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121.

고밀도 플라즈마 CVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 특성

최치규, 강민성, 오경숙, 이유성, 오대현, 황찬용, 손종원, 이정용, 김건호, Choe. Chi-Gyu, Gang. Min-Seong, O. Gyeong-Suk, Lee. Yu-Seong, O. Dae-Hyeon, Hwang. Chan-Yong, Son. 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.11 1129-1136 (8 pages)

최치규, 강민성, 오경숙, 이유성, 오대현, 황찬용, 손종원, 이정용, 김건호, Choe. Chi-Gyu, Gang. Min-Seong, O. Gyeong-Suk, Lee. Yu-Seong, O. Dae-Hyeon, Hwang. Chan-Yong, Son. 저

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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XRD, XPS, HRTEM, 그리고 전기적 측정으로 특성을 조사하였다. BI 구조를 갖는 다결정 TiN 박막은 기판의 온도가 $200^{circ}C$ 이상의 온도에서 형성되었다. TiN(111) 박막은 기판의 온도가 $300^{circ}C$에서 TEMAT, $ extrm{N}_{2}$, 그리고 Ar 가스의 유량이 10, 5, 그리고 5sccm으로 반응로에 주입할 때 형성되었다. TiN/Si(100) 계면은 TiN과 $ extrm{SiO}_2$사이에 계면반응이 없었으며 평탄하였다. 기판의 온도가 $500^{circ}C$에서 형성된 TiN 박막의 비저항, carrier 농도와 이동도는 21 $muOmega$cm, 9.5$ imes extrm{10}^{18}...
122.

Indium Tin Oxide (ITO) 투광성 박막의 제조 및 전자파 차폐특성

김영식, 전용수, 김성수, Kim. Yeong-Sik, Jeon. Yong-Su, Kim. Seong-Su 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.11 1055-1061 (7 pages)

김영식, 전용수, 김성수, Kim. Yeong-Sik, Jeon. Yong-Su, Kim. Seong-Su 저

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투명차폐재를 목적으로 Indium Tin Oxide (ITO) 투광성 박막을 제조하고 전자파 차폐특성에 대해 조사하였다. 박막은 RF magnetron co-sputtering 증착장비를 사용하여 제작하였다. RF 인가전력, Ar 및 $O_2$분압, 기판온도를 변화시키며 전기전도도와 투광성을 겸비한 박막의 조성과 구조에 관한 실험을 진행하였다. 최적의 증착조건은 $300^{circ}C$의 기판온도, 20sccm의 아르곤 유량, 10sccm의 산소유량, 그리고 In과 Sn의 인가전력이 각각 50W와 30W일 경우였으며, 이때 얻어진 박막은 육안으로 분명할 정도의 투광성을 보였고 5.6$...
123.

Cycle-CVD법으로 증착된 TiN 박막의 ALD 증착기구와 특성에 관한 연구

민재식, 손영웅, 강원구, 강상원, Min. Jae-Sik, Son. Young-Woong, Kang. Won-Gu, Kang. Sang-Won 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.5 377-382 (6 pages)

민재식, 손영웅, 강원구, 강상원, Min. Jae-Sik, Son. Young-Woong, Kang. Won-Gu, Kang. Sang-Won 저

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$200^{circ}C$에서 충분한 반응가스의 펄스시간 후에 cycle당 증착된 박막의 두께가 0.6nm/cycle로 포화되는 양상을 보여주었는데, 이는 cycle당 증착된 TiN 박막의 두께가 1.6 monolayer(ML)/cycle에 해당된다. 이와 같이 반등가스의 흡착을 이용ㅇ하여 TiN이 제한된 표면반응만에 의하여 ALD 기구에 의해 증착이 이루어지므로 TiN 박막의 두께는 단지 cycle 횟수만으로 정확하게 제어할 수 있었고, 우수한 step coverage 특성을 얻었다. 또한 반응가스간의 기상반응을 방지함으로써 입자의 발생을 억제할 수 있었고, 상대적으로 낮은 온도임에도...
124.

TDEAT와 $ extrm{NH}_3$ 예비혼합 처리가 MOCVD TiN형성에 미치는 영향

김지용, 이재갑, 박상준, 신현국, Kim. Ji-Yong, Lee. Jae-Gap, Park. Sang-Jun, Sin. Hyeon-Guk 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.7 576-581 (6 pages)

김지용, 이재갑, 박상준, 신현국, Kim. Ji-Yong, Lee. Jae-Gap, Park. Sang-Jun, Sin. Hyeon-Guk 저

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이용하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)TiN 박막을 형성하였다. 반응기체들은 chamber내에 주입하기 전에 적절한 기상반응을 유도시켜 주었으며, TiN박막 형성에 미치는 예비혼합 효과를 관찰하였다. 두 반응기체의 예비혼합을 이용하여 낮은 탄소의 함유와 함께 -800$mu$Ωㆍcm의 비교적 낮은 비저항을 나타내었다. 또한 NH$_{3}$의 유량 증가에 따라 도포성이 상당히 증가되고 있는데 이같은 도포성 향상 효과는 기상반응에 의하여 형성되는 중간상의 낮은 흡ulcorner계수에 기인하는 것으로 여겨진다. QMS(Quadruple...
125.

Carrier gas$(N_2,;He)$가 MOCVD TiN 형성에 미치는 영향에 관한 연구

김재호, 이재갑, 지충수, 박상준, 김창수, 이은구, Kim. Jae-Ho, Lee. Jae-Gap, Ji. Chung-Su, Park. Sang-Jun, Kim. Chang-Su, Lee. Eun-Gu 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.4 388-394 (7 pages)

김재호, 이재갑, 지충수, 박상준, 김창수, 이은구, Kim. Jae-Ho, Lee. Jae-Gap, Ji. Chung-Su, Park. Sang-Jun, Kim. Chang-Su, Lee. Eun-Gu 저

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및 도포성에 운반기체(N2, He)가 미치는 효과에 관한 조사를 하였다. TiN 박막의 막질과 성장속도는 운반기체에 의해 상당히 많은 영향을 받고 있으며, He 운반기체를 사용하였을 때 성장속도는 낮으나 낮은 비저항(-2500$mu$$Omega$-cm)과 낮은 산소 함량을 갖는 박막을 얻을 수 있었다. He 운반기체를 이용하여 증착된 TiN 박막은 대기 중에 노출시켰을 때 비저항이 더 이상 증가하지 않는 안정된 박막 특성을 보이고 있었다. 이와는 대조적으로, N2 운반기체에 따라 다르게 나타나는 막질의 안정성은 막 중에 함유된 산소량에 기인하는...
126.

전처리가 TiN 기판위의 Cu막의 특성에 미치는 효과

권영재, 이종무, Gwon. Yeong-Jae, Lee. Jong-Mu 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.1 124-129 (6 pages)

권영재, 이종무, Gwon. Yeong-Jae, Lee. Jong-Mu 저

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TiN 기판상에 CVD와 무전해 도금을 이용하여 구리막을 성장시킬 때 여러 가지 전처리에 따른 증착 양상의 변화에 관하여 조사하였다. Cu(hfac)2를 선재(precursor)로 사용하여 CVD 증착을 실시할 때 각 전처리에 따른 TiN상의 구리막의 덮힘성(coverage)향상은 Pd-HF 활성화 처리>>HF dip> RF remote plasma의 순이었다. 특히 Pd-HF 활성화 처리를 해줄 경우 거의 완전한 연속막을 얻을수 있었으며 scotch tape peel test 결과 매우 양호한 부착특성을 보였으나, 이에 비해 전처리를 해주지 않은 경우에는 오랜 시간이...
127.

TiN 기판위에 형성된 Cu막의 성장양상 및 막특성

권영재, 이종무, Gwon. Yeong-Jae, Lee. Jong-Mu 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.1 116-123 (8 pages)

권영재, 이종무, Gwon. Yeong-Jae, Lee. Jong-Mu 저

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CVD와 무전해 도금법을 이용하여 TiN 기판상에 구리막을 성장시켰고 그 각각에 대해 증착조건에 따른 성장막의 morphology, 성장기구 및 비저항, 막의 치밀성 등의 물리적 특성을 조사하였다. CVD 증착막의 결정립 크기와 입간의 기공은 막두께에 비례하여 커지는 경향을 나타내었으며 비저항은 4.7$mu$$Omega$cm로 구리의 체적비저항값과 거의 비슷한 것으로 나타났다. 무전해 도금막은 초기에는 layer-by-layer mode로 나중에는 is-land growth mode로 성장하는 경향을 보였다. CVD구리막의 막질은 후열처리 분위기에 따라서도 상당한...
128.

RF PECVD법에 의해 증착된 TiN 박막의 조성, 구조 및 전기적 특성

전병혁, 김종석, 이원종, Jeon. Byeong-Hyeok, Kim. Jong-Seok, Lee. Won-Jong 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.5 552-559 (8 pages)

전병혁, 김종석, 이원종, Jeon. Byeong-Hyeok, Kim. Jong-Seok, Lee. Won-Jong 저

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129.

수미크론 두께를 갖는 TiN코팅층의 미소경도 측정법

조영래, Jo. Yeong-Rae 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.3 310-315 (6 pages)

조영래, Jo. Yeong-Rae 저

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기계적으로 연마한 고속도강과 구리 두 종류의 서로 다른 기판상에 dc 마그네트론 스파터법으로 TiN 박막을 성막시켜 코팅층의 비커스 미소경도를 측정하였다. 압입체의 침투깊이와 시험하중과의 관계를 log-log 좌표상에 도시함으로써 기판의 영햐응ㄹ 받지 않고 코팅층만의 경도를 측정할수 있는 최대하중인 임계하중(critical load)을 구할수 있었다. 임계하중을 가했을 때 압입체의 침투깊이와 코팅층 두께간의 비율은 코팅층의 두께에 무관하였고 기판의 경도에 크게 의존하였다.
130.

TiN의 충진처리가 확산방지막 특성에 미치는 영향(II) : Cu/TiN/Si 구조

박기철, 김기범, Park. Gi-Cheol, Kim. Gi-Beom 한국재료학회 한국재료학회지 9 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.2 169-177 (9 pages)

박기철, 김기범, Park. Gi-Cheol, Kim. Gi-Beom 저

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의해서만 일어나는 것을 알 수 있었다. 또한, Al의 경우에는 우수한 확산방지막 특성을 보여주었던 충진처리된 TiN가 Cu의 경우에는 거의 효과가 없는 것을 알 수 있었다. 이것은 Al의 경우에는 TiN의 결정립계에 존재하는 $TiO_{2}$가 Al과 반응하여 $Al_{2}O_{3}$를 형성함으로써 Al의 확산을 방해하는 화학적 효과가 매우 크지만, Cu의 경우에는 CuO 또는 $Cu_{2}O$와 같은 Cu 산화물은$TiO_{2}$에 비해서 열역학적으로 불안정하기 때문에 이러한 화학적 효과를 기대할 수 없으며, 따라서 충진처리 효과가 거의 없는 것으로 이해된다.

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