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저압 화학 증착법으로 제조된 Hemispherical Poly Si 박막의 미세구조 및 전기적 성질
라사균, 김동원 한국진공학회 韓國眞空學會誌 10 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.1 99-108 (10 pages)
성장한다. 화학증착의 변수, 열처리 및 in-situ doping process들은 hemispherical 및 rugged Si 박막의 미세구조에 영향을 준다. 동일 두께에서는 고온에서 이루어질 때 혹은 동일 온도일 경우에는 얇은 박막층일 때에 하부전극의 표면들이 rugged poly Si 형상을 나타내며 이렇게 됨으로써 유효면적은 2.1배로 증가한다. 이와 같은 캐패시터 유효면적 증가는 대체로 높은 신뢰성을 갖는 두꺼운 절연막을 사용하면서 stack 캐패시터 구조의 높이를 감소시킬 수 있다. 따라서 이러한 제조기술은 차세대 캐패시터에 적용될 수 있다. -
Fe가 첨가된 MgO 보호막의 표면특성 개선에 관한 연구
이돈규, 박차수, 김광태, 성열문, Lee. Don-Kyu, Park. Cha-Soo, Kim. Kwong-Toe, Sung. Youl-Moon 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 7 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 2010, Vol.24 No.2 106-112 (7 pages)
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Hsplay Panel :PDP)이 다른 평판 디스플레이 분야(Liquid Crystal Displays(LCDs) and organic light emitting diodes(OLEDs)등)와 경쟁에서 이기기 위해서는 제품의 고화질화, 저소비전력와 고속구동 등의 성능향상이 필요하다. 본 논문에서는 PDP의 성능향상을 위하여 유전체 보호층으로 쓰이는 MgO 박막에 Fe를 미량 첨가한 박막을 증착하고, 그 특성에 대하여 연구하였다. e-beam 증착법으로 증착된 Fe 도핑 된 MgO 박막의 표면특성과 전기광학적 특성을 4인치 테스트 패널을 제작하여 연구하였다.... -
MicroTec을 이용한 Trench D-MOSFET의 항복전압 분석
정학기, 한지형, Jung. Hak-Kee, Han. Ji-Hyung 한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 5 Pages
한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2010, Vol.14 No.6 1460-1464 (5 pages)
본 논문에서는 MicroTec을 이용하여 Trench D-MOSFET의 항복전압을 분석하였다. 소자의 고집적을 위한 특성 분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. Trench MOSFET은 고전압에서 가장 선호하는 전원장치이다. Trench MOSFET에서 산화막 두께와 도핑농도는 항복전압의 크기를 결정하며 고전압에 커다란 영향을 미치고 있다. 본 연구에서는 채널의 도핑 농도를 $10^{15}cm^{-3}$에서 $10^{17}cm^{-3}$까지... -
DGMOSFET에서 채널내 전자분포에 따른 전도중심의 이동
정학기, Jung. Hak-Kee 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2012, Vol.16 No.4 805-811 (7 pages)
본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 채널 내 전자분포에 대한 전도중심의 이동을 분석하고자 한다. 이를 위하여 기존에 발표되어 타당성이 입증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포 모델을 이용할 것이다. 이중게이트 MOSFET의 경우 두개의 게이트전압에 의한 전류제어능력의 증가로 단채널 효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 단채널효과는 주로 문턱전압영역을 포함한 문턱전압이하 영역에서 발생하므로 문턱전압이하 영역에서의 전송특성을 분석하는 것은 매우 중요하다. 또한 전송특성은 채널 내 전자의... -
DGMOSFET의 채널구조 및 도핑분포에 따른 문턱전압이하 전류의존성
정학기, Jung. Hak-Kee 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 6 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2012, Vol.16 No.4 793-798 (6 pages)
본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 채널 내 도핑분포 및 채널구조에 따른 문턱전압이하 전류의존성을 분석하고자 한다. 전위분포를 구하기 위하여 포아송방정식을 풀 때 전하분포는 가우스분포함수를 이용할 것이며 이의 타당성은 이미 여러 논문에서 입증하였다. 이중게이트 MOSFET는 게이트전압에 의한 전류제어능력의 증가로 단채널 효과를 감소시킬 수 있어 문턱전압이하 특성을 향상시킬 수 있다. 문턱전압이하 영역에서 전류제어는 고집적회로에서 소비전력의 감소와 관계된 매우 중요한 요소이다.... -
Dopant-Activation and Damage-Recovery of Ion-Shower-Doped Poly-Si through $PH_3/H_2$ after Furnace Annealing
Kim. Dong-Min, Kim. Dae-Sup, Ro. Jae-Sang, Choi. Kyu-Hwan, Lee. Ki-Yong 한국정보디스플레이학회 Journal of information display 6 Pages
한국정보디스플레이학회 Journal of information display 2004, Vol.5 No.1 1-6 (6 pages)
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A Study on the DC parameter matching according to the shrink of 0.13㎛ technology
문성열, 강성준, 정양희, Mun. Seong-Yeol, Kang. Seong-Jun, Joung. Yang-Hee 한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 6 Pages
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 2014, Vol.9 No.11 1227-1232 (6 pages)
본 논문은 기존의 poly length만의 축소와 달리 입, 출력 소자를 포함한 core 디바이스의 $0.13{mu}m$ 디자인을 10% 축소하는 것으로 여러 채널 길이에 따른 body effect와 doping profile simulation을 해석하였다. 축소 전의 DC 파라미터 매칭을 위하여 게이트 산화막의 decoupled plasma nitridation 처리와 LDD(Lightly Doped Drain) 이온주입 전 TEOS(Tetraethylortho silicate) 산화막 $100{AA}$ 그리고 LDD 이온주입을 22o tilt-angle(45o twist-angle)로 최적화하였고 그 결과 축소 전의 5%의 범위에서 매칭됨을 확인하였다. -
Dependence of Light-Emitting Characteristics of Blue Phosphorescent Organic Light-Emitting Diodes on Electron Injection and Transport Materials
Lee. Jeong-Ik, Lee. Jonghee, Lee. Joo-Won, Cho. Doo-Hee, Shin. Jin-Wook, Han. Jun-Han, Chu. Hye Yong 한국전자통신연구원 ETRI journal 6 Pages
한국전자통신연구원 ETRI journal 2012, Vol.34 No.5 690-695 (6 pages)