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실리카 광도파로의 Core층인 Silicon Oxynitride후박의 굴절률 제어
김용탁, 조성민, 윤석규, 서용곤, 임영민, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 4 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.6 594-597 (4 pages)
플라즈마 화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 p-type Si(100) 웨이퍼에 Silicon Oxynitride(SiON) 후막을 SiH$_4$ , $N_2$O, $N_2$ 가스를 혼합하여 증착하였다. Prism coupler측정을 통해 SiON 후막의 굴절률 1.4620~1.5312을 얻었으며, rf power가 180 W에서 5.92$mu$m/h의 증착률을 나타내었다. 증착변수에 따른 화학적 조성의 영향은 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS) 을 통하여 관찰하였다. 또한, SiON 후막 증착후에 $1.5mu$m 부근의 흡수띠를 제거하기 위해 105$0^{circ}C$의 $N_2$ 분위기에서 2시간 동안 열처리를... -
실리카 광도파로용 SiON 후막 특성에서 RF Power와 $SiH_4$/($N_2$O+$N_2$) Ratio가 미치는 영향
김용탁, 조성민, 서용곤, 임영민, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2001, Vol.38 No.12 1150-1154 (5 pages)
플라즈마 화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파막의 코어로 이용되는 규소질산화막(SiON)을 Si 웨이퍼 위에 SiH$_4$,$N_2$O, $N_2$가스를 혼합하여 저온(32$0^{circ}C$)에서 증착하였다. Prism coupler 측정을 통해 SiON 굴절률 1.4663~1.5496을 얻었으며, SiH$_4$/($N_2$O+$N_2$) 유량비와 rf power가 각각 0.33과 150W에서 8.67$mu extrm{m}$/h의 증착률을 나타내었다. 또한 SiH$_4$/($N_2$O+$N_2$) 유량비가 감소함에 따라 SiON막의 roughness는 41~6$AA$까지 감소하였다. -
3D Interconnection을 위한 실리콘 관통 전극 내부의 절연막 증착 공정과 그 막의 특성에 관한 연구
서상운, 김구성, Seo. Sang-Woon, Kim. Gu-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2008, Vol.15 No.3 47-52 (6 pages)
한다. 따라서 이러한 특성을 확인하기 위해 3종의 화학 기상 증착법인 PECVD, PETEOS, ALD을 선정하고 절연 막 증착 후 특성평가를 진행 하였다. 특성평가 항목 중 step coverage는 PECVD : <30%, PETEOS : 45%, ALD : 75%, 표면 거칠기는 PECVD : 27.8 nm, PETEOS : 2.1 nm, ALD : <2.0 nm으로 측정되어 막질의 특성은 ALD가 가장 우수하게 평가 되었으나, 실제 기술의 적용에서 가장 중요한 요소인 증착률에서 ALD는 $18;AA/1cycle$로서 $10;AA/min$ 이라는 대략적 시간이 소요되어 $5000;AA/min$의 증착률을 보인 PETEOS에 비해... -
탄소 나노튜브의 성장 및 후처리 조건에 따른 이산화질소 감지특성의 변화
이임력, Lee. R.Y. 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2006, Vol.13 No.4 65-70 (6 pages)
PECVD법으로 탄소 나노튜브를 성장하고, 그 후 $400{sim}500^{circ}C$에서 산화 열처리한 센서의 이산화질소 감지특성을 $200^{circ}C$ 및 1.5ppm의 이산화질소 농도 하에서 측정하였다. 탄소 나노튜브 센서의 전기저항은 온도 증가에 따라 감소하는 반도체 특성을 보였으며, 이산화질소 흡착에 따라 전기저항은 감소하였다. 공기 중의 수분은 센서감도에 영향을 주고 있으며, 센서를 마이크로파에 3분간 노출하면 센서의 특성은 저하되었다. 또한 CVD법으로 제조한 시편에 비하여 PECVD법으로 성장한 탄소 나노튜브 센서의 감도는 향상... -
MCM-D 기판 내장형 수동소자 제조공정
주철원, 이영민, 이상복, 현석봉, 박성수, 송민규 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 7 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 1999, Vol.6 No.4 1-7 (7 pages)
이 실험에서 제작한 MCM-D 기판은 절연막과 금속배선 층이 각각 5개, 4개 층으로 구성되는데 저항은 2번째 절연막 위에 thermal evaporator 방식으로 NiCr을 600$AA$증착하여 시트저항이 21 $Omega$/sq가 되게 형성하였고. 인덕터는 coplanar 구조로 3, 4번째 금속배선층에 형성하였으며, 커패시터는 절연막으로 PECVD $Si_3N_4$를 900$AA$증착한 후 1, 2번째 금속배선층에 형성하여 88nF/$ extrm {cm}^2$의 커패시턴스를 얻었다. 이 공정은 PECVD $Si_3N_4$와 thermal evaporation NiCr 공정을 이용함으로써 기존의 반도체 공정을... -
광전소자 패키징에서 광섬유 정렬을 위한 Si V-groove 형성
유영석, 김영호 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 7 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 1999, Vol.6 No.3 65-71 (7 pages)
치수 정밀도에 미치는 마스크 재료와 에칭용액의 영향을 연구하였다. PECVD nitride, LPCVD nitride, thermal oxide($SiO_2$)를 마스크재료로 사용하였고 실리콘을 이방성에칭하는 용액으로 KOH(40wt%)용액과 KOH(40wt%)용액에 IPA를 첨가한 용액을 이용하였다. 마스크재료로는 LPCVD nitride가 가장 좋은 선택적에칭특성을 나타내었으며 사용된 마스크재료 중 thermal oxide가 가장 빠른 속도로 에칭되었다. V-groove의 크기 증가는 마스크충 아래로의 undercutting에 의해 생겼는데 이는 주로 (111)면으로의 에칭 때문이었다.... -
CMOS IC와 집적 가능한 비정질 p-i-n 광 수신기 제작에 관한 연구
곽철호, 유회준, 장진, 문병연 한국광학회 한국광학회지 6 Pages
한국광학회 한국광학회지 1997, Vol.8 No.6 500-505 (6 pages)
수신기를 제작하였다. 비정질 물질인 a-Si:H을 도입함으로써 PECVD와 같이 저온 공정을 진행하는 장비를 사용할 수 있도록 하여 이미 제작된 IC의 특성이나 구조 특히 금속 배선을 파괴하지 않으면서 집적할 수 있게 하였다. CMOS IC 위에 제작된 비정질 p-i-n 광 수신기는 양호한 순방향 전압 특성을 가지고 있었으며 누설 전류는 약 0.1$mu extrm{A}$ 정도, 항복 전압 -20V 이하의 특성을 보였다. 또한 레이저 다이오드 광 신호에 대한 광 수신기의 광 반응 특성을 실험하여 광 신호 검출을 조사함으로써 1V 이하의 작은 전압 스위칭을...