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적응형 바이어스 기법과 DGS를 이용한 와이브로용 고효율 고선형 도허티 전력증폭기 설계
오정균, 손성찬, Oh. Chung-Gyun, Son. Sung-Chan 한국정보통신설비학회 정보통신설비= Journal of information and telecommunication facility engineering 6 Pages
한국정보통신설비학회 정보통신설비= Journal of information and telecommunication facility engineering 2009, Vol.8 No.1 12-17 (6 pages)
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모바일 클라이언트의 데이터 무결성 보장을 위한 보안모듈에 관한 연구
주해종, 홍봉화, Joo. Hae-Jong, Hong. Bong-Hwa 한국정보기술전략혁신학회 情報學硏究 16 Pages
한국정보기술전략혁신학회 情報學硏究 2007, Vol.10 No.3 77-92 (16 pages)
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열잡음 메모리 효과 제거기를 이용한 전력증폭기의 효율 개선
고영은, 이지영, Ko. Young-Eun, Lee. Ji-Young 한국정보기술전략혁신학회 情報學硏究 12 Pages
한국정보기술전략혁신학회 情報學硏究 2007, Vol.10 No.3 47-58 (12 pages)
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이단으로 구성된 CMOS 전력증폭기 설계
배종석, 함정현, 정혜련, 임원섭, 조수호, 양영구, Bae. Jongsuk, Ham. Junghyun, Jung. Haeryun, Lim. Wonsub, Jo. Sooho, Yang. Youngoo 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 8 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.9 895-902 (8 pages)
본 논문에서는 CMOS $0.18-{mu}m$ 공정을 이용하여 1.75 GHz 대역에서 동작하는 이단으로 구성된 CMOS 전력증폭기를 설계하였다. 무선통신시스템에 적합한 전력증폭기 설계를 위하여 ADS 모의실험을 통하여 전력이득, 출력 전력, 효율을 각각 28 dB, 27 dBm, 45 %로 설계를 하였다. 실제 제작된 전력증폭기의 성능은 전력 이득, 출력 전력, 효율은 각각 22.9 dB, 24.8 dBm, 41.3 %로 특성을 나타냈으며, 변조된 LTE(Long-Term Evolution) 신호에 대하여 인접 채널 누설비(ACLR)가 -30 dBc 이하를 만족하며, 전력 이득, 출력 전력, 효율이... -
GaN HEMT Die를 이용한 Ku-대역 전력 증폭기 설계 및 제작
김상훈, 김보기, 최진주, 정병구, 태현식, Kim. Sang-Hoon, Kim. Bo-Ki, Choi. Jin-Joo, Jeong. Byeoung-Koo, Tae. Hyun-Sik 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.6 646-652 (7 pages)
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 Ku-대역 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. 저비용으로 Ku-대역 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고가의 알루미나 회로 기판 제작 대신 PCB(Printed Circuit Board)를 이용하여 입/출력단 정합 회로를 이용하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 14.8 GHz에서 42.6 dBm의 출력 전력, 37.7 % 드레인 효율 그리고 7.9 dB의 선형 이득을 얻었다. CW(Continuous Wave) 실험 결과로는 39.8 dBm의 출력 전력, 24.1... -
Multi-Harmonic Matching Network을 이용한 동시-이중 대역 Class-E 전력 증폭기
박승원, 전상근, Park. Seung-Won, Jeon. Sanggeun 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 10 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.4 401-410 (10 pages)
본 논문에서는 1.3 GHz와 2.1 GHz에서 소형화된 multi-harmonic matching network(MHMN)을 사용한 고효율 동시-이중대역 Class-E 전력 증폭기를 제안한다. 제안하는 구조는 스위치 혹은 집중 소자를 사용하지 않고, transmission line만을 이용하여 1.3 GHz과 2.1 GHz 그리고 각각의 2차 및 3차 고조파의 임피던스를 조절하였다. 능동 소자로는 Avago ATF-50189 GaAs p-HEMT가 사용되었다. 제작된 전력증폭기는 입력 전력이 21 dBm일 때 1.3 GHz와 2.1 GHz에서 각각 27.1 dBm, 25.7 dBm의 출력과, 6.1 dB, 4.7 dB의 전력 이득, 그리고... -
RFID 대역에서 동작하는 이중 대역 전력증폭기 설계
김재현, 황선국, 박효달, Kim. Jae-Hyun, Hwang. Sun-Gook, Park. Hyo-Dal 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 4 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.3 376-379 (4 pages)
본 논문은 910 MHz와 2.45 GHz 대역에서 동작하는 RFID 트랜시버용 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 이중 대역 전력증폭기는 집중정수 소자로 구현된 910 MHz 대역의 정합 회로와 분포정수 소자로 구현된 2.45 GHz 대역의 정합 회로로 구성되며, 두 대역의 격리를 위하여 910 MHz 대역에 대하여 대역 제거 필터(band rejection filter)로 동작하고, 2.45 GHz 대역에서는 대역 통과 필터(band pass filter)로 동작하는 ${lambda}/2$ 직렬 마이크로스트립 전송 선로로 구성되어 있다. 제작된 이중 대역 전력증폭기는 910 MHz와... -
고조파 정합 기법을 이용한 고효율 GaN HEMT 전력 증폭기
진태훈, 권태엽, 정진호, Jin. Tae-Hoon, Kwon. Tae-Yeop, Jeong. Jinho 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.1 53-61 (9 pages)
GHz에서 선형 전력 이득 20 dB 및 33.7 dBm의 $P_{1dB}$(1 dB gain compression point) 특성을 보였다. 그리고, 출력 전력 38.6 dBm에서 80.9 %의 최대 전력 부가 효율(Power Added Efficiency: PAE)을 나타냈으며, 이는 기존에 설계된 고효율 전력 증폭기와 비교했을 때 아주 우수한 효율 특성이다. 또한, W-CDMA 신호입력에 대한 측정 결과, 28.4 dBm의 평균 출력 전력에서 27.8 %의 PAE와 5 MHz offset 주파수에서 -38.8 dBc의 ACLR (Adjacent Channel Leakage Ratio)을 보였다. 그리고, 다항식 맞춤 방식의 디지털 전치 왜곡(Digital... -
Memory Effect를 최소화한 C-대역 내부 정합 GaAs 전력증폭기
최운성, 이경학, 어윤성, Choi. Woon-Sung, Lee. Kyung-Hak, Eo. Yun-Seong 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 10 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.11 1081-1090 (10 pages)
본 논문에서는 C-대역에서 입출력 정합 회로가 패키지에 내장된 10 W급 내부 정합 증폭기 설계 및 제작을 하였다. 전력증폭기 설계에 사용한 트랜지스터로 GaAs pHEMT bare-chip을 사용하였다. 트랜지스터 패드 위치와 커패시터 크기를 고려한 와이어 본딩 해석으로 정확도 높은 설계를 하였다. 패키지와 정합 회로를 함께 EM simulation하여 패키지가 정합 회로에 미치는 영향을 해석하였다. 2-tone 측정 시 memory effect로 인해 발생되는 IMD3의 비대칭성을 줄이기 위한 memory effect 감쇄 바이어스 회로를 제안 및 설계하였다. 측정... -
임의의 고조파 임피던스를 갖는 출력 정합 회로를 이용한 GaN HEMT 전력증폭기의 설계
정해창, 손범익, 이동현, 염경환, Jeong. Hae-Chang, Son. Bom-Ik, Lee. Dong-Hyun, Yeom. Kyung-Whan 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 13 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.11 1034-1046 (13 pages)
본 논문에서는 임의의 고조파 임피던스를 갖는 출력 정합 회로를 이용한 GaN HEMT 전력증폭기의 설계를 보였다. 선정된 GaN HEMT 소자는 TriQuint사의 TGF2023-02이며, 전력증폭기 구성을 위하여 상용 패키지에 패키징하였다. 패키지 입 출력 기준면에서 로드-풀 시뮬레이션을 수행하였다. 기본파에서는 최대 출력, 2차 및 3차 고조파에서는 최대 효율을 갖는 최적 임피던스를 도출하였다. 도출된 임피던스는 fixture에 의하여 임의의 고조파 임피던스를 보였으며, 이를 정합하기 위하여 4개의 전송선으로 구성된 출력 정합 회로를...


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