자료유형
발행기관
- 대한생리학회-대한약리학회(91)
- 대한전자공학회(32)
- 한국전기전자재료학회(21)
- 대한생리학회(19)
- 한국탄소학회(17)
- 대한약리학회(9)
- 한국정보통신학회(9)
- 한국해양정보통신학회(8)
- 대한수의학회(7)
- 한국전기전자학회(7)
- 대한전기학회(6)
- 한국청각언어재활학회(4)
- 대한신경정신의학회(3)
- 한국전자통신연구원(3)
- 한국정보디스플레이학회(3)
- 한국식물병리학회(2)
- 한국전자통신학회(2)
- 한국진공학회(2)
- 대한물리치료학회(1)
- 물리치료재활과학회(1)
- 통신위성우주산업연구회(1)
- 한국광학회(1)
- 한국농업기계학회(1)
- 한국마이크로전자및패키징학회(1)
- 한국세라믹학회(1)
- 한국센서학회(1)
- 한국시뮬레이션학회(1)
- 한국의학물리학회(1)
- 한국정밀공학회(1)
- 한국조명전기설비학회(1)
- 한국철도학회(1)
- 한국통신학회(1)
간행물
- THE KOREAN JOURNAL OF PHYSIOLOGY & PHARMACOLOGY(91)
- 대한생리학회지(19)
- CARBON LETTERS(17)
- 전기전자재료학회논문지(16)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(15)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(12)
- 대한약리학잡지(9)
- 한국해양정보통신학회논문지(9)
- JOURNAL OF VETERINARY SCIENCE(7)
- 전기전자학회논문지(7)
- 한국정보통신학회논문지(6)
- AUDIOLOGY AND SPEECH RESEARCH(4)
- TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS(4)
- JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING & TECHNOLOGY(3)
- JOURNAL OF INFORMATION DISPLAY(3)
- JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA(3)
- 신경정신의학(3)
- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. C/ C, 전기물성-응용부문(3)
- ETRI JOURNAL(2)
- THE PLANT PATHOLOGY JOURNAL (2)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(2)
- 한국전자통신학회 논문지(2)
- 한국진공학회지(2)
- INTERNATIONAL JOURNAL OF MARITIME INFORMATION AND COMMUNICATION SCIENCES(1)
- JOURNAL OF INFORMATION AND COMMUNICATION CONVERGENCE ENGINEERING(1)
- JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF KOREA(1)
- PHYSICAL THERAPY REHABILITATION SCIENCE(1)
- 대한물리치료학회지(1)
- 마이크로전자 및 패키징 학회지(1)
- 바이오시스템공학(1)
- 센서학회지(1)
- 요업학회지(1)
- 의학물리(1)
- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(1)
- 전자통신(1)
- 조명-전기설비학회논문지(1)
- 통신위성우주산업연구회논문지(1)
- 한국시뮬레이션학회논문지(1)
- 한국정밀공학회지(1)
- 한국철도학회 논문집(1)
- 한국통신학회논문지. THE JOURNAL OF KOREA INFORMATION AND COMMUNICATIONS SOCIETY. 네트워크 및 서비스(1)
-
Carbon nanomaterials in organic photovoltaic cells
TaehoonKim, SeungJaeYang, ChongRaePark 한국탄소학회 Carbon Letters 13 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2011, Vol.12 No.4 2 194-206 (13 pages)
-
Carbon Doping of TiO2 for Visible Light Photo Catalysis - A review
K. Palanivelu, Ji Sun Im, Young-Seak Lee 한국탄소학회 Carbon Letters 11 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2007, Vol.8 No.3 6 214-224 (11 pages)
-
High Power Electric Double Layer Capacitor(EDLC's)
M.Endo, T.Takeda, Y.j.Kim 한국탄소학회 Carbon Letters 12 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters Vol.1 No.3&4 1 117-128 (12 pages)
-
등가회로 모델에 의한 레이저다이오드의 누설전류 해석
최영규, 김기래, Choi. Young-Kyu, Kim. Ki-Rae 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 7 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2007, Vol.11 No.2 330-336 (7 pages)
공정을 사용하여 설계하였다. 설계된 Readout 칩용 싱글 픽셀은 디지털 X-ray 이미지 센서모듈을 간단화 하기 위해 단일 전원전압을 사용하였으며, Preamplifier의 출력 전압인 signal voltage(${Delta}Vs$)를 크게 하기 위해 Folded Cascode CMOS OP amp를 이용한 Preamplifier를 설계하였으며, 기존의 Readout 칩 외부에서 인가하던 threshold voltage를 Readout 칩 내부에서 생성해 줄 수 있도록 Externally Tunable Threshold Voltage Generator 회로를 새롭게 제안하였다. 그리고, Photo Diode에서 발생하는 Dark Current Noise를... -
X-ray 이미지 센서용 싱글 픽셀 포톤 카운터 설계
백승면, 김태호, 강형근, 전성채, 진승오, 허영, 하판봉, 박무훈, 김영희, Baek. Seung-Myun, Kim. Tae-Ho, Kang. Hyung-Geun, Jeon. Sung-Chae, Jin. Seung-Oh, Huh. Young, Ha. Pa 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 8 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2007, Vol.11 No.2 322-329 (8 pages)
공정을 사용하여 설계하였다. 설계된 Readout 칩용 싱글 픽셀은 디지털 X-ray 이미지 센서모듈을 간단화 하기 위해 단일 전원전압을 사용하였으며, Preamplifier의 출력 전압인 signal voltage(${Delta}Vs$)를 크게 하기 위해 Folded Cascode CMOS OP amp를 이용한 Preamplifier를 설계하였으며, 기존의 Readout 칩 외부에서 인가하던 threshold voltage를 Readout 칩 내부에서 생성해 줄 수 있도록 Externally Tunable Threshold Voltage Generator 회로를 새롭게 제안하였다. 그리고, Photo Diode에서 발생하는 Dark Current Noise를... -
Analysis of electrical characteristics for p-type silicon germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistors
고석웅, 정학기, Ko. Suk-woong, Jung. Hak-kee 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 5 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2006, Vol.10 No.2 303-307 (5 pages)
본 논문에서는 게이트길이가 $0.9{mu}m,;0.1{mu}m$를 갖는 p형 SiGe MOSFET에 대한 전기적 특성들을 TCAD 시뮬레이터를 이용하여 연구하였다. 또한 온도 300K와 77K일 때 2개의 캐리어 전송모델(하이드로 다이나믹 모델과 드리프트-확산 모델)을 사용하여 전기적 특성들을 비교 분석하였다. 본 논문에서는 드리프트-확산 모델보다는 하이드로 다이나믹 모델을 사용하였을 때 드레인 전류가 더 많이 흐름을 알 수 있었다. 게이트 길이가 $0.9{mu}m$일 때 문턱 전압은 온도가 300K, 77K에서 각각 -0.97V와 -1.15V의 값을 가짐을 알수... -
미세 구조 MOSFET에서 문턱전압 변화를 최소화하기 위한 최적의 스켈링 이론
정학기, 김재홍, 고석웅 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 6 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2003, Vol.7 No.4 719-724 (6 pages)
본 논문은 halo doping profile을 갖는 나노구조 LDD MOSFET의 문턱전압에 대하여 연구하였다. 소자의 크기는 일반화된 스켈링 이론을 사용하여 100nm 에서 40m까지 스켈링하였다. Van Dort Quantum Correction Model(QM) 모델을 정전계 스켈링 이론과 정전압 스켈링 이론에 적용하여 문턱전압을 조사하였으며, gate oxide 두께의 변화 따른 direct tunneling current를 조사하였다. 결과적으로 게이트 길이가 감소됨에 따라 문턱전압이 정전계 스켈링에서는 감소하고 정전압 스켈링에서는 증가함을 알았고 direct tunneling current는...


전체 선택해제

총


