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InGaP/GaAs HBT 기술을 이용한 저잡음 극소형 VCO 설계
전성원, 이상설 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 5 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2004, Vol.15 No.1 68-72 (5 pages)
위상 잡음을 개선하기 위하여 저역 통과 필터의 특성을 가지는 새로운 잡음 제거 회로를 제안하고, 극 소형화를 위하여 FR-4 기판의 특수한 적층 구조를 이용한다. 제작된 전압제어 발진기의 주파수 변화 범위는 약 200 MHz이고, 위상 잡음은 120 KHz 옵？에서 -119.3 ㏈c/Hz이다. VCO 코어의 소비 전력은 공급 전원 2.8 V에서 11.2 ㎽이고, 출력 파워는 -2 ㏈m이다. FOM의 계산치는 191.7로써, 지금까지 발표된 FET나 HBT 전압제어 발진기보다 좋은 성능을 보인다. 완성된 전압제어 발진기의 크기는 3.266 mm ${ imes}$ 3.186 mm로... -
게이트 절연막에 의한 다이아몬드 MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) 계면의 전기적 특성 개선과 전계효과 트랜지스터에의 응용
윤영 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2003, Vol.14 No.6 648-654 (7 pages)
효과(Oxygen-Gettering Effect)에 의한 표면준위 억제를 통해, 박막반도체 다이아몬드 MIS계면에 있어서 최적의 전기적 특성을 부여하는 BiF2 게이트절연막을 개발하였다. 본 논문의 결과에 의하면, BaF$_2$ 게이트 절연막을 이용하여 제작한 A1/BaF2/diamond MIS 다이오드와 MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)로부터 저농도의 ~10101/$ extrm{cm}^2$ eV의 표면준위밀도가 관측되었고, 그리고 이제까지 발표된 다이아몬드 박막반도_체 FET중 최고치인 400 $ extrm{cm}^2$/Vs의 유효이동도가 관찰되었다. -
초고진공 프로세스에 의해 제작된 A/CaF2/Diamond MISFET의 개선된 전기적 특성과 인버터회로에의 응용
윤영 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 6 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2003, Vol.14 No.5 536-541 (6 pages)
유효이동도 $mu$ $e_{ff}$ 는 이제까지 발표된 박막반도체 다이아몬드 FET중 최고치인 300 $cm^2$/Vs 이었다. 본 논문에서는 또한 초고진공 프로세스에 의해 제작된 Al/Ca $F_2$/diamond MISFET를 이용하여 인버터회로(inverter circuit)를 제작하였으며, 고온고주파 환경에서 양호한 전기적 특성을 관찰하였다. 본 논문의 특징은 초고진공 프로세스에 의해 제작된 불소화 다이아몬드 박막반도체 MISFET에 관한 최초의 보고이며, 또한 다이아몬드 박막반도체 MISFET의 인버터회로(inverter circuit)동작에 관한 최초의 보고이다.다. -
저잡음 특성을 갖는 새로운 RF 능동 대역통과 여파기
이재룡, 윤상원 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 6 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2002, Vol.13 No.8 748-753 (6 pages)
여파기의 설계방법을 제시하고 있다. FET에 의해 만들어진 능동 커패시터는 부성저항과 커패시턴스 성분을 가지고 있으며, 부성저항에 의해 공진회로를 구성하는 인덕터 소자의 손실을 보상해 준다. 기존의 능동 여파기는 대개 높은 잡음지수를 가지는데 반하여 제안된 능동 여파기는 능동소자의 잡음특성을 최소화하는 구조로 설계되었다. 잡음지수를 최소화함으로서 RFIC나 MMIC와 같은 집적회로로서 수신단 Front-end설계에 응용할 수 있다. 제작된 2단 능동대역통과 여파기는 1.9 GHz 대역에서 설계되었으며, 측정된 삽입손실은 0 dB,... -
K 대역 Push-Push 유전체 공진기 발진기 설계 및 제작
정재권, 박승욱, 김인석 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 12 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2002, Vol.13 No.7 613-624 (12 pages)
본 논문에서는 Push-Push FET유전체 공진기 발진기를 20 GHz에서 설계, 제작하고 출력단에 각각 Wilkinson 전력결합기와 T 접합 전력결합기를 사용하였을 때의 각 결합기의 반사손실과 격리도 특성에 따른 발진기의 출력특성을 조사하여 이들 특성이 출력과 위상잡음 특성에 각각 영향을 주는 것을 설명한다. 기본 주파수 10 GHz를 억제하고 제 2고조파 주파수를 이용하는 20 GHz Push-Push발진기는 T $E_{01}$$delta$/모드의 유전체 공진기와 GaAs MESFET를 높이 H = 20 mil($varepsilon_{{gamma}}$/=2.52) 테프론 기판 위에 장착하는... -
새로운 바이어스 회로를 적용한 L-band용 One-Chip MMIC 믹서의 설계 및 제작
신상문, 권태운, 신윤권, 강중순, 최재하 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2002, Vol.13 No.6 514-520 (7 pages)
이동통신 단말기에 적용 가능한 수신단 MMIC 믹서의 설계 및 제작에 관한 연구를 다룬다. 단일 칩으로 집적하기 적절한 LO 및 RF balun을 능동소자를 이용하여 구성하였으며 각 능동소자의 공정상의 변화를 보상하기 위하여 새롭게 제안된 바이어스 회로를 적용하였다. 믹서의 변환이득은 -14 dB이며 IP3는 약 4 dBm, 포트간 격리도는 25 dB 이상의 값을 가진다. 제안된 새로운 바이어스 회로는 FET와 저항으로 구성되며 공정상의 변화와 온도의 변화 등에 의한 문턱전압의 변화를 보상해 줄 수 있다. 설계된 칩의 사이즈는 1.4 mm$... -
Vector Sum 방법을 이용한 새로운 구조의 능동 위상천이기
김성재, 명노훈 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2000, Vol.11 No.4 575-581 (7 pages)
Vector Sum 방법을 이용한 새로운 구조의 능동 위상천이기를 제안하였고 그 위상천이기를 제 어할 독특한 디지털 방식의 위상 제어 방법을 제시하였다. 제안한 새로운 구조의 능동 위상천이기는 Wilkinson power combiner/divider, branch line 3 dB quadrature hybrid coupler, 그리고 dual gate FET(DGFET)를 사용 한 가변 이득 증폭기(VGA)를 이용하여 설계.제작하였다. 그리고 제작된 능동 위상천이기를 디지털 방식으로 동작시킴으로써 제안된 구조가 효율적으로 잘 동작하고 또한 제시된 디지혈 방식으로 제어하는 방법이 타당함을... -
2차원 Quasi-optical 능동배열 안테나에 관한 연구
김준모, 윤형국, 윤영중 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2000, Vol.11 No.4 514-522 (9 pages)
F FET의 바이어스 전압 조정으로 발진 주파수를 조정할 수 있도록 하였다 .. $4 imes4$ 소자를 이용하여 주파수 12.5 GHz에서 발진 주파수가 locking하는 배열된 능동 위상배열 안테나의 일차원 빔 주사 범위는 브로드사이드로부터 $-17^{circ}~18^{circ}$로 나타났고, 시율레이션 결과와 대체로 일치했으나 사이드 로브 레벨이 약간 높게 나타났 다. 이차원 빔 주사를 이용하여 $phi_0=45^{circ}$일 때의 빔 주사 범위는 $-5^{circ}~10^{circ}$로 나타났다. 이를 이용하여 2차원 빔 주사에 응용할 수 있음을 확인하였고, 이것은 위성을... -
높은 주파수대에서 사용 가능한 고품질 능동 인덕터 개발에 관한 연구
최종은, 이상호, 박정훈, 나극환, 박익모, 신철재 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2000, Vol.11 No.3 445-453 (9 pages)
가변 능동 인덕터는 궤환 커패시터와 궤환 저항을 가진 종속접속된 2개의 FET로 구성을 하였다. 제안된 가변 능동 인덕터는 낮은 직렬 저항을 가져서 상대적으로 높은 Q 값을 얻을 수 있고 높은 주파수대에서 사용이 가능한 우수한 동작 특성 을 가진다. 인덕턴스 값은 궤환 커패시터와 궤환 저항 및 바이어스 전압에 의하여 변화되어지며 궤환 저항과 회 로내 병렬 저항을 가변하였을 때 1 GHz에서 15 GHz까지 범위에서 인덕턴스 값이 0.2nH에서 L7nH까지 변화하 였다. 또한 제안된 능동 인덕터를 사용하여 대역통과 필터를 설계하였을... -
23 GHz대 2단 저잡음 증폭기의 제작기술에 관한 연구
안동식, 장동필 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1997, Vol.8 No.1 52-60 (9 pages)
설계하였다 이 회로는 먼저 EEsof를 이용하여 기초 설계를 하고 MPIE 기볍에 의해 수정과 상세 해석을 실시 하는 방법으로 하였다. 입.출력단의 정합 부분은 평행 결합 여파기 형태로 하였는데 이는 임피던스 정합과 DC 차단을 동시에 실시할 수 있을 뿐만 아니라 불연속 부분이 적고 설계시 해석의 오차가 적은 장점을 가지고 있다. FET칩은 접지 급속 변에서 직접 부착하였다. 제작된 증폭기는 이득이 콘넥터 손실 1.8 dB를 고려하지 않은 상태에서 15.2 dB, 잡음지수가 2.7 dB를 나타냈다. 이와 같은 결과는 본 논문에서 사용한...