford backscattering spectroscopy(RBS)와 elastic recoil detection(ERD) 측정결과 증착된 a-C:H박막의... -
극미세 전자소자 박막배선의 결함방지 및 신뢰도 향상을 위한 절연보호막 효과
양인철, 김진영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.2 217-223 (7 pages)
및 PECVD를 이용하여 각각 증착시켰다. 가속화 실험을 위해 인가된 전류밀도는 4.5X106A/cm2이었고 180, 210, $240^{circ}C$온도에서 d.c. 인가 후의 저항변화를 측정하여 평균수명을 구한 후 Black 방정식을 이용하여 활성화에너지를 측정하였다. AI-1%Si 박막배선에서 electromigration에 대한 활성화에너지값은 $400mu$m길이의 경우 0.44eV(nonpassivated), 0.45eV(Si3N4 passivated), 0.50 eV(PSG passivated), 그리고 0.66 eV(SiO2 passivated)로 각각 측정되었다. $1600mu$m 길이의 AI-1%Si 박막배선 실험에서도 같은 절연보호막... -
플라즈마 화학기상 증착법에 의해 증착된 B이 첨가된 ZnO 박막의 전기적 특성
최준영, 조해석, 김영진, 이용의, 김형준 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.1 85-90 (6 pages)
본 연구에서는 투명 전극으로의 응용을 목적으로 PECVD법에 의해 증착된 B이 첨가된 ZnO 박막의 전기 및 광학적 특성을 살펴보았다. B을 첨가하지 않은 ZnO 박막은 비저항이 수 $Omega$-cm 정도의 값을 가지고 있었으며 시간에 따른 비저항의 변화가 컸으나, 2% B2H6을 5-16sccm의 유량범위에서 첨가한 경우에는 5-9X10-2 $Omega$-cm의 비저항을 가지고 시간 경과에 따른 비저항의 변화가 아주 작은 ZnO 박막을 얻을 수 있었다. Van der Pauw법에 의한 Hall 계수의 측정 결과에 의하면, B을 첨가하지 않은 ZnO 박막의 전자 농도는... -
$alpha-Si$의 contact hole 수의 증가에 따른 MIM antifuse의 전기적 특성
이상기, 김용주, 임원택, 이동윤, 권오경, 이창효 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.1 46-50 (5 pages)
물성을 달리한 $alpha$-Si을 사용하여 MIM(Metal-Insulator-Metal)구조의 antifuse들을 제작하고, 물성의 변화에 따른 전기적 특성의 변화를 조사하였다. $alpha$-Si은 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방법으로 증착하였으며, 물성은 RF power를 달리하여 변화시켰다. $alpha$-Si MIM구조의 antifuse를 프로그램할 때 생기는 failure rate를 줄이기 위해 전극 사이에 삽입되는 $alpha$-Si의 contact hole 크기와 개수를 변화시켜 보았다. MIM antifuse는 contact hole이 2개 이상일 때 failure rate가 10% 이내로... -
Fluorinated amorphous carbon thin films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition with $C_4$F$_8$ and $Si_2H_6/He$ for low dielectric constant intermetallic layer dielectrics
Kim. Howoon, Shin. Jang-Kyoo, Kwon. Dae-Hyuk, Lee. Gil S. 한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 6 Pages
한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 2003, Vol.7 No.2 33-38 (6 pages)
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환경친화형 페라이트 코어 유도결합 플라즈마 고주파 전력 변환 장치
이정호, 최대규, 김수석, 이병국, 원충연, Lee. Joung-Ho, Choi. Dae-Kyu, Kim. Soo-Seok, Lee. Byoung-Kuk, Won. Chung-Yuen 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 9 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 2006, Vol.20 No.8 6-14 (9 pages)
Transistor Liquid Crystal Display) PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비 공정용 챔버(Chamber) 세정을 위한 새로운 플라즈마 세정방법에 적합한 플라즈마 발생방법과 플라즈마 발생을 위한 고주파 전원장치의 전력회로에 관한 연구이다. 세정에 요구되는 고밀도 플라즈마는 안테나 형태의 기존 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식에 강자성체인 페라이트 코어를 적용하므로 써 $1{ imes}10^{11}[EA/cm^3]$이상의 고밀도 플라즈마 발생을 가능하게 하였다. 플라즈마 발생을 위한 400[kHz] 고주파 전력 변환장치의... -
High-rate, Low-temperature Deposition of Multifunctional Nano-crystalline Silicon Nitride Films
Hwang. Jae-Dam, Lee. Kyoung-Min, Keum. Ki-Su, Lee. Youn-Jin, Hong. Wan-Shick 한국정보디스플레이학회 Journal of information display 4 Pages
한국정보디스플레이학회 Journal of information display 2010, Vol.11 No.3 109-112 (4 pages)
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Design of Cooling System for Large-Area and High-Rate Deposition of Hydrogenated Microcrystalline Silicon
Lim. You-Bong, Hwang. Doo-Sup, Lee. Jun-Oh, Lee. Jeong-Hoon, Kim. Hoon-Hee, Chang. Woo-Sok 한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 4 Pages
한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 2012, Vol.13 No.7 1137-1140 (4 pages)