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모재표면오건에 따른 TiN 박막의 Morphology변화
노경준, 이정일 한국결정학회 한국결정학회지 14 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1992, Vol.3 No.1 53-66 (14 pages)
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결정질 실리콘 태양전지 응용을 위한 SiNx 및 SiO2 박막의 패시베이션 특성 연구
정명일, 최철종, Jeong. Myung-Il, Choi. Chel-Jong 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2014, Vol.24 No.1 41-45 (5 pages)
이에 대한 패시베이션 특성에 대한 연구를 수행하였다. Plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)을 이용하여 증착된 $SiN_x$ 박막의 경우, 증착 두께가 증가함에 따라 페시베이션 특성이 향상되는 것을 관찰하였다. 이는 PECVD 증착 공정 중 유입되는 수소 원자들이 실리콘 표면에 존재하는 Dangling bond와 결합하여 소수 캐리어의 재결합 현상을 효과적으로 감소시켰기 때문이다. 건식 산화법으로 형성된 $SiO_2$ 박막은 습식 산화법으로 형성된 것 보다 치밀한 계면 구조를 가짐으로 인하여 약 20배 이상 우수한 패시베이션... -
Fluorine 첨가에 의한 F-doped SiOC : H 박막의 저 굴절률 특성
윤석규, 강삼묵, 정원석, 박우정, 윤대호, Yoon. S.G., Kang. S.M., Jung. W.S., Park. W.J., Yoon. D.H. 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2007, Vol.17 No.2 47-51 (5 pages)
and $N_2O$)을 변수로 하여 PECVD법으로 증착하였다. 기판 온도와 rf power증가에 따라 F-doped SiOC : H 박막의 굴절률은 감소하는 경향을 보였다. $N_2O$ 가스 유량이 감소함에 따라 증착된 박막의 굴절률은 감소하였으며, rf power가 180W 기판온도 $100^{circ}C$, 그리고 $N_2O$ 가스를 첨가하지 않은 조건에서 증착한 박막은 최소 굴절률인 1.3778을 갖는 것을 알 수 있었다. Rf power 60W에서 180W로 증가시킴에 따라 증착된 박막의 불소 함량은 1.9at%에서 2.4at%로 증가하였으며 이러한 이유로 박막의 굴절률은 감소하는 경향을... -
플라즈마 스프레이 방법으로 코팅 된 $Al_2O_3$막의 구조적 특성
김좌연, 유재근, 설용태, Kim. Jwa-Yeon, Yu. Jae-Keun, Sul. Yong-Tae 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2006, Vol.16 No.3 116-120 (5 pages)
반도체 드라이 에처 시스템의 웨이퍼 정전기 척에 적용하기 위해 플라즈마 스프레이 방법으로 Al-60 계열 기판에 코팅한 $Al_2O_3$ 코팅 막의 특성을 조사하였다. 시편 뒷면에 냉각봉이 장착되었을 때와 없을 때, 용사거리와 분말공급량을 변형하면서 $Al_2O_3$ 막 코팅을 하여 시편을 제작 하였다. 시편 뒷면에 냉각봉이 없을 때는 크랙과 기공이 많이 발생하였다. 시편 뒷면에 냉각봉을 장착하고 분말공급량을 15g/min로 한 경우에 용사거리 60, 70, 80mm에 따른 $Al_2O_3$ 코팅에서는 크랙과 기공은 거의 찾아볼 수 없었다. 용사거리... -
바깥도파로 입사된 $Ti:LiNbO_3$ 세 도파로 광스위치의 설계 및 제작
김영문, 서정훈, 허창열, 김창민, Kim. Young-Moon, Seo. Jung-Hoon, Huh. Chang-Yul, Kim. Chang-Min 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 10 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 61-70 (10 pages)
$Ti:LinbO_3$ 세 도파로와 그 위에 CPW 구조 Al 전극을 갖는 광스위치를 설계, 제작, 실험하였다. z-cut $LinbO_3$ 기판상에 $1025^{circ}C$에서 6시간 동안 Ti 패턴을 확산시킨 세 도파로 방향성 결합기를 제작하였다. TM 모드의 전파 손실을 줄이기 위해 $1.2{mu}m$ 두께의 $SiO_2$ 박막을 PECVD로 증착시킨 후, 그 위에 광스위칭을 위하여 Al 전극을 형성시켰다. ${lambda}=1.3{mu}m$의 입사광에 대해서 거의 완벽한 광 coupling이 두 바깥 도파로 사이에서 일어났다. 새 도파로를 반대칭적으로 detuning 되도록 전계가 가해졌을 때... -
플라즈마 증착 형상 모의 실험기의 앞덮개 효과를 고려한 근사 해석적 모델에 관한 연구
이강환, 손명식, 황호정, Lee. Kang-Whan, Son. Myung-Sik, Hwang. Ho-Jung 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 10 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 90-99 (10 pages)
본 논문에서는 반응로 안에서 쌍극성 확산장의 거리 확장에 따르는 앞덮개(Presheath)영역에서의 효과를 고려하고, 앞덮개 영역 내에서 이온과 중성자간의 충돌을 고려한 입사각 분포에 따른 에너지 플럭스를 계산하였다. 이론의 각분포 현상과 에너지 플럭스 분포를 이온의 온도와 함께 앞덮개 효과를 고려된 새로운 근사 해석적 모델을 제시한다. 실제 식각 공정에 대한 실험결과 충돌이 없는 덮개에서도 이온의 입사각이 산란되는 현상이 나타난다. 이 현상은 이온의 앞덮개지역을 통과하면서 쌍극성 확산장(ambipolar diffusion... -
Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(${mu} c-Si:H$) 박막 증착
이정철, 송진수, 박이준, Lee. Jeong-Cheol, Song. Jin-Su, Park. Lee-Jun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 11 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.8 17-27 (11 pages)
값을 가졌으며, 기존의 PECVD법에 비해 10배 이상 높은 값이었다. Raman 특성으로부터 ${mu}c$ -Si:H막은 비정질과 결정질의 두상이 혼합된 상태임을 알 수 있었으며, 평균 결정 립의 크기는 6-10nm, 결정체적분율은 37~63%범위였다. 막의 전도대와 Fermi 준위의 차를 나타내는 전도 활성화에너지(conductivity activation energy)는 30mTorr에서 0.22eV로 나타났으며, 압력에 따라 증가하여 300mTorr에서는 0.68eV의 값을 가졌다. 막의 활성화 에너지 증가는 높은 압력에서 증착된 막의 특성이 진성(intrisic)에 가까움을 의미하며, 이는... -
질화실리콘막을 사용한 표면보호층 구조에 관한 연구
대한전자공학회 電子工學會誌 1985, Vol.22 No.6 53-57 (5 pages)
APCVD SiO2 또는 PSG 및 PECVD SiN막으로 구성된 이중 또는 삼중층의 반도체 표면보호막 구조의 특성을 층배합방법, 두께 등이 다른 여러 경우에 대하여 비교분석하였다. 문턱전압의 변동, 크랙 및 핀·홀의 발생, 내습성 등의 성질을 검토한 결과, 4,000Å 이상의 두께를 가진 PSG막과 6,000Å 두께의 SiN막으로 된 이중층이 표면보호막 구조로 가장 적합하다는 결론을 얻었다. -
Effect of Hydrogen Treatment on Electrical Properties of Hafnium Oxide for Gate Dielectric Application
Park. Kyu-Jeong, Shin. Woong-Chul, Yoon. Soon-Gil 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2001, Vol.1 No.2 95-102 (8 pages)
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프라즈마 이용기술 (1)
황기웅 대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 6 Pages
대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 1985, Vol.34 No.8 470-475 (6 pages)
열을 이용한 용접이나 절단이 고작이었으나, 최근에 들어 초고온, 고밀도 플라즈마를 이용한 핵융합 에너지 연구나 Free Electron Laser나 Gyrotron과 같이 새로운 Radiation Source로써 종래의 Source가 만들지 못하던 주파수 영역이나 Glow Discharge에서 생기는 저온 Plasma를 이용한 Plasma Etching PECVD(Plasma Enhanced CHemical Vapor Deposition), Plasma Ashing, Sputtering등은 VLSI의 제조에 필요불가결한 공정의 일부분이 되고 있다. 앞으로 수회에 걸쳐 본 기술해설란을 통하여 이들 Plasma의 이용 기술을 소개하고자 하며...