자료유형
발행기관
- 대한생리학회-대한약리학회(91)
- 대한전자공학회(32)
- 한국전기전자재료학회(21)
- 대한생리학회(19)
- 한국탄소학회(17)
- 대한약리학회(9)
- 한국정보통신학회(9)
- 한국해양정보통신학회(8)
- 대한수의학회(7)
- 한국전기전자학회(7)
- 대한전기학회(6)
- 한국청각언어재활학회(4)
- 대한신경정신의학회(3)
- 한국전자통신연구원(3)
- 한국정보디스플레이학회(3)
- 한국식물병리학회(2)
- 한국전자통신학회(2)
- 한국진공학회(2)
- 대한물리치료학회(1)
- 물리치료재활과학회(1)
- 통신위성우주산업연구회(1)
- 한국광학회(1)
- 한국농업기계학회(1)
- 한국마이크로전자및패키징학회(1)
- 한국세라믹학회(1)
- 한국센서학회(1)
- 한국시뮬레이션학회(1)
- 한국의학물리학회(1)
- 한국정밀공학회(1)
- 한국조명전기설비학회(1)
- 한국철도학회(1)
- 한국통신학회(1)
간행물
- THE KOREAN JOURNAL OF PHYSIOLOGY & PHARMACOLOGY(91)
- 대한생리학회지(19)
- CARBON LETTERS(17)
- 전기전자재료학회논문지(16)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(15)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(12)
- 대한약리학잡지(9)
- 한국해양정보통신학회논문지(9)
- JOURNAL OF VETERINARY SCIENCE(7)
- 전기전자학회논문지(7)
- 한국정보통신학회논문지(6)
- AUDIOLOGY AND SPEECH RESEARCH(4)
- TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS(4)
- JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING & TECHNOLOGY(3)
- JOURNAL OF INFORMATION DISPLAY(3)
- JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA(3)
- 신경정신의학(3)
- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. C/ C, 전기물성-응용부문(3)
- ETRI JOURNAL(2)
- THE PLANT PATHOLOGY JOURNAL (2)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(2)
- 한국전자통신학회 논문지(2)
- 한국진공학회지(2)
- INTERNATIONAL JOURNAL OF MARITIME INFORMATION AND COMMUNICATION SCIENCES(1)
- JOURNAL OF INFORMATION AND COMMUNICATION CONVERGENCE ENGINEERING(1)
- JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF KOREA(1)
- PHYSICAL THERAPY REHABILITATION SCIENCE(1)
- 대한물리치료학회지(1)
- 마이크로전자 및 패키징 학회지(1)
- 바이오시스템공학(1)
- 센서학회지(1)
- 요업학회지(1)
- 의학물리(1)
- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(1)
- 전자통신(1)
- 조명-전기설비학회논문지(1)
- 통신위성우주산업연구회논문지(1)
- 한국시뮬레이션학회논문지(1)
- 한국정밀공학회지(1)
- 한국철도학회 논문집(1)
- 한국통신학회논문지. THE JOURNAL OF KOREA INFORMATION AND COMMUNICATIONS SOCIETY. 네트워크 및 서비스(1)
전체 선택해제
총 259건 검색
본문검색 결과만 보기
-
900MHz 대역 RFID 수동형 태그 전치부 설계 및 구현
황지훈, 오종화, 김현웅, 이동근, 노형환, 성영락, 오하령, 박준석, Hwang. Ji-Hun, Oh. Jong-Hwa, Kim. Hyun-Woong, Lee. Dong-Gun, Roh. Hyoung-Hwan, Seong. Yeong-Rak, Oh. H 한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스 10 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스 2010, Vol.35 1081-1090 (10 pages)
및 구현하고 측정을 통해 검증하였다. 문턱전압(threshold voltage) 제거 회로 구조의 전압 체배기, 전류를 이용한 복조 회로, 온도 및 공정 보상회로를 포함한 EPC Global Class-1 Generation-2 UHF RFID 프로토콜에 만족하는 클록 발생기 구조로 주요 블록을 설계하였으며, 전력차단 회로를 추가하여 동작의 안정성에 중점을 두었다. PWM(Pulse Width Modulation)을 이용한 변조기 구조로 입력단의 용량성 임피던스 부하 변조 방식을 이용하여 변조 동작을 검증하였다. 성능 검증을 위해 평가 보드에 CPLD(Complex Programmable Logic... -
IGBT 기반 인덕턴스 및 문턱전압 변화에 따른 초퍼 회로의 연구
노영환, Lho. Young-Hwan 한국철도학회 한국철도학회 논문집 5 Pages
한국철도학회 한국철도학회 논문집 2010, Vol.13 No.5 504-508 (5 pages)
고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)의 개발로 기존의 GTO(Gate Turnoff Thyristor)가 적용되는 분야에서 더 효율적인 새로운 소자로 인정받고 있다. IGBT는 금속 산화막 반도체 트랜지스터(MOSFET)와 바이폴라 전력 트랜지스터의 장점을 결합한 소자이다. IGBT의 전기적 특성의 변화는 주로 입력단자에 MOSFET와 출력단자에 PNP 트랜지스터의 특성에 달려있다. IGBT의 가장 중요한 설계변수중의 하나인 문턱전압의 변화는 방사선이 존재하는 환경에 게이트 산화막(oxide)에서 전하포획(charge trapping)에 의해 발생되고... -
쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 구조를 적용한 실리콘 나노점 부유 게이트 비휘발성 메모리 특성
손대호, 김은겸, 김정호, 이경수, 임태경, 안승만, 원성환, 석중현, 홍완식, 김태엽, 장문규, 박경완, Son. Dae-Ho, Kim. Eun-Kyeom, Kim. Jeong-Ho, Lee. Kyung-Su, Yim. Tae-Kyung, An. Seung- 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.4 302-309 (8 pages)
쇼트키 장벽 관통 트랜지스터에 실리콘 나노점을 부유 게이트로 사용하는 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 소스/드레인 영역에 어븀 실리사이드를 형성하여 쇼트키 장벽을 생성하였으며, 디지털 가스 주입의 저압 화학 기상 증착법으로 실리콘 나노점을 형성하여 부유 게이트로 이용하였다. 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 동작 상태를 확인하였으며, 게이트 전압의 크기 및 걸어준 시간에 따른 트랜지스터의 문턱전압의 이동을 관찰함으로써 비휘발성 메모리 특성을 측정하였다. 초기 ${pm}20;V$의 쓰기/지우기 동작에 따른 메모리... -
Pseudo-MOSFET을 이용한 SiGe-on-SOI의 Ge 농도에 따른 기판의 특성 평가 및 열처리를 이용한 전기적 특성 개선 효과
박군호, 정종완, 조원주, Park. Goon-Ho, Jung. Jong-Wan, Cho. Won-Ju 한국진공학회 韓國眞空學會誌 4 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.2 156-159 (4 pages)
16.2％, 29.7％, 34.3％, 56.5％ 이다. 실험결과 Ge 농도가 증가함에 따라 누설전류가 증가하는 특성을 보였으며 threshold voltage는 nMOSFET의 경우 3V에서 7V로 이동하였으며 pMOSFET의 경우도 -7 V에서 -6 V로 이동하는 특성을 보였다. 급속 열처리 공정 (rapid thermal anneal) 후에 매몰 산화층과 기판 계면간의 스트레스에 의한 포획준위가 발생하여 소자특성이 열화되었지만, $H_2/N_2$ 분위기에서 후속 열처리 공정 (post RTA anneal) 을 통하여 계면 간의 포획준위를 감소시켜 SGOI Pseudo-MOSFET의 전기적 특성이 개선되었다. -
평등전계에서 도전성 구형 입자의 운동
임헌찬, Lim. Hun-Chan 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 9 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 2011, Vol.25 No.8 39-47 (9 pages)
-
DGMOSFET에서 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압변화분석
정학기, Jung. Hak-Kee 한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 5 Pages
한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2010, Vol.14 No.10 2305-2309 (5 pages)
본 연구에서는 상단게이트와 하단게이트를 갖는 더블게이트 MOSFET에서 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압의 변화에 대하여 분석하였다. 더블게이트 MOSFET는 두개의 게이트를 가지고 있기 때문에 전류제어 능력이 기존 MOSFET의 두배에 가깝고 나노소자에서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. MOSFET에서 채널길이와 채널두께는 소자의 크기를 결정하며 단채널효과에 커다란 영향을 미치고 있다. 채널길이가 짧아지면 서 채널두께와의 비에 따라 단채널효과 중 문턱전압의 변화가 크게 영향을 받고 있다. 그러므로... -
초고집적용 새로운 회자 구조의 얕은 트랜치 격리의 특성 분석
이용재, Lee. Yong-Jae 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2014, Vol.18 No.10 2509-2515 (7 pages)
본 논문에서는, 초고집적 CMOS를 위한 얕은 트랜치 격리로 기존의 수직 구조에서 내부 임계전압과 활성 영역의 스트레스 영향을 개선시키고자 한다. 이를 위해서 제안한 구조는 회자 모양의 얕은 트랜치 격리 구조이며, 기존 수직 구조와 제안한 구조에 대해서 전자농도 분포와 게이트 바이어스 대 에너지 밴드 형태, 열전자 스트레스와 열 손상의 유전 강화 전계를 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 스트레스 인가이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가... -
극저온에서 나노스케일 무접합 p-채널 다중 게이트 FET의 전기적 특성
이승민, 박종태, Lee. Seung-Min, Park. Jong-Tae 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 6 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2013, Vol.17 No.8 1885-1890 (6 pages)
본 연구에서는 극저온에서 다중 게이트 구조인 나노스케일 p-채널 무접합(junctionless) 과 축적모드(accumulation mode) 다중 게이트 FET의 전기적 특성을 분석하였다. 헬륨을 사용하는 극저온 프로브 스테이션을 사용하여 소자를 측정하였다. 극저온과 낮은 드레인 전압에서 무접합 트랜지스터의 드레인 전류의 진동 현상이 축적모드 보다 심한 것을 알 수 있었다. 이는 무접합 트랜지스터에서는 채널이 실리콘 박막의 가운데 형성되므로 전기적 채널 폭이 축적모드 트랜지스터 보다 작기 때문이다. 온도가 증가할수록 드레인 전류가... -
문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론과 단채널효과의 관계
정학기, Jung. Hak-Kee 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2012, Vol.16 No.7 1463-1469 (7 pages)
본 연구에서는 문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET에서 스켈링 이론이 단채널효과에 미치는 영향을 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 출력특성을 일정하게 유지하기 위하여 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭 주파수를 해석하였다. 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과에 대한 스켈링 이론의 적용 결과를 분석하기 위하여 문턱전압, 드레인유기장벽감소 및 문턱전압이하 스윙 등을 스켈링 인자에 따라 관찰하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였다. 분석결과 단채널효과 중 문턱전압이... -
DGMOSFET의 문턱전압과 스켈링 이론의 관계
정학기, Jung. Hak-Kee 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2012, Vol.16 No.5 982-988 (7 pages)
본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 문턱전압과 스켈링 이론의 관계를 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 채널크기에 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭주파수를 해석하였다. 이에 본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에서 문턱전압의 경우 스켈링 이론의 적용가능성을 관찰하기 위하여 문턱전압의 변화를 스켈링 인자에 따라 관찰하고 분석하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 가우스함수의 전하분포를 사용하였다. 분석결과 문턱전압이 스켈링 인자에 따라 크게...