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수소화된 나노결정 실리콘 박막의 기판온도에 따른 나노구조 변화
남희종, 손종익, 조남희, Nam. Hee-Jong, Son. Jong-Ick, Cho. Nam-Hee 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2013, Vol.23 No.7 359-365 (7 pages)
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DLC(Diamond-Like Carbon) 코팅에 의한 오목 폴리머인쇄판의 내구성 및 인쇄 품질 특성
유한솔, 김준형, 문경일, 황택성, 이혁원, Yoo. Han-Sol, Kim. Jun-Hyung, Moon. Kyoung-Il, Hwang. Taek-Sung, Lee. Hyok-Won 한국재료학회 한국재료학회지 10 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2012, Vol.22 No.10 552-561 (10 pages)
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SiOC(-H) 박막 제조용 Methyltriphenylsilane 전구체 합성 및 특성분석
한덕영, 박재현, 이윤주, 이정현, 김수룡, 김영희, Han. Doug-Young, Park Klepeis. Jae-Hyun, Lee. Yoon-Joo, Lee. Jung-Hyun, Kim. Soo-Ryong, Kim. Young-Hee 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2010, Vol.20 No.11 600-605 (6 pages)
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비정질 p-SiC/i-SiC/i-Si/n-Si 박막 태양전지에서 i-SiC 완충층의 역할
김현철, 신혁재, 이재신, Kim. Hyun-Chul, Shin. Hyuck-Jae, Lee. Jae-Shin 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.12 1155-1159 (5 pages)
(PECVD) 장비를 이용하여 $SnO_2$ 투명전도막이 피막된 유리기판 위에 p-SiC/i-Si/n-Si 이종접합 태양전지를 제작하였다. p-SiC 층의 증착중에 기체조성 x=$CH_4/;(SiH_4+CH_4)$의 변화에 대한 태양전지의 광기전 특성을 관찰하였다. 기체조성(x)이 0~0.4의 범위에서 p-SiC 창층의 광학적 밴드갭의 증가로 인하여 태양전지의 효율은 증가하였으나, 그 이상의 기체조성에서는 p-SiC/i-Si 계면에서의 조성불일치가 증가하여 태양전지의 효율이 감소하였다. 이러한 계면문제는 p-SiC 층과 i-Si 계면에서의 조성불일치가 증가하여 태양전지의... -
Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $ extrm{Si}_3 extrm{N}_4$/InP의 접합특성
김선운, 신동석, 이정용, 최인훈, Kim. Seon-Un, Sin. Dong-Seok, Lee. Jeong-Yong, Choe. In-Hun 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.10 890-897 (8 pages)
n-InP(001)기판과 PECVD법으로 ${Si}_3N_4$(200nm)막이 성장된 InP 기판사이의 direct wafer bonding을 분석하였다. 두 기판을 접촉시켰을 때 이들 사이의 결합력에 크게 영향을 주는 표면 상태를 접촉각 측정과 AFM을 통해서 분석하였다. InP 기판은 $50{\%}$ 불산용액으로 에칭하였을 때 접촉각이 $5^{circ}$, RMS roughness는 $1.54{AA}$이었다. ${Si}_3N_4$는 암모니아수 용액으로 에칭하였을 때 RMS roughness가 $3.11{AA}$이었다. Inp 기판과 ${Si}_3N_4$/InP를 각각 $50{\%}$ 불산 용액과 암모니아수 용액에 에칭한 후 접촉시켰을... -
실리콘 질화막을 이용한 X-ray Lithography마스크용 박막물질의 개발
이태호, 정창영, 이규한, 이승윤, 안진호, Lee. Tae-Ho, Jeong. Chang-Yeong, Lee. Gyu-Han, Lee. Seung-Yun, An. Jin-Ho 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.5 417-422 (6 pages)
본 연구에서는 LPCVD, PECVD, ECR plasma CVD방법을 이용하여 x선 노광 공정용 마스크의 투과막재료로써의 실리콘질화막의 증착과 그의 물성에 관하여 실험하였다. X선 노광 마스크용 투과막의 재질로써 요구되는 적정인장응력에 가지는 증착조건으로 실리콘질화막을 1$mu extrm{m}$정도의 두께로 증착하였으며 이 조건에서의 물성을 SIMS, XPS, ESR, AFM, spectrophoto-metry를 이용하여 비교 분석하였다. ECR plasma CVD방법으로 얻은 실리콘 질화막은 화학양론적 조성(Si/N=0.75)에 근접하는 막을 얻을 수 있었으며 표면 평활도와... -
Ni-Zn 페라이트 박막을 이용한 박막 인덕터의 제조
김민흥, 여환군, 황기현, 이대형, 윤의준, 김형준, Kim. Min-Heung, Yeo. Hwan-Gun, Hwang. Gi-Hyeon, Lee. Dae-Hyeong, Yun. Ui-Jun, Kim. Hyeong-Jun 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.1 22-28 (7 pages)
인덕터는 전자회로에 이용되는 주요 부품의 하나이며, 현재 교주파용 소형 인덕터를 박막화하려는 시도가 진행중이다. 본 연구에서 열산화시킨 Si(100)기판위에 성공적으로 박막형 인덕터를 제조하였다. Core 물질로는 ion beam sputtering 법으로 증착한 Ni-Zn 페라이트와 PECVD법으로 증착한 SiO2를 사용하였다. 고온산화분위기의 박막 증착과정을 고려하여 귀금속류인 Au를 전극으로 이용하였으며, life-off법으로 미세회로를 구현하였다. 상하부 전극의 안정적인 연결을 위하여 2차 전극배선 전에 via를 채워넣었다. 제조된 박막... -
$Ta_2O_{5}$ 박막의 누설전류 및 유전특성과 박막응력
이재석, 양승기, 신상모, 박종완, Lee. Jae-Suk, Yang. Ki-Seung, Shin. Sang-Mo, Park. Jong-Won 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.6 633-638 (6 pages)
wafer위에 $Ta_2O_{5}$, 박막을 형성한 후 이들 박막의 전기적 특성과 박막응력 상호간의 관계를 연구하였다 열산화 시편의 경우 dc magnetron sputtering법으로 Ta을 증착시킨 후에 산화온도와 시간을 변수로 열산화시켜 박막을 형성시켰으며 PECVD 시편의 경우 RF power density를 변화시켜가면서 박막을 형성시켰다. 이들 박막의 전기적 특성과 박막응력을 조사하여 전기적 특성과 박막응력 상호간의 관계를 조사한 결과 열산화 박막의 경우 누설전류와 박막응력은 독립적인데 반해 PECVD 박막의 경우 박막응력의 절대값은 누설전류가... -
RTA 후속 열처리에 의한 $Ta_{2}O_{5}-Si$ 계면 반응과 전기적 특성 변화
전석룡, 이정엽, 한성욱, 박종완, Jeon. Seok-Ryong, Lee. Jeong-Yeop, Han. Seong-Uk, Park. Jong-Wan 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.3 357-363 (7 pages)
PECVD(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 증착한 $Ta_{2}$O_{5}$ 박막의 전기적 특성과 미세구조에 미치는 RTA(Rapid Thermal annealing) 후속 고온 열처리의 영향을 조사하였다. $Ta_{2}$O_{5}$</TEX> 박막의 미세구조와 interface 거동을 관찰하기 위하여XRD(X-ray Diffractometer), TEM(Transmission Electron Microscope), AES(Auger Electron Spectroscope) 분석을 실시하였으며, 전기적 특성을 관찰하기 위하여 I-V, C-V 측정을 하였다. $600^{circ}C$에서 60초간 열처리를 실시하였을 경우 가장...